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高效率E波段空间行波管的互作用研究
1
作者
何俊
邹峰
+2 位作者
曹林林
李现霞
孙宇辉
《微波学报》
CSCD
北大核心
2018年第A02期349-351,共3页
以高效率为优化目标,对E波段折叠行波管的注-波互作用进行设计。采用螺旋线行波管设计中成熟的双渐变技术,对E波段折叠波导行波管的互作用进行优化设计和改进,从设计结果可知:在中心频点75GHz处,输出功率为55.38W,电子效率为10.98%,比...
以高效率为优化目标,对E波段折叠行波管的注-波互作用进行设计。采用螺旋线行波管设计中成熟的双渐变技术,对E波段折叠波导行波管的互作用进行优化设计和改进,从设计结果可知:在中心频点75GHz处,输出功率为55.38W,电子效率为10.98%,比均匀周期方案的电子效率提高了约65%。此结果满足E波段空间行波管设计的要求,相关的实验测试正在进行中。
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关键词
高效率
低电压
空间行波管
E波段
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职称材料
低电压下静电力驱动的数字微流控芯片
被引量：
6
2
作者
刘翔
皋华敏
+2 位作者
李铁
周萍
王跃林
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期97-102,共6页
设计并制作了一种基于静电力驱动的数字微流控芯片,用于构建芯片实验室。介绍了静电力驱动原理和芯片制作工艺流程,搭建了驱动检测实验平台。该芯片采用硅作衬底,氧化硅作绝缘层,TiW/Au为驱动电极阵列,氮化硅作介质层,碳氟聚合物为疏水...
设计并制作了一种基于静电力驱动的数字微流控芯片,用于构建芯片实验室。介绍了静电力驱动原理和芯片制作工艺流程,搭建了驱动检测实验平台。该芯片采用硅作衬底,氧化硅作绝缘层,TiW/Au为驱动电极阵列,氮化硅作介质层,碳氟聚合物为疏水层。由于采用开放式的结构,只需单层共平面控制电极,简化了工艺流程,优化了器件结构;而驱动电极阵列嵌入在氧化硅中,改善了减小介质层厚度时介质层对金属的台阶覆盖性,减少了电极边沿突起引起的边界击穿。另外,采用较薄的高质量介质层和疏水性能好的疏水膜层,大大降低了液滴驱动电压。实验显示,在20 V驱动电压下,该工艺可实现液滴按程序设定方式在二维平面内流畅运动,最大运动速度达96 mm/s。提出的芯片制作工艺简单,与IC工艺兼容,可应用于生化分析芯片实验室系统。
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关键词
微流控芯片
液滴
静电驱动
低工作电压
开放式结构
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职称材料
CMOS亚阈偏置恒流源的分析与设计
被引量：
3
3
作者
张春华
常昌远
《电子工程师》
2007年第1期12-13,34,共3页
由于IC芯片设计普遍采用全局偏置技术,偏置电路的稳定性对整个电路的性能有较大影响。文中利用MOS管工作在亚阈值区的偏置判断条件,分析了一种基于VT的工作在亚阈值区的偏置电流源,能够满足提供较小工作电流、低功耗的要求,同时对电源...
由于IC芯片设计普遍采用全局偏置技术,偏置电路的稳定性对整个电路的性能有较大影响。文中利用MOS管工作在亚阈值区的偏置判断条件,分析了一种基于VT的工作在亚阈值区的偏置电流源,能够满足提供较小工作电流、低功耗的要求,同时对电源变化敏感度极低,在电源电压0.7 V^5 V变化时输出电流仅变化不到0.9%。整个电路采用CSMC 0.6μm双层多晶硅双层金属标准工艺实现,采用Cadence Spectre进行模拟仿真,仿真结果证明了该电流源具有低功耗和高电源抑制比特性。
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关键词
亚阈区偏置
低功耗
低工作电压
恒流源
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职称材料
高电源噪声抑制比带隙基准源设计
4
作者
吴丽丽
《华侨大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2012年第3期265-268,共4页
采用CSMC 0.35μm工艺,通过在电源和带隙基准源电路间插入电流源缓冲级的方法,设计提高带隙基准源电源噪声抑制能力的带隙基准源.在最低工作电压不变的情况下,所设计的带隙基准电源大幅度提高了电路的电源抑制比,且功耗低.仿真结果表明...
采用CSMC 0.35μm工艺,通过在电源和带隙基准源电路间插入电流源缓冲级的方法,设计提高带隙基准源电源噪声抑制能力的带隙基准源.在最低工作电压不变的情况下,所设计的带隙基准电源大幅度提高了电路的电源抑制比,且功耗低.仿真结果表明:电源抑制比值为110dB/40dB,Iq=12μA,Vmin=2.4V,可作为模拟IP(知识产权)且易集成于单片系统中.
