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题名MPD芯片高温老化试验后的失效分析
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作者
牛江丽
常巍
赵伟
吕怡凡
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
河北杰微科技有限公司
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出处
《电子产品可靠性与环境试验》
2024年第2期69-75,共7页
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文摘
对光模块在高温老化可靠性试验中,出现的激光器的背光探测器(MPD)芯片失效的现象进行了分析。首先,通过PIV测试仪、高倍显微镜和扫描电镜等手段对激光器中的MPD芯片失效原因进行了分析。结果表明,该芯片失效的原因为:导电胶在高温老化过程出现银迁移现象,芯片正负极之间逐渐形成导电通路,从而导致失效器件中的背光MPD的PN结热击穿,进而造成整颗芯片烧毁。然后,分析了银迁移的机理。最后,从工艺控制、产品检测和设备调试3个方面提出了改进措施,对于降低此类失效现象发生的风险,提高MPD芯片封装的可靠性具有重要的参考价值。
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关键词
背光探测器
高温老化
银迁移
枝晶生长
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Keywords
monitor photodiode
high temperature burn-in
silver migration
dendrite growth
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分类号
TN15
[电子电信—物理电子学]
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