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GaN基微缩化发光二极管尺寸效应和阵列显示 被引量:3
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作者 邰建鹏 郭伟玲 +2 位作者 李梦梅 邓杰 陈佳昕 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第17期213-218,共6页
设计制备了不同大小的单颗微缩化发光二极管(Micro-LED)和Micro-LED阵列.其中,单颗Micro-LED尺寸为40-100μm,其电极结构为共N极,P极单独引出;阵列像素数量为8×8,被动驱动结构,像素大小为60μm.器件制备过程中使用厚光刻胶作掩膜,... 设计制备了不同大小的单颗微缩化发光二极管(Micro-LED)和Micro-LED阵列.其中,单颗Micro-LED尺寸为40-100μm,其电极结构为共N极,P极单独引出;阵列像素数量为8×8,被动驱动结构,像素大小为60μm.器件制备过程中使用厚光刻胶作掩膜,刻蚀N型GaN外延片至衬底,形成隔离槽.通过优化电极结构和厚度,提高了P电极在隔离槽爬坡处的可靠性;使用现场可编程门阵列(field-programmable gate array,FPGA)对Micro-LED被动阵列进行了驱动显示.对于不同尺寸的单颗Micro-LED进行了电学、光学、热学等方面的测试分析.结果表明:随着尺寸的减小,Micro-LED所能承受的电流密度越大;Micro-LED与普通蓝光LED相比具有较大的k系数,并且随着尺寸的减小,k系数的数值增大,热稳定性不如传统蓝光LED.FPGA可以实现对Micro-LED被动阵列的良好驱动. 展开更多
关键词 微缩化发光二极管 尺寸效应 k系数 被动驱动
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基于离子注入隔离的微缩化发光二极管阵列性能 被引量:1
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作者 高承浩 徐峰 +6 位作者 张丽 赵德胜 魏星 车玲娟 庄永漳 张宝顺 张晶 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第2期234-240,共7页
基于F离子注入隔离技术实现一种新型微缩化发光二极管(micromicro-LED)阵列器件,并系统研究注入能量及发光孔径对micro-LED阵列器光电性能的影响.研究结果表明:相比于F离子50 ke V单次注入器件, 50/100 ke V两次注入器件具有更好的光电... 基于F离子注入隔离技术实现一种新型微缩化发光二极管(micromicro-LED)阵列器件,并系统研究注入能量及发光孔径对micro-LED阵列器光电性能的影响.研究结果表明:相比于F离子50 ke V单次注入器件, 50/100 ke V两次注入器件具有更好的光电性能,器件反向漏电降低8.4倍,光输出功率密度提升1.3倍.同时,在不同的发光孔径(6, 8, 10μm)条件下,器件反向漏电流均为3.4×10–8 A,但正向工作电压随孔径增大而减小,分别为3.3, 3.1, 2.9 V.此外,器件不同发光孔径的有效发光面积比(实际发光面积与器件面积之比)分别为85%, 87%, 92%.与传统台面刻蚀micro-LED器件相比,离子注入隔离技术实现的micro-LED器件具有较低反的向漏电流密度、较高的光输出密度及有效发光面积比. 展开更多
关键词 微缩化发光二极管阵列 离子注入隔离 注入能量 发光孔径
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Optical cross-talk reduction in a quantumdot-based full-color micro-light-emitting-diode display by a lithographic-fabricated photoresist mold 被引量:29
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作者 HUANG-YU LIN CHIN-WEI SHER +7 位作者 DAN-HUA HSIEH XIN-YIN CHEN HUANG-MING PHILIP CHEN TENG-MING CHEN KEI-MAY LAU CHYONG-HUA CHEN CHIEN-CHUNG LIN HAO-CHUNG KUO 《Photonics Research》 SCIE EI 2017年第5期411-416,共6页
