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带有小型化Balun的C波段单片GaAs pHEMT单平衡电阻性混频器
被引量：
1
1
作者
李志强
张健
张海英
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第12期2454-2457,共4页
本文介绍了一种带有小型化无源Balun的C波段单片GaAs pHEMT单平衡电阻性混频器。Balun采用集总一分布式结构，使其长度与常用2／4耦合线Balun相比缩小了11倍，大大降低了将无源Balun应用于C波段单片集成电路中所需的芯片尺寸。混频器采...
本文介绍了一种带有小型化无源Balun的C波段单片GaAs pHEMT单平衡电阻性混频器。Balun采用集总一分布式结构，使其长度与常用2／4耦合线Balun相比缩小了11倍，大大降低了将无源Balun应用于C波段单片集成电路中所需的芯片尺寸。混频器采用单平衡电阻性结构，在零功耗的情况下实现了良好的线性和口间隔离性能。测试结果显示，在固定中频160MHz，本振输入功率0dBm条件下，在3．5～5GI-IzRF频带内，最小变频损耗为8．3dB，1dB压缩点功率为8．0dBm，LO至Ⅲ之问的隔离度为38dB。
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关键词
砷化镓基赝配高电子迁移率晶体管
电阻性混频器
小型化
balun
集总-分布式
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职称材料
题名
带有小型化Balun的C波段单片GaAs pHEMT单平衡电阻性混频器
被引量：
1
1
作者
李志强
张健
张海英
机构
中国科学院微电子研究所
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第12期2454-2457,共4页
基金
国家重点基础研究规划资助项目(No.G2002CB311901)
文摘
本文介绍了一种带有小型化无源Balun的C波段单片GaAs pHEMT单平衡电阻性混频器。Balun采用集总一分布式结构，使其长度与常用2／4耦合线Balun相比缩小了11倍，大大降低了将无源Balun应用于C波段单片集成电路中所需的芯片尺寸。混频器采用单平衡电阻性结构，在零功耗的情况下实现了良好的线性和口间隔离性能。测试结果显示，在固定中频160MHz，本振输入功率0dBm条件下，在3．5～5GI-IzRF频带内，最小变频损耗为8．3dB，1dB压缩点功率为8．0dBm，LO至Ⅲ之问的隔离度为38dB。
关键词
砷化镓基赝配高电子迁移率晶体管
电阻性混频器
小型化
balun
集总-分布式
Keywords
GaAs
pseudomorphic
high
electron
mobility
transistors
（pHEMT）
resistive
mixer
miniaturized
balun
lumped-
distributed
分类号
TN77 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
带有小型化Balun的C波段单片GaAs pHEMT单平衡电阻性混频器
李志强
张健
张海英
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
1
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职称材料
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