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氧化铝陶瓷低温烧结的研究现状和发展前景 被引量：31
1
作者 李江 潘裕柏 +2 位作者 宁金威 黄智勇 郭景坤 《中国陶瓷》 CAS CSCD 2001年第5期42-45,共4页
本文综述了氧化铝陶瓷低温烧结的研究现状 ,包括粉体的制备、处理、成型及烧结工艺 。
关键词 氧化铝陶瓷 低温烧结 远景 工艺
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纳米晶添加氧化铝粉体的低温烧结研究 被引量：24
2
作者 李江 潘裕柏 +2 位作者 宁金威 黄莉萍 郭景坤 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期1192-1198,共7页
以湿化学法制备的纳米α-Al_2O_3粉体作为添加剂,MgO和SiO_2为烧结助剂,对商用γ-Al_2O_3粉体预处理后,采用无压烧结工艺,有效的降低了烧结温度.在1450℃制备了高性能的氧化铝陶瓷,并对添加α-Al_2O_3纳米晶的作用机理进行了研究.
关键词 氧化铝陶瓷 低温烧结 湿化学法 纳米晶
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叠层片式电感及低温烧结铁氧体的研发进展 被引量：22
3
作者 韩志全 《磁性材料及器件》 CAS CSCD 2004年第6期6-10,共5页
介绍了叠层片式电感的现状及其低温共烧技术,特别就低温烧结NiCuZn、MgCuZn和Co2Z铁氧体粉料的研发进展作了详细报道。最后,展望了低温烧结铁氧体的发展趋势,指出缩小差距的研究方向。
关键词 叠层片式电感 NICUZN铁氧体 低温烧结
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纳米银填充导电浆料的研究进展 被引量：21
4
作者 熊娜娜 王悦辉 李晶泽 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第10期2589-2595,共7页
导电浆料是发展电子元器件的基础及封装、电极和互联的关键材料。随着电子元器件向微型化、精密化和柔性化等方向发展,国内外正在开展金属导电填料纳米化的研究。其中,纳米银填充导电浆料成为该领域的研究热点。纳米银作为导电填料对银... 导电浆料是发展电子元器件的基础及封装、电极和互联的关键材料。随着电子元器件向微型化、精密化和柔性化等方向发展,国内外正在开展金属导电填料纳米化的研究。其中,纳米银填充导电浆料成为该领域的研究热点。纳米银作为导电填料对银浆性能影响是正面还是负面影响还没有一个统一的结论。一般认为纳米银填充到基体中,由于粒子间的接触点面积小,填料粒子数目增多导致接触电阻增加。只有当纳米银间距离在一定范围内时,由于隧道效应等使导电性增强。这主要与其颗粒大小和形貌、表面性质和烧结行为等密切相关。本文从纳米银填充导电浆料的导电机理、纳米银低温烧结、表面处理、填量、形貌和原位添加等方面综述了国内外研究者近年来在纳米银填充导电浆方面的研究进展,并对未来的发展方向进行了展望。 展开更多
关键词 纳米银 导电浆料 导电机理 低温烧结 表面处理
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低温烧结ZnNb_2O_6/TiO_2复合陶瓷的制备及介电性能研究 被引量：14
5
作者 张启龙 杨辉 +2 位作者 王家邦 胡元云 朱玉良 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第5期694-696,共3页
本文研究了ZnO∶Nb2 O5∶TiO2 =1∶1∶x系统中x量的变化对材料烧结特性、相组成及介电性能的影响。随x的增加 ,致密化温度逐步升高 ,晶相组成逐步从ZnTiNb2 O8相转变为 (Zn0 1 5Nb0 3Ti0 55)O2 相 ,介电常数增大 ,Q .f值先增后减 ,... 本文研究了ZnO∶Nb2 O5∶TiO2 =1∶1∶x系统中x量的变化对材料烧结特性、相组成及介电性能的影响。随x的增加 ,致密化温度逐步升高 ,晶相组成逐步从ZnTiNb2 O8相转变为 (Zn0 1 5Nb0 3Ti0 55)O2 相 ,介电常数增大 ,Q .f值先增后减 ,τf 向正温度系数方向移动。当x =1 92 ,在 930℃保温 4h ,可获得晶粒大小均匀、结构致密的烧结体 ,并有较佳的介电性能 :εr=37 71,Q .f=10 370GHz(fo =2 5GHz) ,τf=- 2ppm ℃ ;x >1 92或 <1 92 ,会出现气孔、晶粒异常长大等现象 。 展开更多