In this study, a full-color emission red–green–blue(RGB) quantum-dot(QD)-based micro-light-emitting-diode(micro-LED) array with the reduced optical cross-talk effect by a photoresist mold has been demonstrated. The ... In this study, a full-color emission red–green–blue(RGB) quantum-dot(QD)-based micro-light-emitting-diode(micro-LED) array with the reduced optical cross-talk effect by a photoresist mold has been demonstrated. The UV micro-LED array is used as an efficient excitation source for the QDs. The aerosol jet technique provides a narrow linewidth on the micrometer scale for a precise jet of QDs on the micro-LEDs. To reduce the optical cross-talk effect,a simple lithography method and photoresist are used to fabricate the mold, which consists of a window for QD jetting and a blocking wall for cross-talk reduction. The cross-talk effect of the well-confined QDs in the window is confirmed by a fluorescence microscope, which shows clear separation between QD pixels. A distributed Bragg reflector is covered on the micro-LED array and the QDs' jetted mold to further increase the reuse of UV light.The enhanced light emission of the QDs is 5%, 32%, and 23% for blue, green, and red QDs, respectively. 展开更多
关键词 QDs Optical cross-talk reduction in a quantumdot-based full-color micro-light-emitting-diode display by a lithographic-fabricated photoresist mold
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高光效GaN基Micro-LED仿真模型研究 被引量:7
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作者 胡新培 蔡俊虎 +4 位作者 叶媛媛 陈恩果 孙捷 严群 郭太良 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第15期196-205,共10页
微型发光二极管(Micro-LED)显示芯片尺寸减小带来了侧壁效应,导致其正向光提取效率(LEE)降低,实现高光效Micro-LED的显示芯片结构仍有待深入研究。从仿真角度出发,基于有限差分时域法探索高光效GaN基Micro-LED的优化模型。首先,构建垂... 微型发光二极管(Micro-LED)显示芯片尺寸减小带来了侧壁效应,导致其正向光提取效率(LEE)降低,实现高光效Micro-LED的显示芯片结构仍有待深入研究。从仿真角度出发,基于有限差分时域法探索高光效GaN基Micro-LED的优化模型。首先,构建垂直侧壁GaN基Micro-LED初始叠层结构,定量分析侧壁效应对LEE的影响。然后,探索Micro-LED多量子阱有源层位置变化对出光效果的影响,分析不同侧壁倾角条件下的Micro-LED结构模型,讨论底部反射材料对LEE的影响,获得初步优化的GaN基Micro-LED模型参数。最后,通过设计顶部透射光栅进一步提升LEE,并探讨光栅周期、光栅高度和占空比对LEE的影响。结果表明,优化后的GaN基Micro-LED的整体LEE较初始结构提升了2.42倍。 展开更多
关键词 光电子学 微发光二极管 光提取效率 有限差分时域法 光栅 分布式布拉格反射器
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反向混合并联Micro LED/OLED显示器件的驱动IC控制
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作者 夏志明 陈明真 +5 位作者 黄忠航 何爽 张恺馨 孙捷 严群 郭太良 《福州大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2024年第2期155-160,共6页
