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电子封装技术和封装材料 被引量:38
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作者 田民波 梁彤翔 何卫 《半导体情报》 1995年第4期42-61,共20页
本文介绍了电子封装的各种类型,综述了电子封装技术与封装材料的现状及发展趋势,重点讨论了高热导AIN基片金属化及AIN-W多层共烧工艺。
关键词 电子封装 ALN陶瓷 金属 表面安装技术
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瓦片式TR组件用AlN陶瓷基板制造工艺研究 被引量:4
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作者 王颖麟 钱超 +1 位作者 李俊 赵明 《电子工艺技术》 2020年第4期208-210,229,共4页
AlN(氮化铝)多层基板技术可实现瓦片式TR组件的高可靠和高密度集成。针对瓦片式TR组件对高导热、高布线密度需求,研究了高温共烧多层AlN基板制造的关键工艺,主要包括高精度层叠工艺、烧结工艺、表面镀覆工艺等。通过优化工艺参数,制作... AlN(氮化铝)多层基板技术可实现瓦片式TR组件的高可靠和高密度集成。针对瓦片式TR组件对高导热、高布线密度需求,研究了高温共烧多层AlN基板制造的关键工艺,主要包括高精度层叠工艺、烧结工艺、表面镀覆工艺等。通过优化工艺参数,制作了微波传输线测试用AlN基板样件和瓦片式TR组件用AlN基板。对样件的电性能和物理性能进行测试,满足瓦片式TR组件使用要求。 展开更多
关键词 TR组件 瓦片式 AlN陶瓷基板 多层共烧
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MCM-C的设计和制造 被引量:2
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作者 滑军学 李春发 《半导体情报》 1996年第4期58-62,共5页
介绍了MCM-C的CAD设计方法,以及MCM-C基板的制作与金属化、芯片的测试和老化、芯片互连等工艺。
关键词 多芯片组件 计算机辅助设计 多层共烧 封装技术
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多层共烧氮化铝基板尺寸精度影响因素 被引量:1
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作者 陈寰贝 梁秋实 +1 位作者 夏庆水 王子良 《真空电子技术》 2015年第5期11-13,共3页
尺寸精度是氮化铝多层共烧基板重要的考核指标,文章介绍了生产过程中影响氮化铝多层共烧基板尺寸精度的主要工艺因素,包括流延、层压、金属化、生切与烧结,以及如何改善控制这些工艺因素,从而获得较高尺寸精度的氮化铝多层共烧基板产品。
关键词 多层共烧 氮化铝 尺寸精度
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