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一种12-b 125 kSPS全差分CMOS SAR A/D转换器 被引量:2
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作者 赵天挺 隋海建 +2 位作者 曲静然 高清运 秦世才 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期694-697,共4页
 设计了一种基于1stSilicon0.25μmCMOS工艺的全集成SARA/D转换器。详细介绍了SARA/D转换器的基本原理、电路结构和仿真结果。该SARA/D转换器采用全差分结构,系统时钟频率为2MHz,精度12位,采样速率125kb/s,输入电压范围0~2.5V。在3.3...  设计了一种基于1stSilicon0.25μmCMOS工艺的全集成SARA/D转换器。详细介绍了SARA/D转换器的基本原理、电路结构和仿真结果。该SARA/D转换器采用全差分结构,系统时钟频率为2MHz,精度12位,采样速率125kb/s,输入电压范围0~2.5V。在3.3V供电电压下,功耗为0.3mW,芯片有效面积为745μm×2000μm。 展开更多
关键词 逐次逼近寄存器 A/D转换器 ncmos 时间自调节比较器
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A compact neural recording interface based on silicon microelectrode 被引量:2
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作者 HAN JianQiang ZHANG Xu +3 位作者 PEI WeiHua GUI Qiang LIU Ming CHEN HongDa 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2013年第11期2808-2813,共6页
A prototype of hybrid neural recording interface has been developed for extracellular neural recording. It consists of a silicon-based plane microelectrode array and a CMOS low noise neural amplifier chip. The neural ... A prototype of hybrid neural recording interface has been developed for extracellular neural recording. It consists of a silicon-based plane microelectrode array and a CMOS low noise neural amplifier chip. The neural amplifier chip is designed and implemented in 0.18 μm N-well CMOS 1P6M technology. The area of the neural preamplifier is only 0.042 mm2 with a gain of 48.3 dB. The input equivalent noise is 4.73 btVrms within pass bands of 4 kHz. To avoid cable tethering for high dense mul- tichannel neural recording interface and make it compact, flip-chip bonding is used to integrate the preamplifier chip and the microelectrode together. The hybrid device measures 3 mm×5.5 mm×330μm, which is convenient for implant or in-vivo neu- ral recording. The hybrid device was testified in in-vivo experiment. Neural signals were recorded from hippocampus region of anesthetized Sprague Dawley rats successfully. 展开更多
关键词 neural recording interface silicon microelectrode cmos preamplifier flip-chip bonding hybrid device
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LC8952型收发器的测试技术研究
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作者 谭伟 钟宏伟 孙明峰 《微处理机》 2002年第1期13-15,共3页
叙述了LC8952型收发器的主要功能,并对其基本电路的测试方法进行了简要介绍。
关键词 通信网 收发器 LC8952型 测试 ncmos
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1.5μm双层布线N阱CMOS工艺研究
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作者 陈计学 《集成电路通讯》 2000年第2期1-2,,14,,共3页
给出了1.5μm双层布线N阱CMOS工敢研究流程,叙述了研究中一些关键技术。
关键词 ncmos 双层布线 PMOS 光刻
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