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动态死区抑制MOSFET反向恢复电流的研究
被引量：
3
1
作者
李思奇
郭犇
蒋晓华
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2010年第7期91-93,共3页
功率MOSFET器件组成桥臂式拓扑结构时,由于其内部寄生的二极管反向恢复特性较差,开关过程将产生较大的反向恢复电流,引起关断电压尖峰以及漏源极和栅源极之间的振荡。分析了桥臂上下管死区大小与反向恢复电流之间的关系,提出通过动态优...
功率MOSFET器件组成桥臂式拓扑结构时,由于其内部寄生的二极管反向恢复特性较差,开关过程将产生较大的反向恢复电流,引起关断电压尖峰以及漏源极和栅源极之间的振荡。分析了桥臂上下管死区大小与反向恢复电流之间的关系,提出通过动态优化死区来减小反向恢复电流的方法。给出了死区与反向恢复电流关系的初步仿真结果,并基于两种不同反向恢复特性的MOSFET器件进行了实验研究。仿真和实验结果表明,使用动态死区可有效抑制MOSFET器件的反向恢复电流,并减小由反向恢复引起的开关损耗以及关断电压的尖峰和振荡。
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关键词
金属氧化物半导体器件
反向恢复电流
动态死区控制
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职称材料
PMOSFET的动态NBTI效应模型研究
2
作者
李斌
宋芳芳
+1 位作者
解江
章晓文
《华中科技大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第12期24-27,共4页
为了能够准确地预测器件的寿命,研究了PMOSFET中的动态负偏压温度不稳定性效应(NBTI)模型.在静态NBTI效应模型及反应-扩散模型(R-D)的基础上,推导出动态NBTI应力下界面陷阱电荷模型,其与占空比成指数关系.考虑到占空比对器件NBTI效应的...
为了能够准确地预测器件的寿命,研究了PMOSFET中的动态负偏压温度不稳定性效应(NBTI)模型.在静态NBTI效应模型及反应-扩散模型(R-D)的基础上,推导出动态NBTI应力下界面陷阱电荷模型,其与占空比成指数关系.考虑到占空比对器件NBTI效应的影响,推导出动态NBTI应力下阈值电压退化模型.通过实验所得到的器件退化数据和仿真数据进行比较分析,证明了阈值电压漂移量随着占空比近似按照指数规律变化,与模型相符合,可以预测器件交流应力的实际寿命.
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关键词
负偏压温度不稳定性效应
可靠性
阈值电压漂移
占空比
寿命
P金属氧化物半导体场效应晶体管
原文传递
题名
动态死区抑制MOSFET反向恢复电流的研究
被引量：
3
1
作者
李思奇
郭犇
蒋晓华
机构
清华大学
出处
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2010年第7期91-93,共3页
基金
台达电力电子科教发展基金~~
文摘
功率MOSFET器件组成桥臂式拓扑结构时,由于其内部寄生的二极管反向恢复特性较差,开关过程将产生较大的反向恢复电流,引起关断电压尖峰以及漏源极和栅源极之间的振荡。分析了桥臂上下管死区大小与反向恢复电流之间的关系,提出通过动态优化死区来减小反向恢复电流的方法。给出了死区与反向恢复电流关系的初步仿真结果,并基于两种不同反向恢复特性的MOSFET器件进行了实验研究。仿真和实验结果表明,使用动态死区可有效抑制MOSFET器件的反向恢复电流,并减小由反向恢复引起的开关损耗以及关断电压的尖峰和振荡。
关键词
金属氧化物半导体器件
反向恢复电流
动态死区控制
Keywords
metal
-
oxide
-
semiconduction
field
-
effect
transistor
reverse
recovery
current
dynamic
dead
time
control
分类号
TM386.1 [电气工程—电机]
下载PDF
职称材料
题名
PMOSFET的动态NBTI效应模型研究
2
作者
李斌
宋芳芳
解江
章晓文
机构
华南理工大学电子与信息学院
工业与信息化部电子第五研究所
出处
《华中科技大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第12期24-27,共4页
基金
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金(9140C0301030901)
文摘
为了能够准确地预测器件的寿命,研究了PMOSFET中的动态负偏压温度不稳定性效应(NBTI)模型.在静态NBTI效应模型及反应-扩散模型(R-D)的基础上,推导出动态NBTI应力下界面陷阱电荷模型,其与占空比成指数关系.考虑到占空比对器件NBTI效应的影响,推导出动态NBTI应力下阈值电压退化模型.通过实验所得到的器件退化数据和仿真数据进行比较分析,证明了阈值电压漂移量随着占空比近似按照指数规律变化,与模型相符合,可以预测器件交流应力的实际寿命.
关键词
负偏压温度不稳定性效应
可靠性
阈值电压漂移
占空比
寿命
P金属氧化物半导体场效应晶体管
Keywords
negative
bias
temperature
instability
effect
reliability
threshold
voltage
shift
duty
cycle
lifetime
P-
metal
oxide
semiconduct
er
field
effect
transistor
（PMOSFET）
分类号
TN306 [电子电信—物理电子学]
TN386.1
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
动态死区抑制MOSFET反向恢复电流的研究
李思奇
郭犇
蒋晓华
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2010
3
下载PDF
职称材料
2
PMOSFET的动态NBTI效应模型研究
李斌
宋芳芳
解江
章晓文
《华中科技大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
0
原文传递
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