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温度测量范围加倍的单微环传感器
被引量:
1
1
作者
李欣
王禄娜
+2 位作者
郭士亮
李志全
杨明
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第15期189-194,共6页
本文提出了一种基于U形波导耦合单微环结构的新型SOI(绝缘体上硅)温度传感器.温度变化引起感温部位有效折射率和长度变化,导致传感器的输出光谱发生漂移.根据传输矩阵法和耦合模理论,设计了新型传感器模型,并且分析了感温部位不同时系...
本文提出了一种基于U形波导耦合单微环结构的新型SOI(绝缘体上硅)温度传感器.温度变化引起感温部位有效折射率和长度变化,导致传感器的输出光谱发生漂移.根据传输矩阵法和耦合模理论,设计了新型传感器模型,并且分析了感温部位不同时系统输出光谱特性.结果表明:当U形波导耦合单微环整体结构感温时,输出光谱无伪模,消光比达到31 dB,可作为最佳感温元件.相比于传统的双直波导耦合单微环结构,当U形波导的两个耦合点间的距离为微环周长的整数倍数时,FSR(自由光谱范围)可加倍至56 nm,灵敏度提高到89.2 pm/?C,测量范围为298—720 K,实现了SOI微环谐振器的高温测量.
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关键词
微环谐振器
温度传感器
测量范围
原文传递
题名
温度测量范围加倍的单微环传感器
被引量:
1
1
作者
李欣
王禄娜
郭士亮
李志全
杨明
机构
哈尔滨工业大学控制与仿真中心
燕山大学电气工程学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第15期189-194,共6页
基金
国家自然科学基金(批准号:61172044)
河北省自然科学基金(批准号:F2012203204)资助的课题~~
文摘
本文提出了一种基于U形波导耦合单微环结构的新型SOI(绝缘体上硅)温度传感器.温度变化引起感温部位有效折射率和长度变化,导致传感器的输出光谱发生漂移.根据传输矩阵法和耦合模理论,设计了新型传感器模型,并且分析了感温部位不同时系统输出光谱特性.结果表明:当U形波导耦合单微环整体结构感温时,输出光谱无伪模,消光比达到31 dB,可作为最佳感温元件.相比于传统的双直波导耦合单微环结构,当U形波导的两个耦合点间的距离为微环周长的整数倍数时,FSR(自由光谱范围)可加倍至56 nm,灵敏度提高到89.2 pm/?C,测量范围为298—720 K,实现了SOI微环谐振器的高温测量.
关键词
微环谐振器
温度传感器
测量范围
Keywords
micro
-
ring
resonator
;
temperature
sensor
;
measurement
of
sensor
分类号
TP212.11 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
温度测量范围加倍的单微环传感器
李欣
王禄娜
郭士亮
李志全
杨明
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
1
原文传递
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