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题名28nm制程下多电压设计中AOCV的应用
被引量：1
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作者
王帅
王殿超
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机构
北京航空航天大学软件学院
超威半导体产品(中国)有限公司
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出处
《中国集成电路》
2014年第8期43-49,共7页
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文摘
随着IC工艺技术的进步和发展,我们已经进入28nm工艺制程时代。相对于使用基于设置全局derate值的传统OCV方法,Advanced-OCV方法具有更精准和合理的优势,同时多电压设计已经成为实现低功耗设计的重要手段。因此,本文将基于28nm工艺的设计,介绍AOCV在多电压设计中的时序分析和验证的实际应用以及其带来的优势。
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关键词
AOCV
OCV
多电压
28nm
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Keywords
OCV
AOCV
multi-vdd
28nm
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分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名一种多电压高能效近似DCT设计
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作者
张子骥
贺雅娟
张波
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机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2021年第4期552-556,共5页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61874023,61534002)。
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文摘
设计了一种基于多电压的高能效近似DCT电路。通过对DCT的运算单元和系数进行近似处理,以精简电路规模的方式降低了DCT单次运算能耗。为了进一步提升近似DCT电路的相比能效,部分单元低压供电,在不降低DCT性能的前提下,实现了更低的功耗。基于0.18μm CMOS工艺的DCT电路对比显示,相较于标准电压的近似设计和全低压的近似设计方法,在保证工作频率不变的情况下,该电路的能耗分别降低了31.4%和13.8%。与传统的近似CORDIC DCT电路相比,该电路本方法降低了44.7%的能耗,同时提供了高于传统电路14 dB的输出精度。
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关键词
多电压
近似计算
能效
DCT
数字集成电路
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Keywords
multi-vdd
approximate computing
energy efficiency
DCT
digital integrated circuit
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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