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Research on influence of typical microstructure characteristics of Ni base single crystal on creep rupture and deformation analysis of turbo blade
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作者 CAO Juan WANG Yan-rong SHI Duo-qi 《航空动力学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期1148-1158,共11页
Considering the influence of typical microstructure characteristics on creep performance,a series of UM-F single crystal alloys which had similar element components but different microstructures were used to analyze t... Considering the influence of typical microstructure characteristics on creep performance,a series of UM-F single crystal alloys which had similar element components but different microstructures were used to analyze the relationship between creep life and microstructure characteristics of Ni base single crystal.Three main factors were proposed:misfit,volume fraction of precipitate and maximum matrix channel width.The Microstate parameter Ymicro was established to estimate the deformation state of the materials.The linear relationship between the initial value of microstate parameter Y0 and creep life under a certain temperature/load was affirmed.By analyzing the high temperature region of turbo blade using the material parameters of DD 3,the creep deformation and the life prediction of the critical points of blade were obtained and the result closed to the test. 展开更多
关键词 《航空动力学报》 期刊 摘要 编辑部
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睡眠呼吸暂停综合症患者脑电微状态发生改变 被引量:1
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作者 熊馨 杨鑫亮 +2 位作者 罗剑花 易三莉 贺建峰 《中国生物医学工程学报》 CSCD 北大核心 2023年第5期563-571,共9页
睡眠呼吸暂停综合症(SAS)是一种常见的睡眠障碍,传统上往往采用时频分析等方法研究其脑电信号的异常,都忽略了睡眠脑电的空间位置信息和特征的差异。采用微状态分析的方法,分别对健康人和SAS患者5个睡眠阶段(W、N1、N2、N3、REM)的脑电... 睡眠呼吸暂停综合症(SAS)是一种常见的睡眠障碍,传统上往往采用时频分析等方法研究其脑电信号的异常,都忽略了睡眠脑电的空间位置信息和特征的差异。采用微状态分析的方法,分别对健康人和SAS患者5个睡眠阶段(W、N1、N2、N3、REM)的脑电进行分析,探究SAS患者睡眠脑电特征在时间和空间上的差异。选取66名SAS患者和10名健康人的睡眠脑电,计算W-REM的全局场功率(GFP)并取GFP峰值数据进行聚类。得到4个微状态,这4个微状态地形图分别呈现为右额左后(A)、左额右后(B)、额枕中线(C)和额中线(D),并且计算微状态参数(出现频率、平均持续时间、覆盖率)。此外,还计算了微状态序列的静态属性[全局方差(GEV)],动态属性(熵率),转换概率和转移矩阵的对称性。最后,用Hurst指数来评估微状态序列的远程相关性。在W-REM阶段,健康人和SAS患者的出现频率、平均持续时间、覆盖率、GEV、转换概率、熵率、Hurst指数均存在显著差异(P<0.05)。转移矩阵均具有对称性(P>0.01)。Hurst指数均大于0.5,具有远程相关性。与健康人相比,SAS患者W-N3阶段微状态B、C的持续时间降低。SAS患者GEV的SUM大于健康人,说明SAS患者大脑活跃度更高。W-N3阶段健康人的Hurst指数逐渐减小,长期记忆减弱,而SAS患者从N1-N3阶段Hurst指数逐渐减小。每个睡眠阶段健康人的熵率都大于SAS患者,携带的脑电信息较少。 展开更多
关键词 睡眠脑电 微状态参数 微状态序列
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