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化学机械抛光过程低k/铜表面材料去除机制及损伤机制研究进展 被引量：2
1
作者 司丽娜 刘万宁 +3 位作者 吴锐奇 阎红娟 杨晔 张淑婷 《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2021年第4期135-139,146,共6页
针对低k介质/铜表面在平坦化加工中极易造成材料界面剥离、互连线损伤和表面不平整等问题,国内外学者对CMP过程中的材料去除机制以及损伤机制开展了大量的研究工作。对集成电路平坦化工艺——化学机械抛光过程中低k介质/铜界面的力学行... 针对低k介质/铜表面在平坦化加工中极易造成材料界面剥离、互连线损伤和表面不平整等问题,国内外学者对CMP过程中的材料去除机制以及损伤机制开展了大量的研究工作。对集成电路平坦化工艺——化学机械抛光过程中低k介质/铜界面的力学行为和摩擦损伤特性研究进展进行综述,介绍异质表面的材料去除行为及去除理论研究现状;展望了化学机械抛光过程低k介质/铜表面去除机制研究的研究趋势,即通过对异质界面的分子原子迁移行为研究,揭示异质表面的微观材料去除机制及损伤形成机制,最终寻找到异质表面平坦化及损伤控制方法。 展开更多
关键词 化学机械抛光 low-k材料 异质表面 材料去除机制 损伤机制
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BEOL工艺统合Integration——low-k Dual/Damascene的形成
2
作者 LI-Hung Chen Takashi Hayakawa +1 位作者 Kaoru Maekawa Kouichiro Inazawa 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期77-78,73,共3页
关键词 BEOL工艺 Dual/Damascene low-k材料 SOD沉淀 蚀刻技术
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