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Emergent quantum phenomena in atomically engineered iridate heterostructures
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作者 Lin Hao Di Yi +2 位作者 Meng Wang Jian Liu Pu Yu 《Fundamental Research》 CAS CSCD 2023年第3期313-321,共9页
Over the last few years,researches in iridates have developed into an exciting field with the discovery of numerous emergent phenomena,interesting physics,and intriguing functionalities.Among the studies,iridate-based... Over the last few years,researches in iridates have developed into an exciting field with the discovery of numerous emergent phenomena,interesting physics,and intriguing functionalities.Among the studies,iridate-based artificial structures play a crucial role owing to their extreme flexibility and tunability in lattice symmetry,chemical composition,and crystal dimensionality.In this article,we present an overview of the recent progress regarding iridate-based artificial structures.We first explicitly introduce several essential concepts in iridates.Then,we illustrate important findings on representative SrIrO_(3)/SrTiO_(3) superlattices,heterostructures comprised of SrIrO3 and magnetic oxides,and their response to external electric-field stimuli.Finally,we comment on existing problems and promising future directions in this exciting field. 展开更多
关键词 Iridate Spin-orbit coupling Many-body physics Artificial crystalline structure MAGNETISM magnetotransport property Ionic liquid gating
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Co-C纳米复合薄膜的微结构、磁性能和磁输运特性
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作者 唐瑞鹤 杨志刚 +3 位作者 张弛 杨白 刘晓芳 于荣海 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期469-474,共6页
采用磁控溅射法在硅基片上制备了Co原子分数为13.0%的Co-C纳米复合薄膜.在真空条件下,对薄膜进行退火处理,退火温度从473K逐步提高至773K,保温时间30min.形貌观察表明,未经退火处理的薄膜中,Co颗粒均匀分布在非晶C基体中,Co颗粒尺寸为1.... 采用磁控溅射法在硅基片上制备了Co原子分数为13.0%的Co-C纳米复合薄膜.在真空条件下,对薄膜进行退火处理,退火温度从473K逐步提高至773K,保温时间30min.形貌观察表明,未经退火处理的薄膜中,Co颗粒均匀分布在非晶C基体中,Co颗粒尺寸为1.5-3.0nm;673K退火后,Co颗粒尺寸增大.磁性能测试表明,未经退火处理的薄膜磁性较弱,随着退火温度升高,薄膜的磁化强度和矫顽力均明显增大;当退火温度增加至673—773K时,薄膜呈现出低温铁磁性、室温超顺磁性的典型颗粒体系磁性特征.磁输运特性研究表明,未经退火处理的薄膜在温度为4.2K,磁场为3980kA/m时表现出1.33%的负磁电阻,随着退火温度升高,样品磁电阻值下降;电阻与温度关系在4.2—60K范围内符合lnR-T^(-1/4)线性关系,磁输运遵循变程跳跃(variable range hopping)传导机制. 展开更多
关键词 Co-C纳米复合薄膜 退火 微结构 磁输运特性 磁性能
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Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结二维电子气磁输运性质研究(英文)
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作者 郑泽伟 沈波 +11 位作者 刘杰 周慧梅 钱悦 张荣 施毅 郑有火斗 蒋春萍 郭少令 郑国珍 褚君浩 Someya T Arakawa Y 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第z1期67-70,共4页
在 1 5K低温和 0~ 9T的高磁场下研究了AlGaG/GaN异质结二维电子气的磁输运性质。实验结果在 4块样品中都观察到了Shubnikov daHass振荡的双周期行为。表明异质结的三角势阱中有两个子带被电子占据。通过电子子带占据时电子浓度分配的... 在 1 5K低温和 0~ 9T的高磁场下研究了AlGaG/GaN异质结二维电子气的磁输运性质。实验结果在 4块样品中都观察到了Shubnikov daHass振荡的双周期行为。表明异质结的三角势阱中有两个子带被电子占据。通过电子子带占据时电子浓度分配的线形行为得到第二子带被占据的阈值浓度为 7 2× 1 0 12 cm-2 。通过对不同样品量子散射时间和输运迁移率的研究 ,说明在 1 5K下远程离化施主散射在量子散射时间中起主要作用。 展开更多
关键词 磁传输特性 二维电子气 AlxG1-xN/GaN
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AlxGa1-xN/GaN异质结二维电子气磁输运性质研究(英文)
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作者 郑泽伟 沈波 +11 位作者 刘杰 周慧梅 钱悦 张荣 施毅 郑有炓 蒋春萍 郭少令 郑国珍 褚君浩 Someya T Arakawa Y 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第S1期67-70,共4页
在 1 5K低温和 0~ 9T的高磁场下研究了AlGaG/GaN异质结二维电子气的磁输运性质。实验结果在 4块样品中都观察到了Shubnikov daHass振荡的双周期行为。表明异质结的三角势阱中有两个子带被电子占据。通过电子子带占据时电子浓度分配的... 在 1 5K低温和 0~ 9T的高磁场下研究了AlGaG/GaN异质结二维电子气的磁输运性质。实验结果在 4块样品中都观察到了Shubnikov daHass振荡的双周期行为。表明异质结的三角势阱中有两个子带被电子占据。通过电子子带占据时电子浓度分配的线形行为得到第二子带被占据的阈值浓度为 7 2× 1 0 12 cm-2 。通过对不同样品量子散射时间和输运迁移率的研究 ,说明在 1 5K下远程离化施主散射在量子散射时间中起主要作用。 展开更多
关键词 磁传输特性 二维电子气 AlxG1-xN/GaN
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