期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
CuSe表面修饰的第一性原理研究
1
作者
莫秋燕
张颂
+3 位作者
荆涛
张泓筠
李先绪
吴家隐
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第12期258-266,共9页
单层CuSe属于体相为非层状的二维材料,本质上具有金属性质,因此不适合在电子器件中应用.本文通过外部原子修饰的方法实现CuSe电子结构的改变,采用密度泛函理论的第一性原理研究了单层CuSe在顶位、中心和桥位添加第二周期原子后的能带结...
单层CuSe属于体相为非层状的二维材料,本质上具有金属性质,因此不适合在电子器件中应用.本文通过外部原子修饰的方法实现CuSe电子结构的改变,采用密度泛函理论的第一性原理研究了单层CuSe在顶位、中心和桥位添加第二周期原子后的能带结构,重点分析了单层CuSe添加Li和B原子的电子结构,包括能带结构、态密度、差分电荷密度和晶体轨道哈密顿布居分析.添加Li原子后,从能带结构的结果来看,三个位置都能实现CuSe由金属性转为半导体性,且Li原子更倾向修饰在CuSe的六角形中心,带隙约为1.77 eV;在Cu原子的顶部位置添加B原子也可以实现CuSe具有半导体性,带隙约为1.2 eV.通过差分电荷密度和晶体轨道哈密顿布居的结果来看,B原子用B-Se极性共价键结合在单层CuSe的顶部.第一原理揭示了从单层CuSe到Cu XSe(X=Li,B)的金属到半导体转变的实现,计算结果使CuSe在未来的电子设备中使用成为可能.
展开更多
关键词
单层
cuse
第一性原理
电子结构
下载PDF
职称材料
题名
CuSe表面修饰的第一性原理研究
1
作者
莫秋燕
张颂
荆涛
张泓筠
李先绪
吴家隐
机构
凯里学院大数据工程学院
凯里学院理学院
中国电信股份有限公司研究院
广东邮电职业技术学院计算机学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第12期258-266,共9页
基金
凯里学院校级规划课题(批准号:2022ZD05)
黔东南州科技计划(批准号:[2022]08)资助的课题。
文摘
单层CuSe属于体相为非层状的二维材料,本质上具有金属性质,因此不适合在电子器件中应用.本文通过外部原子修饰的方法实现CuSe电子结构的改变,采用密度泛函理论的第一性原理研究了单层CuSe在顶位、中心和桥位添加第二周期原子后的能带结构,重点分析了单层CuSe添加Li和B原子的电子结构,包括能带结构、态密度、差分电荷密度和晶体轨道哈密顿布居分析.添加Li原子后,从能带结构的结果来看,三个位置都能实现CuSe由金属性转为半导体性,且Li原子更倾向修饰在CuSe的六角形中心,带隙约为1.77 eV;在Cu原子的顶部位置添加B原子也可以实现CuSe具有半导体性,带隙约为1.2 eV.通过差分电荷密度和晶体轨道哈密顿布居的结果来看,B原子用B-Se极性共价键结合在单层CuSe的顶部.第一原理揭示了从单层CuSe到Cu XSe(X=Li,B)的金属到半导体转变的实现,计算结果使CuSe在未来的电子设备中使用成为可能.
关键词
单层
cuse
第一性原理
电子结构
Keywords
monolayer
cuse
first-principles
calculations
electronic
structure
分类号
O469 [理学—凝聚态物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
CuSe表面修饰的第一性原理研究
莫秋燕
张颂
荆涛
张泓筠
李先绪
吴家隐
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
