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氧化锌n型导电机理研究进展 被引量：3
1
作者 郭保智 刘永生 +3 位作者 房文健 徐娟 武新芳 彭麟 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期107-111,共5页
氧化锌是一种宽禁带半导体,在太阳能、光电显示等方面有广泛的应用。制约其应用的是p型氧化锌很难得到,其中一个原因在于本征氧化锌n型导电的原因不明确。本文综述了氧化锌n型导电的机理,重点分析了本征缺陷和非故意掺杂氢对氧化锌n型... 氧化锌是一种宽禁带半导体,在太阳能、光电显示等方面有广泛的应用。制约其应用的是p型氧化锌很难得到,其中一个原因在于本征氧化锌n型导电的原因不明确。本文综述了氧化锌n型导电的机理,重点分析了本征缺陷和非故意掺杂氢对氧化锌n型导电的影响。 展开更多
关键词 氧化锌 n型导电 本征缺陷 非故意掺杂
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不同退火温度下氧化锌薄膜可见发光与n型导电研究 被引量：1
2
作者 聂朦 赵艳 +1 位作者 曾勇 蒋毅坚 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第17期405-410,共6页
采用脉冲激光沉积法在蓝宝石衬底上制备出可见光发光良好的氧化锌薄膜,在不同的温度下进行了后退火处理.随着退火温度的升高,薄膜的可见光发光发生了显著改变,载流子浓度、迁移率、电阻率也呈现出一定的变化规律.结合X射线衍射、扫描电... 采用脉冲激光沉积法在蓝宝石衬底上制备出可见光发光良好的氧化锌薄膜,在不同的温度下进行了后退火处理.随着退火温度的升高,薄膜的可见光发光发生了显著改变,载流子浓度、迁移率、电阻率也呈现出一定的变化规律.结合X射线衍射、扫描电子显微镜、光致发光谱及霍尔测量,探讨了本征氧化锌薄膜可见光发光的发射机理,并分析了其n型导电的原因. 展开更多
关键词 氧化锌薄膜 可见光发光 n型导电
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不同温度下异质外延生长立方氮化硼薄膜及其原位掺杂
3
作者 赵德鹤 殷红 《超硬材料工程》 CAS 2018年第1期28-33,共6页
在金刚石（ 0 0 1） 基底上, 在4 0 0℃、 6 0 0℃和9 0 0℃温度条件下外延生长高质量的c -B N薄膜.在不同的沉积温度下的薄膜生长过程中掺入S i , 实现了n型原位掺杂.S i的浓度随着生长温度的降低而升高.系统地研究了不同的沉积温度和... 在金刚石（ 0 0 1） 基底上, 在4 0 0℃、 6 0 0℃和9 0 0℃温度条件下外延生长高质量的c -B N薄膜.在不同的沉积温度下的薄膜生长过程中掺入S i , 实现了n型原位掺杂.S i的浓度随着生长温度的降低而升高.系统地研究了不同的沉积温度和S i浓度对于c -B N外延薄膜导电性能的影响.结果表明, 在4 2 0℃下掺杂得到的薄膜电阻率低于在更高温度下制得的薄膜的电阻率.电子输运性能对于温度的依赖性以及其相应的理论拟合的结果表明, S i掺杂薄膜的激活能大约是0. 3e V, 提高S i的摻杂浓度可以提高深能级受主的补偿作用. 展开更多
关键词 离子束辅助沉积 立方氮化硼薄膜 外延 原位掺杂 n型导电 电子应用
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Nb掺杂BaTiO_3薄膜的激光分子束外延及其特性
4
作者 颜 雷 吕惠宾 +4 位作者 戴守愚 陈正豪 陈 凡 赵 彤 杨国桢 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第z1期61-63,共3页
