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MPCVD生长半导体金刚石材料的研究现状 被引量:10
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作者 付方彬 金鹏 +3 位作者 刘雅丽 龚猛 吴巨 王占国 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第9期571-581,587,共12页
简要介绍了半导体金刚石材料优异的电学和光学性质、主要制备方法以及采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术在制备高质量半导体金刚石材料方面的优势。重点就MPCVD技术在半导体金刚石材料的高速率生长、大尺寸生长、高质量生长以及... 简要介绍了半导体金刚石材料优异的电学和光学性质、主要制备方法以及采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术在制备高质量半导体金刚石材料方面的优势。重点就MPCVD技术在半导体金刚石材料的高速率生长、大尺寸生长、高质量生长以及电学掺杂等四个方面的研究现状进行了详细总结。详细探讨了目前半导体金刚石材料在大尺寸单晶金刚石衬底制备、高质量单晶金刚石外延层生长以及金刚石电学掺杂等方面还存在的一些基本问题。指出在大面积单晶金刚石衬底还没有实现突破的情况下,半导体金刚石材料和器件结构的生长模式。 展开更多
关键词 金刚石 宽禁带 微波等离子体化学气相沉积(mpcvd) 同质外延生长 掺杂
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金刚石半导体材料和器件的研究现状 被引量:6
2
作者 陈亚男 张烨 +7 位作者 郁万成 龚猛 杨霏 刘瑞 王嘉铭 李玲 金鹏 王占国 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第4期217-228,共12页
简述了金刚石半导体材料的主要制备方法,以及掺杂技术及其在器件制备中应用的研究现状。重点介绍了微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法制备高质量金刚石的优势以及在生长速率、晶体尺寸和晶体质量等方面的研究进展及阻碍因素,并探讨了... 简述了金刚石半导体材料的主要制备方法,以及掺杂技术及其在器件制备中应用的研究现状。重点介绍了微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法制备高质量金刚石的优势以及在生长速率、晶体尺寸和晶体质量等方面的研究进展及阻碍因素,并探讨了实现金刚石大尺寸高质量生长的方法。通过对金刚石进行掺杂,可使其呈现p型和n型导电。总结了金刚石p型、n型掺杂及共掺杂的研究现状,并分析了金刚石在掺杂过程中出现的问题,探讨了p型掺杂和n型掺杂的研究方向。最后给出了金刚石在电力电子器件、探测器和场发射器件中的应用现状,并对金刚石的未来发展方向作出了展望。 展开更多
关键词 金刚石 迁移率 微波等离子体化学气相沉积(mpcvd) 掺杂 器件
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MPCVD单晶金刚石初始及断续生长界面的表征与分析 被引量:5
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作者 李一村 舒国阳 +10 位作者 刘刚 郝晓斌 赵继文 张森 刘康 曹文鑫 代兵 杨磊 朱嘉琦 曹康丽 韩杰才 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第10期1765-1769,共5页
采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术制备的大尺寸、高质量单晶金刚石材料具备卓越的物理化学性能,在珠宝、电子、核与射线探测等消费品、工业和国防科技领域极具应用前景。研究发现在化学气相沉积单晶金刚石生长过程中,在衬底与... 采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术制备的大尺寸、高质量单晶金刚石材料具备卓越的物理化学性能,在珠宝、电子、核与射线探测等消费品、工业和国防科技领域极具应用前景。研究发现在化学气相沉积单晶金刚石生长过程中,在衬底与外延层之间,以及生长中途停止-继续生长的生长层之间出现明显的界面区。本文采用偏光显微镜、拉曼光谱、荧光光谱(PL)等手段对界面区域进行了测试分析,界面区在偏光显微镜下表现出因应力导致的亮区,且荧光光谱(PL)及其线扫描显示该区域的NV色心含量远高于衬底及其前后外延层,表明该界面区具有较高的缺陷和杂质含量。结果表明在生长高品质单晶金刚石初期就应当采取一定手段进行品质调控,并尽量在一个生长周期内完成制备。 展开更多
