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120 GHz GaAs MMIC双平衡式基尔伯特混频器 被引量：1
1
作者 张亮 陈凤军 +4 位作者 罗显虎 韩江安 程序 成彬彬 邓贤进 《太赫兹科学与电子信息学报》 北大核心 2019年第2期179-183,共5页
作为低频段混频电路中的典型拓扑结构,基尔伯特单元在毫米波、太赫兹领域的应用较少,在Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单片微波集成电路(MMIC)设计中,超过100 GHz的基尔伯特混频器很少有文献报导。基于70 nmGaAsmHEMT工艺,设计了一款120 GHz的双... 作为低频段混频电路中的典型拓扑结构,基尔伯特单元在毫米波、太赫兹领域的应用较少,在Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单片微波集成电路(MMIC)设计中,超过100 GHz的基尔伯特混频器很少有文献报导。基于70 nmGaAsmHEMT工艺,设计了一款120 GHz的双平衡式基尔伯特混频器,同时对该混频器版图结构进行优化改进,提升了混频器中频差分输出端口间的平衡度。仿真结果显示该混频器在本振输入0 dBm功率时,在100～135 GHz频率范围内有(-7.6±1.5) dB的变频损耗,射频输入1 dB压缩点为0 dBm@120 GHz,中频输出带宽大于10 GHz,差分输出信号间的功率失配<1 dB,相位失配<4°。该芯片直流功耗为90 mW,面积为1.5 mm×1.5 mm。 展开更多
关键词 双平衡式基尔伯特混频器 GAAS mhemt工艺 单片微波集成电路
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