用激光分子束外延方法在ＳｒＴｉＯ３(１００)基底上外延生长了ＢａＮｂｘＴｉ１－ｘＯ３(０．０１≤ｘ≤０．０３)导电薄膜．原子力显微镜测得ＢａＮｂ０．３Ｔｉ０．７Ｏ３薄膜表面均方根粗糙度在２μｍ×２μｍ范围内为２．４(?)... 用激光分子束外延方法在ＳｒＴｉＯ３(１００)基底上外延生长了ＢａＮｂｘＴｉ１－ｘＯ３(０．０１≤ｘ≤０．０３)导电薄膜．原子力显微镜测得ＢａＮｂ０．３Ｔｉ０．７Ｏ３薄膜表面均方根粗糙度在２μｍ×２μｍ范围内为２．４(?),达到原子尺度光滑．霍尔测量表明ＢａＮｂｘＴｉ１-ｘＯ３薄膜为ｎ型导电薄膜;在室温下,ＢａＮｂ０．０２Ｔｉ０．９８Ｏ３、ＢａＮｂ０．２Ｔｉ０．８Ｏ３和ＢａＮｂ０．３Ｔｉ０．７Ｏ３薄膜的电阻率分别为２．４３×１０－４Ω·ｃｍ、１．９８×１０－４Ω·ｃｍ和１．２９７×１０－４Ω·ｃｍ,载流子浓度分别为５．９×１０２１ｃｍ－１、６．３７×１０２１ｃｍ－１和９．９×１０２ｌｃｍ-１． 展开更多
关键词 激光分子束外延 氧化物薄膜 Banb0.3Ti07O3 超晶格 n型导电薄膜.
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金刚石N型导电研究
5
作者 戴瑛 刘东红 +2 位作者 闫翠霞 俞林 杨剑 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期1094-1096,共3页
金刚石n型材料是近年来金刚石半导体器件研究的关键因而成为半导体材料领域研究的热点之一.本文通过理论计算对n-型材料研究中存在的磷(P)掺杂材料电子激活能量太高及掺硼p-型金刚石材料出现的导电类型转换现象进行了分析和探讨.
关键词 金刚石半导体 n-型导电
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SrSnO_(3)作为透明导电氧化物的第一性原理研究
6
作者 丁莉洁 张笑天 +3 位作者 郭欣宜 薛阳 林常青 黄丹 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第1期51-59,共9页
SrSnO_(3)是一种钙钛矿结构的宽带隙半导体,透明性高、无毒且价格低廉,是一种有前景的透明导电氧化物的候选者.本文通过第一性原理计算,获得了SrSnO_(3)的电子结构,着重讨论了SrSnO_(3)的本征缺陷、外界元素掺杂的缺陷形成能及过渡能级... SrSnO_(3)是一种钙钛矿结构的宽带隙半导体,透明性高、无毒且价格低廉,是一种有前景的透明导电氧化物的候选者.本文通过第一性原理计算,获得了SrSnO_(3)的电子结构,着重讨论了SrSnO_(3)的本征缺陷、外界元素掺杂的缺陷形成能及过渡能级,筛选出适宜的掺杂元素并指出了对应的实验制备环境,进一步根据带边能量位置对其电导性能机制进行了探讨.计算结果表明,SrSnO_(3)是一种基础带隙为3.55 eV、光学带隙为4.10 eV的间接带隙半导体,具有良好的透明性,电子的有效质量轻,利于n型电导.在富金属贫氧条件下,As,Sb掺杂SrSnO_(3)可以提升n型电导率;SrSnO_(3)的价带顶位于-7.5 eV处,导带底位于-4.0 eV处,其价带顶和导带底的能量位置均相对较低,解释了其易于n型掺杂而难于p型掺杂,符合宽带隙半导体材料的掺杂规律,最后,Sb掺杂SrSnO_(3)被提出为有前景的廉价n型透明导电材料. 展开更多
关键词 第一性原理计算 n型透明导电氧化物SrSnO_(3) 缺陷形成能 带边能量位置
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