关键词 单晶金刚石 微波导离子体化学气相沉积 界面 拉曼光谱 PL光谱
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微波功率和反应腔室压强对MPCVD生长AlN薄膜质量的影响
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作者 李嘉豪 丁广玉 +4 位作者 韩军 邢艳辉 邓旭光 张尧 马晓辉 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第4期626-632,共7页
研究了微波功率和反应腔室压强对微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法生长AlN薄膜质量的影响。采用高温MPCVD法,以N2为氮源,三甲基铝(TMAl)为铝源,在6H-SiC衬底上进行AlN薄膜的外延生长。在不同微波功率和不同反应腔室压强下,外延生长了... 研究了微波功率和反应腔室压强对微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法生长AlN薄膜质量的影响。采用高温MPCVD法,以N2为氮源,三甲基铝(TMAl)为铝源,在6H-SiC衬底上进行AlN薄膜的外延生长。在不同微波功率和不同反应腔室压强下,外延生长了AlN薄膜样品。生长样品的测试结果表明,在微波功率为4500 W时,样品(002)面X射线摇摆曲线(XRC)半高全宽(FWHM)为217 arcsec。在反应腔室压强为130 Torr(1 Torr=133.3 Pa)时,样品(002)面XRC的FWHM为216 arcsec。该研究将为以后AlN材料的MPCVD生长提供一些参考。 展开更多
关键词 ALN 微波等离子体化学气相沉积(mpcvd) SIC衬底 X射线衍射(XRD) 半高全宽(FWHM)
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氢气流量对大面积金刚石膜沉积的影响 被引量:4
5
作者 孙祁 汪建华 +1 位作者 刘繁 翁俊 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期75-84,共10页
为了实现大面积金刚石膜的高速均匀沉积,在新型多模微波等离子体装置中,利用微波等离子体(Microwave plasma chemical vapor deposition,MPCVD)技术,对大面积金刚石膜沉积过程中气体流场、电子密度和温度、基团分布及金刚石膜质量进行... 为了实现大面积金刚石膜的高速均匀沉积,在新型多模微波等离子体装置中,利用微波等离子体(Microwave plasma chemical vapor deposition,MPCVD)技术,对大面积金刚石膜沉积过程中气体流场、电子密度和温度、基团分布及金刚石膜质量进行研究。流场模拟结果表明,多模MPCVD装置在高气体流量下依旧保持良好的流场稳定性。等离子体光谱结果表明,随着氢气流量的上升活性基团的强度上升。氢气流量在400 cm^3/min以内时,活性基团可在基底表面对称均匀分布。电子密度和电子温度随着氢气流量的上升先上升后下降,在500 cm3/min达到最大,分别为2.3×1019/m^3和1.65 eV。在氢气流量为300 cm^3/min时可在直径为100 mm的钼基底上实现大面积金刚石膜的均匀沉积,金刚石膜中心和边缘处拉曼光谱FWHM值为4.39 cm^(-1)和4.51 cm^(-1),生长速率为5.8μm/h。 展开更多
关键词 微波等离子体化学气相沉积 等离子体光谱 金刚石膜 大面积 均匀沉积
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MPCVD中基片加热材料的温度场摄动模型研究 被引量:2
6
作者 杨春山 傅文斌 周璧华 《电波科学学报》 EI CSCD 2002年第5期495-498,共4页
为改进微波等离子体化学气相沉积 (MPCVD)装置中的加热系统 ,提出了用基片加热材料替代常规加热方式的新的技术路线 ;建立了基片加热材料的微波轴对称温度场模型并得到了一般解 ;通过对基片加热材料的微波设计 ,在MPCVD装置中获得大于... 为改进微波等离子体化学气相沉积 (MPCVD)装置中的加热系统 ,提出了用基片加热材料替代常规加热方式的新的技术路线 ;建立了基片加热材料的微波轴对称温度场模型并得到了一般解 ;通过对基片加热材料的微波设计 ,在MPCVD装置中获得大于基片台直径的均匀温度分布区。 展开更多
关键词 mpcvd 温度场 基片加热材料 化学气相沉积 微波等离子体化学气相沉积 摄动技术
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温度对MPCVD法同质外延单晶金刚石缺陷的影响 被引量:3
