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界面态电荷对n沟6H-SiC MOSFET场效应迁移率的影响 被引量：4
1
作者 汤晓燕 张义门 +1 位作者 张玉明 郜锦侠 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期830-833,共4页
针对界面态密度在禁带中的不均匀分布 ,分析了界面态电荷对n沟 6H碳化硅MOSFET场效应迁移率的影响 .分析结果显示 ,界面态电荷使n沟碳化硅器件的场效应迁移率明显降低 .
关键词 界面态电荷 碳化硅 反型层迁移率 场效应迁移率 界面态密度 载流子 n沟碳化硅器件 MOSFET
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