关键词 烧结 ZnNb2O6/TiO2复合陶瓷 介电性能 致密化温度
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叠层片式陶瓷元件发展概述 被引量：7
6
作者 曹明贺 周东祥 龚树萍 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期33-35,共3页
综述近几年来文献报导的关于叠层片式陶瓷电子元件的研究现状。对叠层片式陶瓷电容器、叠层片式陶瓷压敏电阻、叠层片式陶瓷压电产品和叠层片式复合陶瓷电子元件分别作了阐述。指出叠层片式元件适应集成电路中电子元件小型化、高性能化... 综述近几年来文献报导的关于叠层片式陶瓷电子元件的研究现状。对叠层片式陶瓷电容器、叠层片式陶瓷压敏电阻、叠层片式陶瓷压电产品和叠层片式复合陶瓷电子元件分别作了阐述。指出叠层片式元件适应集成电路中电子元件小型化、高性能化及多功能化而出现的必然性,同时对该类元件在发展过程中出现的各种的问题进行分析,指出了其研究方向。 展开更多
关键词 叠层片式元件 低温烧结 内电极 陶瓷电子元件
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碱金属氧化物对低损耗玻璃工艺性能及电学性能的影响 被引量：14
7
作者 胡一晨 余芳 +1 位作者 赵雪辰 王中俭 《玻璃与搪瓷》 CAS 2005年第4期42-46,共5页
研究了一组用于低温共烧多层陶瓷基板的低损耗玻璃材料,测定了玻璃的软化点、退火点、半球点等工艺性质以及介电常数、介电损耗、电阻率等电学性质,用梯温炉测定了玻璃的析晶温度,并用X-射线衍射获得了晶体的组成。围绕低温共烧和电性... 研究了一组用于低温共烧多层陶瓷基板的低损耗玻璃材料,测定了玻璃的软化点、退火点、半球点等工艺性质以及介电常数、介电损耗、电阻率等电学性质,用梯温炉测定了玻璃的析晶温度,并用X-射线衍射获得了晶体的组成。围绕低温共烧和电性能这对矛盾,重点分析了不同碱金属离子在硼硅酸盐玻璃中的分相析晶行为以及对电学性质的影响。实验结果表明:选择少量合适的碱金属离子,并运用混合碱效应,可以获得预期的目的。 展开更多
关键词 玻璃 低温烧结 低损耗 分相 析晶
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低温烧结3Y-TZP陶瓷的微观结构与力学性能 被引量：12
8
作者 孙义海 张玉峰 郭景坤 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期267-271,共5页
在 3Y -TZP(tetragonalzirconiapolycrystalsstabilizedwith 3 %Y2 O3inmole)中 ,采用LAS (Li2 O -Al2 O3-SiO2 )玻璃粉料为添加剂 ,在13 0 0～ 15 0 0℃下烧结 ,材料抗弯强度可达 85 0MPa ,断裂韧性可达 8.7MPa·m1 /2 .讨论了添... 在 3Y -TZP(tetragonalzirconiapolycrystalsstabilizedwith 3 %Y2 O3inmole)中 ,采用LAS (Li2 O -Al2 O3-SiO2 )玻璃粉料为添加剂 ,在13 0 0～ 15 0 0℃下烧结 ,材料抗弯强度可达 85 0MPa ,断裂韧性可达 8.7MPa·m1 /2 .讨论了添加剂对微观结构及材料力学性能的影响 ,得出了采用LAS作为添加剂 ,不但能显著地降低材料的烧结温度 ,又不会明显削弱材料的力学性能的结论 . 展开更多
关键词 3Y-TZP陶瓷 低温烧结 氧化钇增韧 氧化锆陶瓷 微观结构 力学性能 LAS玻璃粉料 烧结助剂
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ZnO低压压敏电阻陶瓷材料研究进展 被引量：10
9