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作者 丁康俊 马志斌 +2 位作者 宋修曦 夏禹豪 耿传文 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2018年第2期8-11,19,共5页
利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法在含有缺陷的单晶金刚石种晶上进行同质外延生长实验,在其他沉积参数保持相同的情况下,研究温度对生长的单晶金刚石缺陷的影响。通过发射光谱、拉曼光谱以及SEM对单晶金刚石进行表征。实验结果表... 利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法在含有缺陷的单晶金刚石种晶上进行同质外延生长实验,在其他沉积参数保持相同的情况下,研究温度对生长的单晶金刚石缺陷的影响。通过发射光谱、拉曼光谱以及SEM对单晶金刚石进行表征。实验结果表明:单晶金刚石温度越高,金刚石表面的等离子体发射光谱中的谱线强度比值I(C2)/I(Hα)也越高;而电子温度越低,等离子体中粒子间的碰撞更加剧烈。在740℃沉积时,单晶金刚石表面会在同质外延生长后出现从缺陷处贯穿的裂痕;在780和820℃沉积时,单晶金刚石表面缺陷有被抑制和覆盖的趋势,缺陷面积减小;而在860℃沉积时,缺陷面积扩大且凸起更为明显。因此,在适宜温度下生长的单晶金刚石质量较好,金刚石特征峰偏移小、应力较小;温度过高或不足,金刚石特征峰向低波数偏移程度较大,压应力较大。 展开更多
关键词 微波等离子体化学气相沉积 发射光谱 单晶金刚石 缺陷
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基体温度对碳氮薄膜成分和结构的影响 被引量:1
8
作者 张永平 顾有松 +3 位作者 田中卓 常香荣 时东霞 张秀芳 《北京科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期160-162,192,共4页
采用微波等离子体化学气相沉积法,N_2/CH_4作反应气体,在 Si(100)基体上沉积β-C_3N_4 化合物.使用X射线光电子能谱(XPS)研究了基体温度对碳氮薄膜的成分和结构的影响,结果 表明:随着温度的提高,N/C... 采用微波等离子体化学气相沉积法,N_2/CH_4作反应气体,在 Si(100)基体上沉积β-C_3N_4 化合物.使用X射线光电子能谱(XPS)研究了基体温度对碳氮薄膜的成分和结构的影响,结果 表明:随着温度的提高,N/C原子比迅速提高,a一和C_3N_4在薄膜中的比例随之提高,超过一定 的温度后,N/C原子比将会降低.傅立叶变换红外光谱(FT-IR)和喇曼(Raman)谱结果支持 C-N 键的存在. 展开更多
关键词 成分 mpcvd 基本温度 碳氮薄膜 结构
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掺氮纳米金刚石薄膜的微观结构对微波场发射性能影响 被引量:2
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作者 许立 熊鹰 +3 位作者 王兵 韩汶洪 刘兴龙 方利平 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第10期1015-1020,共6页
采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法,通过改变CH_4浓度,在单晶Si(100)基底上制备掺氮纳米金刚石(NCD)薄膜,并以所制备的掺氮NCD薄膜为阴极材料,通过场发射扫描电子显微镜(FESEM)、原子力扫描探针显微镜(AFM)、Raman光谱和S波段射... 采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法,通过改变CH_4浓度,在单晶Si(100)基底上制备掺氮纳米金刚石(NCD)薄膜,并以所制备的掺氮NCD薄膜为阴极材料,通过场发射扫描电子显微镜(FESEM)、原子力扫描探针显微镜(AFM)、Raman光谱和S波段射频电子枪等测试方法系统地研究了掺氮NCD薄膜的微观结构对微波场发射性能的影响。结果表明:在CH_4浓度(体积比)为4%下,制备的掺氮NCD薄膜的颗粒呈多面体,而且颗粒尺寸和表面粗糙度较大,薄膜中金刚石相含量较高,这些微观结构使得微波场发射性能较高,在电场强度(E_0)为67.7 V·μm^(-1)时,发射电流密度(J0)高达144.8 m A·cm^(-2)。当升高CH_4浓度,所制备的掺氮NCD薄膜的颗粒尺寸减小而且连成条状结构,表面粗糙度也逐渐降低,薄膜中金刚石相减少、非金刚石相增加,这些微观结构的改变使得微波场发射性能逐渐降低。如当CH_4浓度增加至6%时,在电场强度E_0=67.7 V·μm^(-1)时,场发射电流密度降至37.9 m A·cm^(-2)。结果表明:低CH_4浓度下,掺氮NCD薄膜所具有的微观结构有利于微波场发射。 展开更多
