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题名利用数字示波器测量高电阻和低电阻
被引量：6
- 1
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作者
曹文
刘祥楼
张利巍
刘松江
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机构
东北石油大学大学物理实验中心
黑龙江省高校校企共建测试计量技术及仪器仪表工程研发中心
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出处
《物理实验》
2013年第3期7-10,共4页
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基金
国家十二五科技重大专项(No.2011ZX05020-006)
黑龙江省高等教育教学项目(No.JG2012010099)
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文摘
利用数字示波器的多次平均测量方式可以有效抑制噪声干扰的特点,采用低频交流伏安法,辅以低噪声前置放大器,测量了mΩ级低电阻和MΩ级高电阻的阻值.
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关键词
低电阻
高电阻
数字示波器
热噪声
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Keywords
low resistance
high resistance
digital oscilloscope
thermal noise
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分类号
TM934.1
[电气工程—电力电子与电力传动]
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题名纳米MOSFET器件电流噪声测试方法研究
被引量：2
- 2
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作者
贾晓菲
陈文豪
丁兵
何亮
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机构
安康学院电子与信息工程学院
中国西南电子技术研究所
西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院
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出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
2016年第12期45-48,共4页
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基金
国家自然科学基金重点项目(No.61076101)
陕西省教育厅科学研究计划项目(No.16JK1016)
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文摘
针对常规纳米尺度电子元器件的噪声特性,研究其噪声的基本测试条件,并建立测试系统。在屏蔽条件下采用低温装置和超低噪声前置放大器,能有效抑制外界干扰。应用该系统对实际纳米MOSFET器件进行噪声测试得到其电流噪声,在测试基础上通过计算分别得到热噪声和散粒噪声,同时分析器件工作在亚阈区和反型区下的电流噪声随源漏电压和电流的变化关系。结果表明测试结果与理论分析吻合,验证了测试系统的准确性。
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关键词
纳米MOSFET
噪声测试
低温装置
电流噪声
散粒噪声
热噪声
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Keywords
nano-MOSFET
noise measurement
low temperature device
current noise
shot noise
thermal noise
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分类号
TN407
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名利用锁定放大器测量低电阻和高电阻
被引量：1
- 3
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作者
曹文
张利巍
刘祥楼
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机构
东北石油大学
黑龙江省高校校企共建测试计量技术及仪器仪表工程研发中心
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出处
《大学物理实验》
2012年第4期36-37,41,共3页
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基金
国家十二五科技重大专项(2011ZX05020-006)
东北石油大学2011-2012教改项目
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文摘
利用锁定放大器能够测量湮没在噪声中的信号的特点,采用低频交流伏安法,在0.5Vrms和0.5mArms条件下,实现了对几十mΩ级低电阻和数百MΩ级高电阻的测量,测量误差在1%左右。
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关键词
低电阻
高电阻
锁定放大器
热噪声
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Keywords
low resistance
high resistance
lock-in amplifier
thermal noise
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分类号
TM934.1
[电气工程—电力电子与电力传动]
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题名功耗及信噪比双重约束下ΣΔ模数调制器积分器优化
- 4
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作者
殷树娟
李翔宇
孙义和
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机构
清华大学微电子学研究所清华信息科学与技术国家实验室
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出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2010年第6期13-16,共4页
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基金
国家自然科学基金项目(60236020)
高等学校博士学科点专项科研基金项目(20050003083)
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文摘
针对前馈级联ΣΔ模数调制器结构,详细分析了调制器信噪比及功耗与Class-A类运算放大器构成的各级积分器等效输入噪声功率及功耗间相互关系,并在此基础上提出对于给定调制器信噪比及功耗双重约束的前馈级联ΣΔ模数调制器各级积分器参数参考值的优化选取,包括:采样电容、开关导通电阻、输入晶体管宽长比等,从而有利于低功耗高精度ΣΔ模数调制器设计者确定满足给定功耗和信噪比双重约束的ΣΔ模数调制器优化设计方案,指导晶体管级电路设计,缩短设计周期.