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关键词
带隙基准源
电源噪声抑制比
低工作电压
低功耗
模拟IP
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职称材料
题名
高效率E波段空间行波管的互作用研究
1
作者
何俊
邹峰
曹林林
李现霞
孙宇辉
机构
中国科学院电子学研究所
出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2018年第A02期349-351,共3页
文摘
以高效率为优化目标,对E波段折叠行波管的注-波互作用进行设计。采用螺旋线行波管设计中成熟的双渐变技术,对E波段折叠波导行波管的互作用进行优化设计和改进,从设计结果可知:在中心频点75GHz处,输出功率为55.38W,电子效率为10.98%,比均匀周期方案的电子效率提高了约65%。此结果满足E波段空间行波管设计的要求,相关的实验测试正在进行中。
关键词
高效率
低电压
空间行波管
E波段
Keywords
high
efficiency
low
working
-
voltage
space
traveling-wave
tube
E
band
分类号
TN124 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
低电压下静电力驱动的数字微流控芯片
被引量：
6
2
作者
刘翔
皋华敏
李铁
周萍
王跃林
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室
中国科学院研究生院
出处
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期97-102,共6页
基金
国家973重点基础研究发展计划资助项目(No.2006CB300403)
国家863高技术研究发展计划资助项目(No.2007AA03Z308)
国家自然基金委创新团队资助项目(No.60721004)
文摘
设计并制作了一种基于静电力驱动的数字微流控芯片,用于构建芯片实验室。介绍了静电力驱动原理和芯片制作工艺流程,搭建了驱动检测实验平台。该芯片采用硅作衬底,氧化硅作绝缘层,TiW/Au为驱动电极阵列,氮化硅作介质层,碳氟聚合物为疏水层。由于采用开放式的结构,只需单层共平面控制电极,简化了工艺流程,优化了器件结构;而驱动电极阵列嵌入在氧化硅中,改善了减小介质层厚度时介质层对金属的台阶覆盖性,减少了电极边沿突起引起的边界击穿。另外,采用较薄的高质量介质层和疏水性能好的疏水膜层,大大降低了液滴驱动电压。实验显示,在20 V驱动电压下,该工艺可实现液滴按程序设定方式在二维平面内流畅运动,最大运动速度达96 mm/s。提出的芯片制作工艺简单,与IC工艺兼容,可应用于生化分析芯片实验室系统。
关键词
微流控芯片
液滴
静电驱动
低工作电压
开放式结构
Keywords
microfluidic
chip
droplet
electrostatic
actuation
low
working
voltage
open
structure
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
CMOS亚阈偏置恒流源的分析与设计
被引量：
3
3
作者
张春华
常昌远
机构
东南大学集成电路学院
出处
《电子工程师》
2007年第1期12-13,34,共3页
文摘
由于IC芯片设计普遍采用全局偏置技术,偏置电路的稳定性对整个电路的性能有较大影响。文中利用MOS管工作在亚阈值区的偏置判断条件,分析了一种基于VT的工作在亚阈值区的偏置电流源,能够满足提供较小工作电流、低功耗的要求,同时对电源变化敏感度极低,在电源电压0.7 V^5 V变化时输出电流仅变化不到0.9%。整个电路采用CSMC 0.6μm双层多晶硅双层金属标准工艺实现,采用Cadence Spectre进行模拟仿真,仿真结果证明了该电流源具有低功耗和高电源抑制比特性。
关键词
亚阈区偏置
低功耗
低工作电压
恒流源
Keywords
biasing
of
subthreshold
domain
low
power
consumption
low
working
voltage
reference
current
source
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
高电源噪声抑制比带隙基准源设计
4
作者
吴丽丽
机构
华侨大学信息科学与工程学院
出处
《华侨大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2012年第3期265-268,共4页
基金
华侨大学科研基金资助项目(10HZR05)
文摘
采用CSMC 0.35μm工艺,通过在电源和带隙基准源电路间插入电流源缓冲级的方法,设计提高带隙基准源电源噪声抑制能力的带隙基准源.在最低工作电压不变的情况下,所设计的带隙基准电源大幅度提高了电路的电源抑制比,且功耗低.仿真结果表明:电源抑制比值为110dB/40dB,Iq=12μA,Vmin=2.4V,可作为模拟IP(知识产权)且易集成于单片系统中.
关键词
带隙基准源
电源噪声抑制比
低工作电压
低功耗
模拟IP
Keywords
bandgap
reference
power
supply
rejection
ratio
low
working
voltage
low
-power
consumption
analog
intellectual
property
分类号
TN431.1 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高效率E波段空间行波管的互作用研究
何俊
邹峰
曹林林
李现霞
孙宇辉
《微波学报》
CSCD
北大核心
2018
0
下载PDF
职称材料
2
低电压下静电力驱动的数字微流控芯片
刘翔
皋华敏
李铁
周萍
王跃林
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
6
下载PDF
职称材料
3
CMOS亚阈偏置恒流源的分析与设计
张春华
常昌远
《电子工程师》
2007
3
下载PDF
职称材料
4
高电源噪声抑制比带隙基准源设计
吴丽丽
《华侨大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2012
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
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