关键词 微波等离子体化学气相沉积 CH4浓度 掺氮纳米金刚石薄膜 微观结构 微波场发射
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高等离子体功率密度下MPCVD法制备多晶金刚石膜 被引量:1
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作者 何中文 马志斌 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2022年第2期156-161,共6页
通过自制的MPCVD双基片台设备,在微波功率为1400 W保持不变及中高气压,等离子体功率密度为357.5~807.4 W/cm^(3),基片温度为850±30℃,CH_(4)体积分数为1.0%~1.5%,沉积速率为1~8μm/h条件下,在直径11.5 mm的硅基片上沉积不同质量的... 通过自制的MPCVD双基片台设备,在微波功率为1400 W保持不变及中高气压,等离子体功率密度为357.5~807.4 W/cm^(3),基片温度为850±30℃,CH_(4)体积分数为1.0%~1.5%,沉积速率为1~8μm/h条件下,在直径11.5 mm的硅基片上沉积不同质量的多晶金刚石膜,并通过光谱仪、光学显微镜、拉曼光谱仪对等离子体中的氢原子及含碳基团、多晶薄膜的形貌及质量进行表征。结果表明:随着等离子体功率密度上升,等离子体椭球中的氢原子基团和含C的活性基团强度增加,金刚石膜生长速率大幅度提高,金刚石膜纯度也大幅度提升。在气压为21 kPa,等离子体功率密度为807.4 W/cm^(3),基片温度为850±30℃,生长时间为150 h,CH_(4)体积分数为1.0%及氢气流量为200 mL/min的条件下,金刚石膜的生长速率达到5μm/h,金刚石膜厚达752.0μm,金刚石拉曼峰的半高宽为6.48 cm^(−1),且生长的金刚石膜质量良好。 展开更多
关键词 微波等离子体化学气相沉积 金刚石膜 等离子体功率密度 沉积速率 薄膜质量
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MPCVD侧面扩展生长单晶金刚石形貌及光谱 被引量:1
11
作者 徐永宽 王军山 +3 位作者 陈建丽 孙科伟 李璐杰 张颖 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第9期697-701,共5页
采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法同质生长了边缘无多晶聚集的金刚石,详细研究了其表面与侧面的生长情况。利用微分干涉相差显微镜和喇曼光谱仪对边缘无多晶的单晶金刚石进行了表征,结果表明,通过优化侧面温度的控制可以实现4... 采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法同质生长了边缘无多晶聚集的金刚石,详细研究了其表面与侧面的生长情况。利用微分干涉相差显微镜和喇曼光谱仪对边缘无多晶的单晶金刚石进行了表征,结果表明,通过优化侧面温度的控制可以实现4个侧面呈单晶生长,生长结束后金刚石尺寸由原始的3.50 mm×3.50 mm扩展到4.50 mm×4.52 mm,并且侧面扩展部分与表面区域的喇曼特征峰半高宽均在2.2~2.4 cm-1附近,呈现出较高的结晶质量,而光致发光光谱测试结果表明,晶体内部有氮和硅杂质存在。对于金刚石同质生长而言,金刚石4个侧面同时生长将会提高单晶生长效率和金刚石单片尺寸。 展开更多
关键词 金刚石 微波等离子体化学气相沉积(mpcvd) 侧面生长 形貌 光致发光
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含Si金刚石涂层的工艺研究 被引量:1
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作者 刘素田 刘伟 +2 位作者 黑立富 唐伟忠 吕反修 《北京科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期408-412,446,共6页
利用微波等离子体辅助化学气相沉积的方法,以H2、CH4和D4(八甲基环四硅氧烷)为沉积先驱物,探索了一种在硬质合金基底上制备出含Si元素的金刚石涂层的新工艺.试图利用这种新的方法,进一步提高金刚石涂层对硬质合金基底的附着力.实验结果... 利用微波等离子体辅助化学气相沉积的方法,以H2、CH4和D4(八甲基环四硅氧烷)为沉积先驱物,探索了一种在硬质合金基底上制备出含Si元素的金刚石涂层的新工艺.试图利用这种新的方法,进一步提高金刚石涂层对硬质合金基底的附着力.实验结果表明:当D4的流量相对CH4的流量较大时,得到球团状的胞状组织;只有当D4和CH4的流量相当的情况下,才能沉积出质量较好的金刚石涂层,同时又含有少量的Si使金刚石涂层的附着力较好. 展开更多
