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串扰有源抑制型SiC MOSFET驱动方法 被引量：10
1
作者 李国文 杭丽君 +5 位作者 童安平 曾庆威 何远彬 沈磊 曾平良 李国杰 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2021年第11期3915-3922,共8页
与传统Si材料相比,SiC材料有着更高的场强,热导率和能隙。因而Si CMOSFET更适用于高压高频的工作场合,以提高系统效率。然而随着开关速度的提高,栅极串扰问题变得更为严重。文中根据SiC MOSFET的开关特性,提出一种具有电平移位功能的高... 与传统Si材料相比,SiC材料有着更高的场强,热导率和能隙。因而Si CMOSFET更适用于高压高频的工作场合,以提高系统效率。然而随着开关速度的提高,栅极串扰问题变得更为严重。文中根据SiC MOSFET的开关特性,提出一种具有电平移位功能的高速负压驱动器。考虑到负压驱动对串扰的抑制能力有限,在此基础上加入无需主动控制的米勒钳位回路实现了对串扰的有效抑制,并克服了传统的米勒钳位方式增加驱动控制复杂度的问题。双脉冲测试和串扰测试结果表明,该驱动电路在保持高速开关的同时串扰电压得到了有效的抑制。 展开更多
关键词 SiC MOSFET 驱动电路 电平移位器 串扰 米勒钳位
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基于1ED020I12-FA的开关磁阻电动机驱动电路 被引量：5
2
作者 韩德火 王艳 殷天明 《微特电机》 北大核心 2013年第9期56-59,74,共5页
电动汽车用开关磁阻电动机的功率变换器使用了不对称的半桥结构,采用Infineon的无磁芯变压器隔离的驱动芯片1ED020I12-FA设计了开关磁阻电动机的驱动电路。详细介绍了1ED020I12-FA的基本结构和工作原理,论述了IGBT驱动电路的设计。实验... 电动汽车用开关磁阻电动机的功率变换器使用了不对称的半桥结构,采用Infineon的无磁芯变压器隔离的驱动芯片1ED020I12-FA设计了开关磁阻电动机的驱动电路。详细介绍了1ED020I12-FA的基本结构和工作原理,论述了IGBT驱动电路的设计。实验表明,该IGBT驱动电路输出稳定,能很好地开通和关断IGBT,具有良好的可靠性和稳定性。 展开更多
关键词 开关磁阻电动机 功率变换器 1ED020I12-FA 无磁芯变压器 退饱和保护 米勒箝位
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SiC MOSFET模块串扰问题及应用对策研究 被引量：1
3
作者 刘敏安 罗海辉 +2 位作者 卢圣文 王旭 李诚 《机车电传动》 北大核心 2023年第2期36-42,共7页
针对SiC MOSFET模块应用过程中出现的串扰问题,文章首先对3种测量差分探头的参数和测量波形进行对比,有效减小测量误差;然后详细分析串扰引起模块栅源极出现电压正向抬升和负向峰值过大的原因,并提出3种有效应用对策:减小栅极阻抗、采... 针对SiC MOSFET模块应用过程中出现的串扰问题,文章首先对3种测量差分探头的参数和测量波形进行对比,有效减小测量误差;然后详细分析串扰引起模块栅源极出现电压正向抬升和负向峰值过大的原因,并提出3种有效应用对策:减小栅极阻抗、采用有源米勒箝位和三级关断串扰抑制电路。其中,减小栅极阻抗可减小感应压降,抑制栅源极过压;有源米勒箝位技术使栅源极电压串扰波形幅值限制在箝位电压范围;利用三级关断串扰抑制电路技术,显著抑制了栅源极电压的正向抬升和负向峰值,最后通过试验仿真验证了3种方法的有效性。 展开更多
关键词 串扰问题 栅源极电压 栅极阻抗 有源米勒箝位 三级关断电平驱动技术
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可转位密齿铣刀新型夹紧机构的设计 被引量：1
4
作者 曹明通 王嫦娟 +1 位作者 魏军英 刁俊华 《机械设计与制造》 2004年第1期69-70,共2页
针对密齿端面铣刀夹紧空间小的特点,设计制造了新型夹紧机构—半压块夹紧机构。该机构充分利用了楔块夹紧的优点,克服了楔块夹紧占用空间大,不适合密齿铣刀夹紧的缺点。其设计新颖、夹紧可靠、操作方便,特别适用于密齿端铣刀夹紧。
关键词 可转位密齿铣刀 夹紧机构 半压块夹紧 端面铣刀 设计
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