利用0.35μm工艺条件实现了性能优良的小尺寸全耗尽的器件硅绝缘体技术(SOI)互补金属氧化物半导体(FD SOI CMOS)器件,器件制作采用双多晶硅栅工艺、低掺杂浓度源/漏(LDD)结构以及突起的源漏区。这种结构的器件防止漏的击穿,减小短沟道效...利用0.35μm工艺条件实现了性能优良的小尺寸全耗尽的器件硅绝缘体技术(SOI)互补金属氧化物半导体(FD SOI CMOS)器件,器件制作采用双多晶硅栅工艺、低掺杂浓度源/漏(LDD)结构以及突起的源漏区。这种结构的器件防止漏的击穿,减小短沟道效应(SCE)和漏感应势垒降低效应(DIBL);突起的源漏区增加了源漏区的厚度并减小源漏区的串联电阻,增强了器件的电流驱动能力。设计了101级环形振荡器电路,并对该电路进行测试与分析。根据在3V工作电压下环形振荡器电路的振荡波形图,计算出其单级门延迟时间为45ps,远小于体硅CMOS的单级门延迟时间。展开更多
采用旋转涂覆法在被氧化的硅基底片上形成掺铝氧化锌(AZO)薄膜,再经过真空烘干后制成AZO-Si O2-Si金属氧化物-氧化物-半导体材料样品。使用波长785 nm、功率5 m W的激光在二维方向上扫描样品,绘制出侧向光伏与激光照射点的关系曲线图,...采用旋转涂覆法在被氧化的硅基底片上形成掺铝氧化锌(AZO)薄膜,再经过真空烘干后制成AZO-Si O2-Si金属氧化物-氧化物-半导体材料样品。使用波长785 nm、功率5 m W的激光在二维方向上扫描样品,绘制出侧向光伏与激光照射点的关系曲线图,研究其二维侧向光伏效应。激光沿一定轨迹扫描金属氧化物-氧化物-半导体结构样品后,利用Origin软件将测得的实验数据拟合成实验结果图。为了更深层次的研究AZO-Si O2-Si结构中的侧向光伏效应,根据电子跃迁、载流子扩散和能带结构理论,结合前人的研究成果建立物理模型。研究显示,作为一种新型的高精度传感器,样品电极点连线区间内测得的侧向光伏曲线灵敏度为90.35 m V·mm-1、线性相关系数为0.9987,因而AZO-Si O2-Si结构可以用作高精度位移传感器(PSD)。实验结果显示激光扫描线偏离电极连线时,线性相关系数和灵敏度都会减小。在垂直于电极连线方向上,虽然侧向光伏曲线没有良好的线性相关性和较高的灵敏度,却具有高度的对称性,AZO-Si O2-Si结构可以用作距离校准传感器(RCD)。展开更多
基于垂直双扩散金属氧化物(VDMOS)场效应晶体管终端场限环(FLR)与场板(FP)理论,在场限环上依次添加金属场板与多晶硅场板,并通过软件仿真对其进行参数优化,最终实现了一款700 V VDMOS终端结构的优化设计。对比场限环终端结构,金属场板...基于垂直双扩散金属氧化物(VDMOS)场效应晶体管终端场限环(FLR)与场板(FP)理论,在场限环上依次添加金属场板与多晶硅场板,并通过软件仿真对其进行参数优化,最终实现了一款700 V VDMOS终端结构的优化设计。对比场限环终端结构,金属场板与多晶硅复合场板的终端结构,能够更加有效地降低表面电场峰值,增强环间耐压能力,从而减少场限环个数并增大终端击穿电压。终端有效长度仅为145μm,击穿电压能够达到855.0 V,表面电场最大值为2.0×105V/cm,且分布比较均匀,终端稳定性和可靠性高。此外,没有增加额外掩膜和其他工艺步骤,工艺兼容性好,易于实现。展开更多
文摘利用0.35μm工艺条件实现了性能优良的小尺寸全耗尽的器件硅绝缘体技术(SOI)互补金属氧化物半导体(FD SOI CMOS)器件,器件制作采用双多晶硅栅工艺、低掺杂浓度源/漏(LDD)结构以及突起的源漏区。这种结构的器件防止漏的击穿,减小短沟道效应(SCE)和漏感应势垒降低效应(DIBL);突起的源漏区增加了源漏区的厚度并减小源漏区的串联电阻,增强了器件的电流驱动能力。设计了101级环形振荡器电路,并对该电路进行测试与分析。根据在3V工作电压下环形振荡器电路的振荡波形图,计算出其单级门延迟时间为45ps,远小于体硅CMOS的单级门延迟时间。
文摘采用旋转涂覆法在被氧化的硅基底片上形成掺铝氧化锌(AZO)薄膜,再经过真空烘干后制成AZO-Si O2-Si金属氧化物-氧化物-半导体材料样品。使用波长785 nm、功率5 m W的激光在二维方向上扫描样品,绘制出侧向光伏与激光照射点的关系曲线图,研究其二维侧向光伏效应。激光沿一定轨迹扫描金属氧化物-氧化物-半导体结构样品后,利用Origin软件将测得的实验数据拟合成实验结果图。为了更深层次的研究AZO-Si O2-Si结构中的侧向光伏效应,根据电子跃迁、载流子扩散和能带结构理论,结合前人的研究成果建立物理模型。研究显示,作为一种新型的高精度传感器,样品电极点连线区间内测得的侧向光伏曲线灵敏度为90.35 m V·mm-1、线性相关系数为0.9987,因而AZO-Si O2-Si结构可以用作高精度位移传感器(PSD)。实验结果显示激光扫描线偏离电极连线时,线性相关系数和灵敏度都会减小。在垂直于电极连线方向上,虽然侧向光伏曲线没有良好的线性相关性和较高的灵敏度,却具有高度的对称性,AZO-Si O2-Si结构可以用作距离校准传感器(RCD)。
文摘基于垂直双扩散金属氧化物(VDMOS)场效应晶体管终端场限环(FLR)与场板(FP)理论,在场限环上依次添加金属场板与多晶硅场板,并通过软件仿真对其进行参数优化,最终实现了一款700 V VDMOS终端结构的优化设计。对比场限环终端结构,金属场板与多晶硅复合场板的终端结构,能够更加有效地降低表面电场峰值,增强环间耐压能力,从而减少场限环个数并增大终端击穿电压。终端有效长度仅为145μm,击穿电压能够达到855.0 V,表面电场最大值为2.0×105V/cm,且分布比较均匀,终端稳定性和可靠性高。此外,没有增加额外掩膜和其他工艺步骤,工艺兼容性好,易于实现。