关键词 金刚石涂层 微波等离子体化学气相沉积 八甲基环四硅氧烷 硬质合金 附着力
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SiC基GaN上多晶金刚石散热膜生长及其影响
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作者 盛百城 刘庆彬 +3 位作者 何泽召 李鹏雨 蔚翠 冯志红 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第5期455-460,共6页
通过微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法,在SiC基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)异质结构材料上生长多晶金刚石散热膜,采用光学显微镜(OM)、拉曼光谱、非接触霍尔测试系统、X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对生长样品进行表征,研究... 通过微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法,在SiC基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)异质结构材料上生长多晶金刚石散热膜,采用光学显微镜(OM)、拉曼光谱、非接触霍尔测试系统、X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对生长样品进行表征,研究了生长温度、多晶金刚石散热膜厚度对GaN HEMT异质结构材料性能的影响。测试结果表明,当多晶金刚石生长温度为625℃,散热膜厚度为20μm时,GaN材料载流子迁移率降低9.8%,载流子浓度上升5.3%,(002)衍射峰半高宽增加40%。生长温度越高,金刚石散热膜的生长速率越快。当金刚石散热膜厚度相差不大时,生长温度越高,GaN所受拉应力越大,材料电特性衰退越明显。多晶金刚石高温生长过程中,金刚石引入的应力未对GaN结构产生破坏作用,GaN材料中没有出现孔洞等缺陷。 展开更多
关键词 多晶金刚石 散热膜 氮化镓 微波等离子体化学气相沉积(mpcvd)法 电性能 应力 孔洞缺陷
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Simple method to rapidly fabricate chain-like carbon nanotube films and its field emission properties 被引量:2
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作者 Zhi-yuan Wu Shuang-qi Hu Zhi-qian Wang 《International Journal of Minerals,Metallurgy and Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2010年第3期371-375,共5页
A simple process to fabricate chain-like carbon nanotube (CNT) films by microwave plasma-enhanced chemical vapor deposition (MPCVD) was developed successfully. Prior to deposition, the Ti/Al2O3 substrates were gro... A simple process to fabricate chain-like carbon nanotube (CNT) films by microwave plasma-enhanced chemical vapor deposition (MPCVD) was developed successfully. Prior to deposition, the Ti/Al2O3 substrates were ground with Fe-doped SiO2 powder. The nano-structure of the deposited films was analyzed by scanning electron microscopy (SEM), transmission electron microscopy (TEM), and Raman spectroscopy. The field electron emission characteristics of the chain-like carbon nanotube films were measured under the vacuum of 10-5 Pa. The low turn-on field of 0.80 V/μm and the emission current density of 8.5 mA/cm2 at the electric field of 3.0 V/μm are obtained. Based on the above results, chain-like carbon nanotube films probably have important applications in cold cathode materials and electrode materials. 展开更多