作者 赵鸣 王卫民 +3 位作者 张昌松 张慧君 刘向春 田长生 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期915-918,共4页
本文详细介绍了不同体系的ZnO低压压敏电阻材料特点及各自的局限性,并且对ZnO压敏电阻向低压化发展趋势下出现的材料低温烧结技术进行了评述。最后在总结以往研究的基础上提出了若干ZnO低压压敏电阻材料组份设计上的原则,可为压敏电阻... 本文详细介绍了不同体系的ZnO低压压敏电阻材料特点及各自的局限性,并且对ZnO压敏电阻向低压化发展趋势下出现的材料低温烧结技术进行了评述。最后在总结以往研究的基础上提出了若干ZnO低压压敏电阻材料组份设计上的原则,可为压敏电阻及其它电子陶瓷材料的研究提供一定的指导意义。 展开更多
关键词 低压ZNO压敏电阻 低温烧结 配方设计
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降低高铝瓷烧成温度的研究 被引量：12
10
作者 曹南萍 王仲军 +2 位作者 南小英 欧阳芳 王静海 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期150-155,共6页
从我国能源战略的高度和高铝瓷产业生存、发展的角度,阐述论证了低温烧成的必要性和重要性。基于高铝瓷烧结的内在规律和固有特点,指出低温烧结对高铝瓷性能有改善作用,提出了几种降低高铝瓷烧成温度的可行技术方案。
关键词 高氧化铝陶瓷 低温烧结技术 节能战略 企业竞争力
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影响低温烧成陶瓷结合剂强度因素的探讨 被引量：9
11
作者 侯永改 王改民 《陶瓷研究》 2001年第2期5-7,共3页
系统探讨了影响低温烧成陶瓷结合剂强度的因素 ,通过对结合剂成份、结合剂其它性能、添加剂及烧成制度的分析 ,找出了影响强度的最佳成分及最合适的烧成工艺制度。
关键词 低温烧成 陶瓷结合剂 强度 工艺制度 性能
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无铬达克罗技术的研究及应用进展 被引量：14
12
作者 崔廷昌 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2018年第3期98-102,共5页
达克罗为锌铬涂层,达克罗涂层有很多优点,但也存在着不足。其中的六价铬起到了极其关键的作用。介绍了达克罗的起源、性能、技术及应用情况以及六价铬的替代物质。指出现行达克罗涂层在硬度、色彩以及在生产过程中需要高温烧结等方面存... 达克罗为锌铬涂层,达克罗涂层有很多优点,但也存在着不足。其中的六价铬起到了极其关键的作用。介绍了达克罗的起源、性能、技术及应用情况以及六价铬的替代物质。指出现行达克罗涂层在硬度、色彩以及在生产过程中需要高温烧结等方面存在的问题,介绍了相应的技术进展和应用方面的解决方案;同时对无铬达克罗的技术性能和耐久性评价做了归纳,对应用前景进行了展望。 展开更多
关键词 无铬达克罗 硬度 多彩化 低温烧结
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活化元素Ni对Mo-Cu合金性能的影响 被引量：13
13
作者 李增峰 汤慧萍 +4 位作者 刘海彦 张晗亮 谈萍 石英 黄愿平 《粉末冶金材料科学与工程》 EI 2006年第3期185-188,F0003,共5页
采用机械活化法制粉、低温烧结和致密化处理工艺,制备了活化元素Ni含量不同的Mo-Cu合金。通过金相组织观察,以及对密度、电阻率、热导率和热膨胀系数测试,研究了Ni的质量分数w(Ni)对Mo-Cu合金的致密性、膨胀系数、导热和导电性能的影响... 采用机械活化法制粉、低温烧结和致密化处理工艺,制备了活化元素Ni含量不同的Mo-Cu合金。通过金相组织观察,以及对密度、电阻率、热导率和热膨胀系数测试,研究了Ni的质量分数w(Ni)对Mo-Cu合金的致密性、膨胀系数、导热和导电性能的影响。结果表明:Ni的添加将使Mo-Cu合金的烧结致密化温度降低;Mo-Cu合金热膨胀系数的变化与Al2O3陶瓷的相应变化很接近,但导电和导热性能较差。其显微组织为细小均匀的网络结构,是一种与Al2O3陶瓷很匹配的电子封接材料。 展开更多
关键词 活化元素 NI 低温烧结 致密化 热膨胀系数 热导率 电阻率
