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题名低温锗量子点缓冲层技术生长硅锗弛豫衬底研究
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作者
周志文
叶剑锋
李世国
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机构
深圳信息职业技术学院电子与通信学院
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出处
《深圳信息职业技术学院学报》
2015年第3期5-10,共6页
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基金
深圳市科技计划项目(No.JCYJ20120821162230170)
广东省高等学校优秀青年教师项目(Yq2014123)
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文摘
为了提高生长在硅衬底上的硅锗弛豫衬底的质量,提出了低温锗量子点缓冲层技术,分析了该技术在应变弛豫的促进,表面形貌的改善,位错密度的降低等方面的作用机理。基于低温锗量子点缓冲层技术,利用超高真空化学气相淀积系统,在硅衬底上生长出高质量的硅锗弛豫衬底。锗组份为0.28,厚度不足380 nm的硅锗弛豫衬底,应变弛豫度达到99%,表面没有Cross-hatch形貌,表面粗糙度小于2 nm,位错密度低于105 cm-2。
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关键词
硅锗弛豫衬底
低温锗量子点缓冲层
生长
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Keywords
Si ge virtual substrate
low temperature ge islands buffer
growth
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分类号
TM23
[一般工业技术—材料科学与工程]
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