期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
P^+πN^+器件压磁电效应的研究
被引量：
6
1
作者
温殿忠
邱成军
庄玉光
《传感技术学报》
CAS
CSCD
1996年第2期10-15,共6页
用载流子连续方程研究了一个侧面设置高复合区的双注入P^+πN^+器件的压磁电效应,给出了伏安特性与压力和磁场强度的函数关系.结果表明,当四个P^+πN^+器件在“基区”两两垂直组成惠斯登电桥,制造在C型硅杯的硅膜片上,不但具有较高的压...
用载流子连续方程研究了一个侧面设置高复合区的双注入P^+πN^+器件的压磁电效应,给出了伏安特性与压力和磁场强度的函数关系.结果表明,当四个P^+πN^+器件在“基区”两两垂直组成惠斯登电桥,制造在C型硅杯的硅膜片上,不但具有较高的压力灵敏度和磁灵敏度,而且可以用来测量磁场的旋转角度.据此,提出了一种新的具有良好工作稳定性及较高灵敏度的压/磁敏感器件.
展开更多
关键词
P^+πN^+器件
压磁电效应
敏感器件
下载PDF
职称材料
题名
P^+πN^+器件压磁电效应的研究
被引量：
6
1
作者
温殿忠
邱成军
庄玉光
机构
黑龙江大学信息电子科学系
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
1996年第2期10-15,共6页
基金
黑龙江省自然科学基金资助项目
文摘
用载流子连续方程研究了一个侧面设置高复合区的双注入P^+πN^+器件的压磁电效应,给出了伏安特性与压力和磁场强度的函数关系.结果表明,当四个P^+πN^+器件在“基区”两两垂直组成惠斯登电桥,制造在C型硅杯的硅膜片上,不但具有较高的压力灵敏度和磁灵敏度,而且可以用来测量磁场的旋转角度.据此,提出了一种新的具有良好工作稳定性及较高灵敏度的压/磁敏感器件.
关键词
P^+πN^+器件
压磁电效应
敏感器件
Keywords
P+πN+
device
tensoresistive
effect
magneto
-
resistance
effectpressure
-
magnetoelectric
effect
structure
of
type
Si-Cup
分类号
TN379 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
P^+πN^+器件压磁电效应的研究
温殿忠
邱成军
庄玉光
《传感技术学报》
CAS
CSCD
1996
6
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
