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基于0.18μm CMOS工艺的低温漂低功耗延时电路
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作者 陆兆俊 涂波 +1 位作者 徐玉婷 杨煜 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第3期257-262,共6页
基于0.18μm CMOS工艺设计了一款低温漂延时电路,适用于不能使用锁相环电路又对信号传输精度有要求的低功耗传感检测应用。采用正温度系数的偏置电压,通过电流镜为延时电路提供一个正温度系数的偏置电流,利用偏置电流约束电路的延时温漂... 基于0.18μm CMOS工艺设计了一款低温漂延时电路,适用于不能使用锁相环电路又对信号传输精度有要求的低功耗传感检测应用。采用正温度系数的偏置电压,通过电流镜为延时电路提供一个正温度系数的偏置电流,利用偏置电流约束电路的延时温漂,实现温漂粗调。采用数字时间转换器,通过外部输入配置,对粗调后的延时进行动态细调,使得延时电路具有更高的动态稳定性和更低的温漂特性。电路测试结果表明,在3.3 V的电源电压下,-55~125℃内延时电路的温度系数为125×10^(-6)/℃,静态功耗仅为0.72 mW。 展开更多
关键词 低温漂 延时电路 数字时间转换器 低功耗 模拟集成电路
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