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低温烧结非线性Zn-Bi/Sn系压敏瓷料的研究 被引量：12
14
作者 周东祥 周莉 龚树萍 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期18-19,共2页
为了在较低烧成温度条件下制备电性能优异的压敏电阻器,通过制备Bi2O3/SnO2合成粉的方法在870～950℃的温度范围内研制出压敏场强为210～260 V/mm,漏电流小于1 ??,非线性系数大于40的压敏电阻器.本文系统研究了Bi2O3/SnO2合成粉含量及... 为了在较低烧成温度条件下制备电性能优异的压敏电阻器,通过制备Bi2O3/SnO2合成粉的方法在870～950℃的温度范围内研制出压敏场强为210～260 V/mm,漏电流小于1 ??,非线性系数大于40的压敏电阻器.本文系统研究了Bi2O3/SnO2合成粉含量及不同烧结温度对ZnO压敏电阻材料结构和电性能的影响.用高分辨率扫描电镜对瓷体结构进行了分析;依据液相烧结理论和双肖特基模型对实验结果进行了讨论. 展开更多
关键词 低温烧结 氧化锌 压敏陶瓷 压敏电阻
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低烧钛酸钡基介电陶瓷的研究进展 被引量：7
15
作者 杜锋涛 赵俊英 +2 位作者 畅柱国 崔斌 唐宗薰 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期324-328,共5页
低温烧结的BaTiO3基介电陶瓷具有降低能耗,抑制晶粒过度生长以及适合制造贱金属内电极多层陶瓷电容器等优点。本文综述添加助烧剂、高活性纳米粉体和烧结方法的改进等对钛酸钡基陶瓷烧结温度及其性能的影响。重点介绍了助烧剂的作用机... 低温烧结的BaTiO3基介电陶瓷具有降低能耗,抑制晶粒过度生长以及适合制造贱金属内电极多层陶瓷电容器等优点。本文综述添加助烧剂、高活性纳米粉体和烧结方法的改进等对钛酸钡基陶瓷烧结温度及其性能的影响。重点介绍了助烧剂的作用机制、分类和添加方式,并对其发展方向进行了展望。 展开更多
关键词 钛酸钡 低烧 助烧剂 介电性能
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低温烧结NiCuZn铁氧体的软磁特性 被引量：7
16
作者 廖杨 韩志全 任仕晶 《磁性材料及器件》 CAS CSCD 2004年第5期28-29,45,共3页
用溶胶-凝胶法制备了NiCuZn铁氧体.给出了Ni0.75-xZnxCu0.25Fe2O4的磁导率频谱曲线及μi、fr、Ms、Hc、TC随Zn含量x的变化.获得了在860~875℃的烧结温度下(100kHz下)起始磁导率μi = 610~300、比损耗因子tanδ/μi=(1.1~4.6)×10-6... 用溶胶-凝胶法制备了NiCuZn铁氧体.给出了Ni0.75-xZnxCu0.25Fe2O4的磁导率频谱曲线及μi、fr、Ms、Hc、TC随Zn含量x的变化.获得了在860~875℃的烧结温度下(100kHz下)起始磁导率μi = 610~300、比损耗因子tanδ/μi=(1.1~4.6)×10-6,和在880℃下烧结μi > 1000的良好性能. 展开更多
关键词 NICUZN铁氧体 低温烧结 溶胶—凝胶法 磁导率
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烧结助剂对硼硅钙微晶玻璃结构和介电性能的影响 被引量：8
17
作者 吕安国 王美娜 +2 位作者 丘泰 周洪庆 刘敏 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期60-64,共5页