提出一种集成蓝光微发光二极管(Micro LED)和红绿光有机发光二极管(OLED),具有特殊子像素排列的新型无源驱动全彩显示器件.该器件无需巨量转移就可实现全彩化显示,且较传统全彩OLED及Micro LED,器件效率更高,寿命更长.另外,将蓝色与绿... 提出一种集成蓝光微发光二极管(Micro LED)和红绿光有机发光二极管(OLED),具有特殊子像素排列的新型无源驱动全彩显示器件.该器件无需巨量转移就可实现全彩化显示,且较传统全彩OLED及Micro LED,器件效率更高,寿命更长.另外,将蓝色与绿色子像素反向并联,可以减少电极走线,提高器件像素密度.针对该器件的特殊结构,设计一套全新的驱动方案,具体以现场可编程逻辑门阵列FPGA作为主控制器,利用驱动芯片提供稳定的电流点亮LED,实现器件的全彩显示.通过仿真测试进一步验证了该器件良好工作的可行性. 展开更多
关键词 微发光二极管 有机发光二极管 显示驱动 无源驱动 全彩显示
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面向微显示的小电流655 nm Micro-RCLED 被引量:4
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作者 李建军 曹红康 +4 位作者 邓军 文振宇 邹德恕 周晓倩 杨启伟 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第15期170-175,共6页
针对微显示对高外量子效率、低工作电流和稳定光谱波长的红光LED的需求,提出了一种将共振腔发光二极管与AlAs侧向氧化技术相结合的Micro-RCLED。该器件利用共振腔改变有源区自发辐射场的空间分布,将更多的光分布在光提取角之内以提高光... 针对微显示对高外量子效率、低工作电流和稳定光谱波长的红光LED的需求,提出了一种将共振腔发光二极管与AlAs侧向氧化技术相结合的Micro-RCLED。该器件利用共振腔改变有源区自发辐射场的空间分布,将更多的光分布在光提取角之内以提高光提取效率,而且共振腔还有利于输出光谱波长的稳定。AlAs氧化孔对电流的横向限制既有利于降低侧壁的Shockley-Read-Hall非辐射复合,又可减少漏电,从而提高辐射复合效率。另外,P电极出光孔的直径大于AlAs氧化电流注入孔的直径,因此,金属P电极对出射光的吸收可以有效避免。同时,制作了3个并联的655 nm Micro-RCLED,每个单元的出光孔径为17μm。IdV/dI-I曲线的拟合结果表明,120Ω的串联电阻器件在1 mA时的输出光功率为0.21 mW,外部量子效率大于10%,并且可以在低于1μA的注入电流下点亮单个单元。另外,当工作电流密度变化12.5倍时,峰值波长仅增加1.5 nm,光谱的半峰全宽仅增加0.33 nm。这使得RCLED作为单色光源在Micro-LED中的应用成为可能。 展开更多
关键词 物理光学 发光 谐振腔 AlAs横向氧化 微型发光二极管 红光发光二极管
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考虑小尺寸效应的Micro-LED驱动结构设计 被引量:3
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作者 殷录桥 张雪松 +4 位作者 任开琳 张楠 郝茂盛 李春亚 张建华 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期202-217,共16页
设计一款芯片尺寸为300μm的蓝绿光微型发光二极管(Micro-LED)并将其点亮,通过TCAD仿真对芯片尺寸为10、38、100、300μm的Micro-LED进行模拟仿真,探究了Micro-LED的小尺寸效应,发现随着Micro-LED尺寸的减小,开关损耗增加。因此,针对提... 设计一款芯片尺寸为300μm的蓝绿光微型发光二极管(Micro-LED)并将其点亮,通过TCAD仿真对芯片尺寸为10、38、100、300μm的Micro-LED进行模拟仿真,探究了Micro-LED的小尺寸效应,发现随着Micro-LED尺寸的减小,开关损耗增加。因此,针对提高小尺寸Micro-LED单点像素的驱动电流密度过程中产生的开关损耗增加的问题,模拟仿真驱动电路驱动Micro-LED的开关特性过程,进行减小开关损耗的研究。利用Sentaurus TCAD软件进行仿真,设计了一台沟道长度为0.18μm的p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOS)器件,将PMOS器件和Micro-LED器件通过铟凸点进行键合,并对PMOS驱动电路驱动单独Micro-LED像素进行仿真,进一步进行PMOS驱动两个Micro-LED像素的仿真,从而模拟阵列像素驱动的情况,通过比较开关延迟时间判断驱动效果并进行实验验证,发现当PMOS接入限流电阻驱动Micro-LED时,阻值越小,驱动效果越好,而且起到消除浪涌、限流分压的作用,但PMOS直接驱动Micro-LED比加入限流电阻的效果更好,PMOS驱动阵列Micro-LED相比于驱动单独Micro-LED开关损耗更小、驱动效果更好。 展开更多
关键词 光学器件 微型发光二极管 小尺寸效应 PMOS驱动 开关延迟时间
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植入式光电极器件发展 被引量:3
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作者 李亚民 王阳 +3 位作者 陈弘达 王毅军 刘媛媛 裴为华 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2020年第12期12-23,共12页
