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题名弛豫半导体的表征与应用研究进展
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作者
余竞一
介万奇
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机构
西北工业大学材料学院辐射探测材料与器件工信部重点实验室
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出处
《中国材料进展》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第11期848-854,879,共8页
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文摘
介电弛豫时间大于载流子寿命的半导体为弛豫半导体,反之为寿命半导体。因为介电弛豫时间正比于电阻率,所以弛豫半导体一般为高阻半导体,例如补偿半导体、非晶半导体或低温下的半导体。在弛豫半导体中,由于材料恢复电中性的过程慢于载流子浓度恢复质量作用定律的过程,所以必须考虑空间电荷,包括自由电荷和陷阱所带电荷,对载流子输运的影响。少子注入会导致弛豫半导体多子耗尽、寿命半导体多子增加;中性注入会导致弛豫半导体电子空穴分离、寿命半导体发生双极性输运。弛豫半导体的多子耗尽现象可用电流-电压测试和交流响应测试进行表征,发现其电流-电压特性由低电压下的扩展线性区和高电压下的超线性区构成,且受陷阱浓度影响。使用载流子动力学测试可直接观察到弛豫半导体中光注入电子和空穴的分离现象。弛豫半导体独特的电学性质在辐射探测器、抗辐照器件、光电导开关、温度传感器等领域有广阔的应用价值。
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关键词
弛豫半导体
寿命半导体
介电弛豫
少子注入
多子耗尽效应
光生载流子分离
双极性输运
电流-电压测试
辐射探测器
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Keywords
relaxation semiconductor
lifetime semiconductor
dielectric relaxation
minority carrier injection
majority carrier depletion
photocarrier separation
ambipolar transport
current-voltage test
radiation detector
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分类号
O473
[理学—半导体物理]
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