研究了烧结助剂P2O5和ZnO对CaO–B2O3–SiO2(CBS)玻璃粉末的助烧作用及其对材料的相组成、显微结构和介电性能的影响。结果表明:未添加烧结助剂在1000℃烧成的样品晶粒粗大(1～3μm),且结构疏松。复合添加2%(质量分数,下同)P2O5和0.5%Zn... 研究了烧结助剂P2O5和ZnO对CaO–B2O3–SiO2(CBS)玻璃粉末的助烧作用及其对材料的相组成、显微结构和介电性能的影响。结果表明:未添加烧结助剂在1000℃烧成的样品晶粒粗大(1～3μm),且结构疏松。复合添加2%(质量分数,下同)P2O5和0.5%ZnO后,850℃烧成的CBS微晶玻璃中,包含有β–CaSiO3,α–SiO2和CaB2O43种晶相,晶粒发育细小均匀,粒径为0.5μm左右,具有一定量的玻璃相,且结构致密。加烧结助剂制得的样品在10MHz下,相对介电常数εr为6.38,介电损耗tanδ为0.0018。加复合烧结助剂P2O5和ZnO有效地降低了CBS玻璃粉末的烧结温度(低于900℃),可实现银、铜电极共烧。烧结助剂的作用机理是P2O5促进了液相的生成,ZnO则具有提高液相的粘度,增大烧结温度范围,细化晶粒和防止样品变形的作用。 展开更多
关键词 硼钙硅微晶玻璃 烧结助剂 低温烧结 烧结性能 介电性能
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NiZn系软磁铁氧体材料的种类及应用 被引量：9
18
作者 闫斌 苏桦 张怀武 《磁性材料及器件》 CAS CSCD 2008年第3期48-51,共4页
NiZn系软磁铁氧体是尖晶石铁氧体材料中的一个重要分支。NiZn系铁氧体材料以其电阻率高、烧结工艺简单、高频性能好等特点而获得广泛应用。本文简要介绍了当前应用前景较好的几类NiZn铁氧体材料及其应用,包括抗EMI系列铁氧体材料、射频... NiZn系软磁铁氧体是尖晶石铁氧体材料中的一个重要分支。NiZn系铁氧体材料以其电阻率高、烧结工艺简单、高频性能好等特点而获得广泛应用。本文简要介绍了当前应用前景较好的几类NiZn铁氧体材料及其应用,包括抗EMI系列铁氧体材料、射频宽带NiZn铁氧体材料、功率型NiZn系铁氧体材料和低温烧结NiCuZn铁氧体材料等,同时展望了各自的发展前景。 展开更多
关键词 NiZn系铁氧体材料 抗电磁干扰 射频宽带 功率铁氧体 低温共烧
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Al_2O_3陶瓷低温烧结性能影响因素的研究进展 被引量：9
19
作者 周彬彬 张宁 +3 位作者 赵介南 阚洪敏 王晓阳 龙海波 《粉末冶金工业》 CAS 北大核心 2019年第2期73-77,共5页
由于Al_2O_3陶瓷烧结温度过高限制其应用发展,降低Al_2O_3陶瓷的烧结温度显得至关重要。综述了国内外研究者对低温烧结Al_2O_3陶瓷的研究近况,详细阐明了Al_2O_3颗粒尺寸、烧结助剂以及烧结方法3个因素对Al_2O_3陶瓷烧结温度的影响,论... 由于Al_2O_3陶瓷烧结温度过高限制其应用发展,降低Al_2O_3陶瓷的烧结温度显得至关重要。综述了国内外研究者对低温烧结Al_2O_3陶瓷的研究近况,详细阐明了Al_2O_3颗粒尺寸、烧结助剂以及烧结方法3个因素对Al_2O_3陶瓷烧结温度的影响,论述了低温烧结Al_2O_3陶瓷的相关机理,并对以后低温烧结Al_2O_3陶瓷的发展进行了展望。 展开更多
关键词 AL2O3陶瓷 低温烧结 晶粒尺寸 烧结助剂 烧结方法 烧结机理
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掺Ca铬酸镧超细粉体的成形与低温烧结特征 被引量：9
20
作者 李胜利 张邦强 +2 位作者 凌子愚 杨国平 刘如伟 《金属热处理》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期6-9,共4页
采用有机凝胶法合成的掺Ca铬酸镧超细粉体,在室温下分别经400～1200MPa模压成形,在1300℃相对较低的温度下烧结获得了高致密度的烧结体.用收缩率和致密度对粉体的烧结性能进行了表征,并采用SEM、四探针测试仪等手段研究烧结体的断口形... 采用有机凝胶法合成的掺Ca铬酸镧超细粉体,在室温下分别经400～1200MPa模压成形,在1300℃相对较低的温度下烧结获得了高致密度的烧结体.用收缩率和致密度对粉体的烧结性能进行了表征,并采用SEM、四探针测试仪等手段研究烧结体的断口形貌特征和电性能.结果表明,成形压力是影响烧结体收缩率和致密度的重要因素,当成形压力≥600MPa,可以获得收缩率为14%、致密度为94%的烧结体.成形压力的增大也会使烧结体的电性能得到提高.此外研究结果还表明晶粒以台阶机制长大. 展开更多
关键词 铬酸镧 超细粉体 低温烧结
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