光遗传技术为神经科学研究提供了一种可精准、快速控制单个神经元活动的手段。为了对神经元实现光遗传调控,将光安全、高效地导入脑内,需要专门的光电极(Optrode)给予支持。光电极是光遗传工具应用的重要组成部分,其功能是把光导入脑内... 光遗传技术为神经科学研究提供了一种可精准、快速控制单个神经元活动的手段。为了对神经元实现光遗传调控,将光安全、高效地导入脑内,需要专门的光电极(Optrode)给予支持。光电极是光遗传工具应用的重要组成部分,其功能是把光导入脑内调控神经元活动,同时记录神经元电信号在光调控下变化情况的一种植入式神经接口器件。随着光遗传技术在神经环路、认知与记忆等神经科学研究中应用的深入,以及其在癫痫、感官功能损伤等疾病治疗方面的探索,与光遗传技术相配合的光电极从材料选择、器件结构、给光方式和集成工艺等方面都呈现出百花齐放的发展态势,本文将按照现有植入式光电极的结构特点,将光电极器件分成基于波导型和基于微发光二极管型两大类,论述不同类别光电极器件优缺点及演进方向,对未来植入式光电极的理想结构形态及亟待解决的问题进行了讨论和展望。 展开更多
关键词 光遗传 光电极 动作电位 光波导 微发光二极管
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用于提升可见光通信调制带宽的微尺寸LED性能研究 被引量:2
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作者 刘登飞 夏江 +3 位作者 罗云瀚 熊宇 吴昊 陈哲 《光通信技术》 2021年第8期23-28,共6页
基于白光发光二极管(LED)的可见光通信、照明两用系统近年来得到广泛的研究,然而普通LED性能制约了可见光通信调制带宽。为进一步提高LED的调制带宽,可采用微尺寸LED。简要阐述了提高LED调制带宽的方法,综述了近年来在优化可见光通信调... 基于白光发光二极管(LED)的可见光通信、照明两用系统近年来得到广泛的研究,然而普通LED性能制约了可见光通信调制带宽。为进一步提高LED的调制带宽,可采用微尺寸LED。简要阐述了提高LED调制带宽的方法,综述了近年来在优化可见光通信调制带宽的微尺寸LED性能方面的进展,指出了未来微尺寸LED的研究方向。 展开更多
关键词 可见光通信 微尺寸发光二极管 调制带宽
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微环发光二极管通信探测一体化研究
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作者 蒋燕 谢明远 +1 位作者 高绪敏 王永进 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第21期33-40,共8页
面向6G无线通信感知一体化技术,提出、制造并表征了基于GaN微环形状的多量子阱(MQW)二极管。基于二极管发光光谱和响应光谱重叠的物理现象,微环发光二极管(MR-LED)具有多功能性,可以同时发光探测,实现通信探测一体化。作为一个发光源,MR... 面向6G无线通信感知一体化技术,提出、制造并表征了基于GaN微环形状的多量子阱(MQW)二极管。基于二极管发光光谱和响应光谱重叠的物理现象,微环发光二极管(MR-LED)具有多功能性,可以同时发光探测,实现通信探测一体化。作为一个发光源,MR-LED能实现片外150 Mbit/s开关键控调制方式的数据传输。同时通过MATLAB软件处理,MR-LED能够实现光无线图像数据传输。作为接收端,无论MR-LED是否在发光状态,MR-LED在不同的偏置电压下都能检测自由空间光信号。MR-LED用于通信探测一体化,可实现空间全双工通信,促进微型高速可见光通信系统的发展。 展开更多
关键词 光通信 多层量子阱二极管 微环发光二极管 同时发光探测
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高成品率和平整度的GaN基Micro LED芯片激光剥离工艺的研究
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作者 岳龙 徐俞 +1 位作者 王建峰 徐科 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第5期805-811,共7页
使用波长248 nm的准分子激光器实现了GaN基微型发光二极管(Micro LED)的大面积激光剥离(LLO)。分离器件所需要的临界激光能量密度为800~835 mJ·cm^(-2),分离的器件完好无损,分离表面光滑,残余应力为0.0714 GPa,均方根粗糙度仅为0.5... 使用波长248 nm的准分子激光器实现了GaN基微型发光二极管(Micro LED)的大面积激光剥离(LLO)。分离器件所需要的临界激光能量密度为800~835 mJ·cm^(-2),分离的器件完好无损,分离表面光滑,残余应力为0.0714 GPa,均方根粗糙度仅为0.597 nm,远低于目前报道的LLO方法分离表面。该研究为实现高质量、高效率的GaN基Micro LED芯片的制备提供了一种有前景的思路,对柔性GaN基器件的制备具有一定意义。 展开更多
