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基于形态学细化法的弯管中线提取及研磨位姿计算研究
1
作者
程淼
付兴烨
+5 位作者
李美丽
卢振生
王迎辉
张岩
乔跃
陈松
《现代电子技术》
2023年第15期107-112,共6页
针对弯管内表面磁粒研磨工艺中手动采点产生的随机误差大、研磨间隙无法保证以及位姿不准确等问题,文中利用图像处理方法设计并实现了弯管中线的快速获取及坐标转换,从而完成研磨装置运动位姿计算。首先,对弯管磁粒研磨基本原理进行了分...
针对弯管内表面磁粒研磨工艺中手动采点产生的随机误差大、研磨间隙无法保证以及位姿不准确等问题,文中利用图像处理方法设计并实现了弯管中线的快速获取及坐标转换,从而完成研磨装置运动位姿计算。首先,对弯管磁粒研磨基本原理进行了分析,根据研磨过程中单颗磨粒受力状态得出弯管研磨过程中的基本工艺要求;其次,利用工业相机获取弯管图像,通过形态学细化及m邻接点分支去除方法得到弯管的轮廓中线;最后将中线像素点转换到工件坐标系下并进行函数化,结合弯管磁粒研磨工艺计算出研磨位姿,通过机械手离线编程软件对研磨位姿进行运动检查。利用形态学细化法对其结果进行m邻接点分支去除,可以较好地得到光滑的单像素弯管廓形中线;弯管中线的函数化有利于研磨位姿计算,可提高研磨过程的一致性和可控性。
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关键词
m邻接点
分支去除
磁粒研磨
弯管中线
研磨位姿
受力分析
函数化
形态学细化
下载PDF
职称材料
偏压方式对金刚石薄膜生长的影响研究
被引量:
2
2
作者
黄凯
王传新
徐远钊
《真空与低温》
2022年第2期187-192,共6页
采用脉冲偏压和直流偏压辅助热丝化学气相沉积装置在硅片表面制备了金刚石薄膜,对比研究了两种方式施加的偏压大小对薄膜表面形貌以及质量的影响。利用扫描电子显微镜和拉曼光谱分别表征了薄膜的形貌和质量,采用等离子体光谱诊断分析了...
采用脉冲偏压和直流偏压辅助热丝化学气相沉积装置在硅片表面制备了金刚石薄膜,对比研究了两种方式施加的偏压大小对薄膜表面形貌以及质量的影响。利用扫描电子显微镜和拉曼光谱分别表征了薄膜的形貌和质量,采用等离子体光谱诊断分析了薄膜生长过程的气相化学反应。结果表明:两种偏压方式下偏压的大小对薄膜的形貌及品质均有较大影响。相比直流偏压法,用脉冲偏压法制备的金刚石薄膜的晶粒较大、均匀性较好,薄膜的内应力较小;偏压过大时,薄膜表面晶粒棱边会出现电子流轰击刻蚀作用导致的晶粒细化,直流偏压下发生这种情况需要的电压较脉冲偏压低,表明持续的电子流轰击更易造成表面晶粒棱边的刻蚀。高偏压下同时伴随二次形核晶粒细化现象。光谱诊断结果表明,产生这些差异的主要原因是活性基团强度随偏压增大而增加,脉冲偏压能产生更强的活性粒子。
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关键词
热丝CVD
偏压
金刚石形貌变化
晶粒细化
下载PDF
职称材料
题名
基于形态学细化法的弯管中线提取及研磨位姿计算研究
1
作者
程淼
付兴烨
李美丽
卢振生
王迎辉
张岩
乔跃
陈松
机构
绥化学院
辽宁科技大学
出处
《现代电子技术》
2023年第15期107-112,共6页
基金
黑龙江省省属高校基本科研业务费项目(YWF10236220241)
黑龙江省自然科学基金联合引导项目(LH2022E118)。
文摘
针对弯管内表面磁粒研磨工艺中手动采点产生的随机误差大、研磨间隙无法保证以及位姿不准确等问题,文中利用图像处理方法设计并实现了弯管中线的快速获取及坐标转换,从而完成研磨装置运动位姿计算。首先,对弯管磁粒研磨基本原理进行了分析,根据研磨过程中单颗磨粒受力状态得出弯管研磨过程中的基本工艺要求;其次,利用工业相机获取弯管图像,通过形态学细化及m邻接点分支去除方法得到弯管的轮廓中线;最后将中线像素点转换到工件坐标系下并进行函数化,结合弯管磁粒研磨工艺计算出研磨位姿,通过机械手离线编程软件对研磨位姿进行运动检查。利用形态学细化法对其结果进行m邻接点分支去除,可以较好地得到光滑的单像素弯管廓形中线;弯管中线的函数化有利于研磨位姿计算,可提高研磨过程的一致性和可控性。
关键词
m邻接点
分支去除
磁粒研磨
弯管中线
研磨位姿
受力分析
函数化
形态学细化
Keywords
m⁃adjacency
point
branch
removal
magnetic
particle
grinding
bend
pipe
midline
grinding
pose
force
analysis
functionalization
morphological
refinement
分类号
TN911.1-34 [电子电信—通信与信息系统]
TG702 [电子电信—信息与通信工程]
TP241.2 [金属学及工艺—刀具与模具]
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职称材料
题名
偏压方式对金刚石薄膜生长的影响研究
被引量:
2
2
作者
黄凯
王传新
徐远钊
机构
武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室
出处
《真空与低温》
2022年第2期187-192,共6页
文摘
采用脉冲偏压和直流偏压辅助热丝化学气相沉积装置在硅片表面制备了金刚石薄膜,对比研究了两种方式施加的偏压大小对薄膜表面形貌以及质量的影响。利用扫描电子显微镜和拉曼光谱分别表征了薄膜的形貌和质量,采用等离子体光谱诊断分析了薄膜生长过程的气相化学反应。结果表明:两种偏压方式下偏压的大小对薄膜的形貌及品质均有较大影响。相比直流偏压法,用脉冲偏压法制备的金刚石薄膜的晶粒较大、均匀性较好,薄膜的内应力较小;偏压过大时,薄膜表面晶粒棱边会出现电子流轰击刻蚀作用导致的晶粒细化,直流偏压下发生这种情况需要的电压较脉冲偏压低,表明持续的电子流轰击更易造成表面晶粒棱边的刻蚀。高偏压下同时伴随二次形核晶粒细化现象。光谱诊断结果表明,产生这些差异的主要原因是活性基团强度随偏压增大而增加,脉冲偏压能产生更强的活性粒子。
关键词
热丝CVD
偏压
金刚石形貌变化
晶粒细化
Keywords
hot
filament
CVD
bias
morpholog
ies
of
diamond
grain
refinement
分类号
TQ164 [化学工程—高温制品工业]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于形态学细化法的弯管中线提取及研磨位姿计算研究
程淼
付兴烨
李美丽
卢振生
王迎辉
张岩
乔跃
陈松
《现代电子技术》
2023
0
下载PDF
职称材料
2
偏压方式对金刚石薄膜生长的影响研究
黄凯
王传新
徐远钊
《真空与低温》
2022
2
下载PDF
职称材料
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