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关键词
模数调制器
信噪比
过采样
开关电容
低功耗
热噪声
建立误差
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Keywords
analog to digital modulator
signal-to-noise ratio
oversample
switched-capacitor
low power
thermal noise
settling error
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分类号
TN4
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名超低热噪声测试供电系统实现与实验研究
- 5
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作者
王林
袁伟涛
吕成方
张连凯
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机构
北京化工大学机电工程学院
北京航天控制仪器研究所
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出处
《微型机与应用》
2014年第16期28-30,36,共4页
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文摘
通过对热噪声源与抑制技术手段的分析,以供电方式隔绝外界干扰,筛选器件并优化控制电路,实现多级低热噪声偏压输出。测试结果表明,输出噪声均方根值可控制在0.6μV以内,能满足某高灵敏度电子器件的测试工作需要。
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关键词
超低热噪声
电源系统
器件筛选
抑制控制
实验测试
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Keywords
low thermal noise
power supply system
screening devices
suppression techniques
experimental test
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分类号
TM932
[电气工程—电力电子与电力传动]
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题名LDO低输出噪声的分析与优化设计
被引量：5
- 6
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作者
朱勤为
唐宁
吴鹏
何乐年
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机构
桂林电子科技大学信息与通信学院
浙江大学超大规模集成电路研究所
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出处
《电子器件》
CAS
2009年第5期875-879,883,共6页
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文摘
为了降低一款LDO芯片的输出噪声,对LDO的噪声特性进行分析,根据其噪声特点,提出了三种降低LDO输出噪声的方法,分别是改变LDO的电路结构,对带隙基准进行滤波,设计低噪声带隙基准。在综合考虑芯片的面积和功耗后,采用第三种方法对一款LDO芯片输出噪声进行优化,设计了一个低噪声带隙基准(Bandgap reference),在TSMC0.35μm工艺下仿真表明,10Hz到100kHz之间的集成输出噪声(Integrated output noise)从原来的808μV,降低到280μV。采用低噪声带隙基准可以有效的降低LDO芯片的输出噪声。
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关键词
集成电路设计
低压差线性稳压器
低噪声带隙基准电压
热噪声
闪烁噪声
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Keywords
IC design
LDO
low noise Bandgap reference
thermal noise
Flicker noise
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分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名钙钛矿结构锰氧化物薄膜材料的低频1/f噪声研究
被引量：3
- 7
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作者
吴晟
贾文娟
许丽萍
邓云
梁津津
兰卉
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机构
天津大学材料科学与工程学院
国家海洋技术中心
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出处
《磁性材料及器件》
CAS
CSCD
2019年第3期12-16,共5页
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基金
国家重点研发计划基金资助项目(2016YFC1400302
2016YFC1400502)
国家海洋技术中心创新基金资助项目(K11600473)
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文摘
针对A位掺杂钙钛矿结构锰氧化物(A_(1-x)BxMnO_3)薄膜材料的微弱低频1/f噪声信号检测,采用基于双通道信号互相关运算的测试方法,有效消除了接触噪声对本底噪声的影响。通过对薄膜样品La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3的低频1/f噪声和电阻率测量,揭示了由不同衬底材料、不同厚度所引起的薄膜晶格内部应力变化对载流子输运机制的影响。结果表明,薄膜样品的1/f噪声水平和导电特性与材料厚度变化密切相关,La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3/SrTiO_3样品在临界厚度下表现出较低的1/f噪声;而La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3/SrTiO_3/Si样品随着厚度增大,其1/f噪声不断优化。上述结论对基于磁性材料的新型传感器的研制具有重要的参考意义。
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关键词
钙钛矿结构锰氧化物
薄膜材料
晶格结构
低频1/f噪声
热噪声
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Keywords
perovskite structure manganese oxide
thin film material
lattice structure
low frequency 1/f noise
thermal noise
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分类号
O484.43
[理学—固体物理]
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题名一种低噪声放大器的白噪声分析
被引量：2
- 8
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作者
刘峻
卢剑
李新
郭宇
苏建华
梁洁
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机构
沈阳工业大学
北京美新华微电子技术有限公司
辽宁大学
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出处
《中国集成电路》
2009年第8期44-48,共5页
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文摘
本文以一种低噪声放大器为例,着重分析了电路的热噪声特性,结合理论分析计算了低噪声放大器的热噪声,利用HSPICE仿真软件对电路的热噪声进行仿真,与理论计算所得的热噪声比较。按照本设计采用的低噪声放大器的结构特点,对电路进行了优化,有效地减小了电路产生的热噪声。
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关键词
低噪声放大器
热噪声
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Keywords
low-noise-amplifier
thermal noise is calculated theoretically noise
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分类号
TN722.3
[电子电信—电路与系统]
TP311.1
[自动化与计算机技术—计算机软件与理论]
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题名基于电路级的低频噪声测试及评估
- 9
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作者
李琛
王浩
秦仁刚
李鹏
常祥岭
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机构
无锡华润上华科技有限公司上海分公司
上海贝岭股份有限公司技术中心
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出处
《中国集成电路》
2021年第10期71-78,共8页
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文摘
随着5G物联网的蓬勃发展,基于MEMS传感器等应用的模拟前端电路对噪声要求水平越来越高,其中对于低频应用,低频闪烁(1/f)噪声往往成为系统性能瓶颈。而对于uV甚至nV级别的噪声信号,如何准确地进行测试评估,也需要投入大量的资源进行研究分析。本文基于华润上华流片的两款IP以及TI的两款电源芯片,采用不同的平台进行噪声测试对比分析,最终取得了可靠的低频噪声测试解决方案。
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关键词
MEMS微机电系统
低频闪烁(1/f)噪声
热噪声
温度传感器
带隙基准
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Keywords
MEMS
low frequency flick(1/f)noise
thermal noise
Temp sensor(TS)
BGR
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分类号
TB53
[理学—物理]
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