关键词 GAN 微型发光二极管 激光剥离 准分子激光器 成品率 平整度
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石墨烯晶体管优化制备工艺在单片集成驱动氮化镓微型发光二极管中的应用
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作者 苑营阔 郭伟玲 +6 位作者 杜在发 钱峰松 柳鸣 王乐 徐晨 严群 孙捷 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第19期199-207,共9页
在显示领域,微型发光二极管(micro-LED)潜力巨大,有望引领下一代新型显示技术的发展方向,其显示性能在很多方面优于现有的液晶、有机发光二极管(OLED),但巨量的micro-LED像素点与驱动电路不在同一晶圆上制备,面临巨量转移的技术瓶颈.本... 在显示领域,微型发光二极管(micro-LED)潜力巨大,有望引领下一代新型显示技术的发展方向,其显示性能在很多方面优于现有的液晶、有机发光二极管(OLED),但巨量的micro-LED像素点与驱动电路不在同一晶圆上制备,面临巨量转移的技术瓶颈.本文将新兴的石墨烯场效应晶体管作为驱动元件与氮化镓(GaN)micro-LED进行单片集成,因为二者直接制备于同一衬底上,所以从根源上规避了巨量转移的技术难题.此外,传统光刻工艺中紫外光刻胶直接接触石墨烯,会引入严重掺杂导致场效应晶体管性能较差,进而影响集成器件性能.本文提出了一种利用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)薄膜作为保护层,直接旋涂紫外光刻胶进行垫层光刻的全新工艺方法,优化了石墨烯场效应晶体管制备工艺.首先在分立的石墨烯场效应晶体管中进行验证,相比于没有进行PMMA薄膜保护的器件,采用新工艺制备的石墨烯器件狄拉克点的栅极电压(V_(g))距零点的偏差降低了22 V,载流子迁移率提升了32%.此外,将新工艺应用到集成器件制备后,发现集成器件性能得到了大幅提升.利用此新技术,由于有PMMA的保护,紫外光刻胶不再与敏感的石墨烯沟道直接接触.掺杂效应和随之而来的器件性能下降被有效扼制.因为此技术简便而廉价,所以也可应用到石墨烯之外的其他二维材料中,例如MoS2和h-BN,有望对本领域的器件工程师产生一定的参考价值. 展开更多
关键词 石墨烯 氮化镓 微型发光二极管 聚甲基丙烯酸甲酯
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高度集成的μLED显示技术研究进展 被引量:17
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作者 严子雯 严群 +5 位作者 李典伦 张永爱 周雄图 叶芸 郭太良 孙捷 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第10期1309-1317,共9页
微型发光二极管(μLED)是当今国际最前沿的显示技术之一,它一般指单个尺寸小于50μm的LED阵列。μLED相对于液晶显示(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示等技术有其独特的优势:寿命长、响应时间短、亮度高。最重要的是,它可以实现高度集成... 微型发光二极管(μLED)是当今国际最前沿的显示技术之一,它一般指单个尺寸小于50μm的LED阵列。μLED相对于液晶显示(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示等技术有其独特的优势:寿命长、响应时间短、亮度高。最重要的是,它可以实现高度集成显示,既包括像素密度远远高于常规显示技术的高PPI显示器件,也包括我们首次提出的集成了某些非显示元件的超大规模集成半导体信息显示器件(HISID)。在许多显示技术的指标上,μLED的性能都很优异。但是,由于μLED将常规LED器件的尺寸大大缩小,且往往密度提高,因此产生了许多新的技术和物理上的挑战,例如巨量转移技术、全彩化显示等,所以μLED尚未实现真正意义上的产业化。本文对高度集成μLED显示技术的研究和发展情况进行了较系统的论述,首先对μLED的基本原理和结构进行了介绍,然后对其重点核心技术进行了分类研究和点评,最后对μLED显示技术的发展方向及其应用前景做出了分析。 展开更多
关键词 微型发光二极管(μLED) 驱动 巨量转移 全彩化 高度集成
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3175 PPI AlGaInP基红光Micro-LED及其CMOS驱动背板的凸点制备与键合
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作者 郭成龙 王学燕 +7 位作者 周毅坚 朱学奇 鄢支兵 杨天溪 李晋 李洋 孙捷 严群 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第32期4773-4782,共10页