关键词 carbon nanotube (CNT) CHAIN-LIKE film microwave plasma-enhanced chemical vapor deposition mpcvd field emission
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大尺寸石墨基BDD涂层电极的MPCVD法沉积 被引量:2
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作者 陈卓 熊鹰 +2 位作者 王兵 杨森 王国欣 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第7期828-835,共8页
针对具有工业化应用前景的大尺寸掺硼金刚石(BDD)电极难于用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术制备的问题,通过以热等静压(HIP)石墨片取代传统的硅基体,结合预涂覆金属过渡层及采用适于大面积生长的高功率碟形腔型MPCVD装置,沉积生... 针对具有工业化应用前景的大尺寸掺硼金刚石(BDD)电极难于用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术制备的问题,通过以热等静压(HIP)石墨片取代传统的硅基体,结合预涂覆金属过渡层及采用适于大面积生长的高功率碟形腔型MPCVD装置,沉积生长直径达100 mm的石墨基掺硼金刚石(BDD)涂层电极。BDD薄膜沉积前,使用热化学气相沉积(TCVD)工艺在石墨基体表面预镀覆金属铌作为过渡层,以避免金刚石沉积阶段石墨基体剧烈氢刻蚀,提高金刚石形核率并增强膜材致密完整性;MPCVD沉积BDD工艺条件为CH_(4)浓度3%、乙硼烷掺杂源浓度B/C为7500×10^(-6)、微波功率7.5 kW、沉积气压10.5 kPa、基体温度860℃、生长时间10 h。通过场发射扫描电子显微镜(FESEM)、拉曼光谱(Raman)、X射线衍射(XRD)等技术对所制备薄膜进行表征,SEM表征表明在直径100 mm石墨基片上生长的BDD厚度达13μm,晶粒尺寸约10μm,且为典型的柱状晶结构;拉曼光谱中仅存在金刚石和与硼掺杂相关的特征峰,而XRD图谱揭示所制备样品为纯净的金刚石相。同时不同区域的SEM和Raman检测结果显示BDD在整个直径100 mm的区域内覆盖完整,且有较好的均匀性和一致性。循环伏安扫描曲线结果显示该石墨基BDD具有较大电势窗口(2.8 V),保持较高的电化学反应活性和较好的稳定性。本文研究表明采用合适的基材和预处理技术,可通过MPCVD方法获得大尺寸高质量的BDD涂层电极。 展开更多
关键词 石墨基体 过渡层 微波等离子体化学气相沉积(mpcvd)法 大面积 掺硼金刚石(BDD)薄膜
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电子回旋共振—微波等离子体化学气相沉积法制备a-C:H(N)薄膜 被引量:2
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作者 李新 唐祯安 +1 位作者 马国佳 邓新绿 《真空》 CAS 北大核心 2003年第5期28-30,共3页
采用电子回旋共振 -微波等离子体化学气相沉积技术 ,使用 CH4 和 N2 混合气作为反应气体 ,在硅衬底上制备掺氮含氢非晶碳 (a- C∶ H(N) )薄膜。紫外 Ram an光谱证实了薄膜的类金刚石特性 ;傅立叶变换红外光谱表明薄膜中存在 CH和 CN键... 采用电子回旋共振 -微波等离子体化学气相沉积技术 ,使用 CH4 和 N2 混合气作为反应气体 ,在硅衬底上制备掺氮含氢非晶碳 (a- C∶ H(N) )薄膜。紫外 Ram an光谱证实了薄膜的类金刚石特性 ;傅立叶变换红外光谱表明薄膜中存在 CH和 CN键结构。采用原子力显微镜 (AFM)观察薄膜的微观表面形貌 ,结果表明薄膜表面光滑。论文详细叙述了薄膜制备工艺 ,对测试结果进行了分析讨论 。 展开更多
关键词 电子回旋共振-微波等离子体化学气相沉积法 制备 CH4 N2 非晶碳薄膜 紫外Raman光谱 原子力显微镜
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