为了进一步推动微发光二极管(micro light emitting diode, Micro-LED)显示技术的发展进程,本文提出并优化了一种将红光Micro-LED芯片转移至互补金属氧化物(complementary metal oxide semiconductor, CMOS)驱动背板上并与之键合的方案... 为了进一步推动微发光二极管(micro light emitting diode, Micro-LED)显示技术的发展进程,本文提出并优化了一种将红光Micro-LED芯片转移至互补金属氧化物(complementary metal oxide semiconductor, CMOS)驱动背板上并与之键合的方案.首先,将制备好阴阳电极的红光Micro-LED芯片由GaAs衬底通过苯并环丁烯(benzocyclobutene, BCB)胶转移至蓝宝石衬底,避免了GaAs衬底对红光的吸收,并提高了衬底的硬度.接着,在转移衬底后的红光Micro-LED芯片上制备铟凸点.在进行CMOS芯片表面绝缘层的刻蚀工艺时,针对不同厚度的绝缘层采用了不同的处理方法.在刻蚀较厚绝缘层时,通过增加额外的电感耦合等离子体(inductively coupled plasma, ICP)刻蚀步骤来替代氧等离子体清洗,解决了光刻存在的残胶问题以及氧等离子体清洗导致的孔径变大问题.最后,我们在0.7英寸(1 in=2.54 cm)的CMOS芯片上制备好2.23μm高的金属凸点并将其与带有铟凸点的红光Micro-LED芯片键合,成功制备了像素周期为8μm、分辨率为1920×1080、像素密度为3175 ppi的Micro-LED显示样机,通过CMOS芯片驱动Micro-LED芯片可显示指定图案.该工作对于高像素密度、高分辨率的CMOS驱动背板凸点制备及键合工艺,以及红光Micro-LED显示器的制备有着重要的参考价值,对推动Micro-LED实用化作出了贡献. 展开更多
关键词 微发光二极管 互补金属氧化物 凸点 刻蚀 键合
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Mini/Micro LED巨量转移关键技术与装备研究现状 被引量:1
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作者 汤晖 廖智燊 +3 位作者 魏玉章 林志杭 董志强 张晓辉 《振动.测试与诊断》 EI CSCD 北大核心 2023年第5期839-849,1033,共12页
微型半导体发光二极管显示技术(mini/micro light emitting diode,简称Mini/Micro LED)是一种基于微型LED芯片的自发光显示技术,相较于液晶显示技术(liquid crystal display,简称LCD)和有机发光二极管显示技术(organic light‑emitting d... 微型半导体发光二极管显示技术(mini/micro light emitting diode,简称Mini/Micro LED)是一种基于微型LED芯片的自发光显示技术,相较于液晶显示技术(liquid crystal display,简称LCD)和有机发光二极管显示技术(organic light‑emitting diode,简称OLED),具有显著性能优势,被视为次世代显示技术的发展趋势。由于巨量转移技术与装备的限制,Mini/Micro LED显示设备尚未实现大规模量产。针对此问题,首先,根据现有Mini/Micro LED巨量转移工艺方法的不同工作原理,总结了3种主要工艺方法,即接触式微转印技术、非接触式激光转移技术和自组装转移技术;其次,调研了现有Mini/Micro LED巨量转移工艺方法中涉及到的技术与装备,归纳了其中的通用关键技术,即高速高精对位和视觉检测;然后,针对上述关键技术挑战,围绕Mini/Micro LED新型显示装备若干关键技术与典型设备集成开发介绍了笔者的前期研究工作;最后,讨论了实现Mini/Micro LED大规模量产中存在的问题及发展方向。 展开更多
关键词 微型半导体发光二极管显示技术 巨量转移 显示半导体装备 高速高精对位 振动抑制
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Micro LED显示技术的专利分析
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作者 王娜 刘雪莲 《通信电源技术》 2023年第5期226-228,共3页
微发光二极管(Micro Light Emitting Diode,Micro LED)显示技术被誉面向未来的“终极显示技术”,是近年来国内外企业的研发热点。中国也在Micro LED显示技术方面进行了大量的专利布局。针对Micro LED显示技术进行了专利分析,通过分析可... 微发光二极管(Micro Light Emitting Diode,Micro LED)显示技术被誉面向未来的“终极显示技术”,是近年来国内外企业的研发热点。中国也在Micro LED显示技术方面进行了大量的专利布局。针对Micro LED显示技术进行了专利分析,通过分析可以看出,国内创新主体虽然在专利申请数量上处于全球领先地位,但是从重点专利数量上来看中国创新主体在芯片微缩、面板制造及应用环节占据一定地位,而对于巨量转移、全彩显示领域技术需要加大研发。 展开更多
关键词 微发光二极管(micro LED) 显示 专利分析
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