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一种砷化镓工艺的双向真时延芯片设计
1
作者
郝东宁
张为
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第1期102-108,128,共8页
采用0.25μm GaAs pHEMT E/D工艺实现了X/Ku波段的双向真时延芯片的设计。通过在新型长号型延时结构中增加双向选择开关,实现了低插入损耗波动的双向数控可调真时延电路。其延时单元采用四阶和二阶电感耦合全通滤波器实现,单位面积下具...
采用0.25μm GaAs pHEMT E/D工艺实现了X/Ku波段的双向真时延芯片的设计。通过在新型长号型延时结构中增加双向选择开关,实现了低插入损耗波动的双向数控可调真时延电路。其延时单元采用四阶和二阶电感耦合全通滤波器实现,单位面积下具有较高的延时量,并通过双向有源开关选择延时路径来控制延时大小。延时芯片的工作带宽为6~18 GHz,可实现3位延时,最小延时步进为15 ps,最大延时范围为106 ps。仿真结果表明,其具有相对较低的插入损耗8.1~15 dB,且损耗随时延的波动小于±2 dB。芯片尺寸为1.91 mm^(2),群时延均方根误差小于10 ps,回波损耗大于15 dB,直流功耗为110 mW,输入1 dB压缩点大于7 dBm。
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关键词
真时延
延时电路
砷化镓
全通滤波器
低插入损耗波动
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职称材料
题名
一种砷化镓工艺的双向真时延芯片设计
1
作者
郝东宁
张为
机构
天津大学微电子学院
出处
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第1期102-108,128,共8页
基金
国家基础加强重点项目基金(2019JCJQZD24603)。
文摘
采用0.25μm GaAs pHEMT E/D工艺实现了X/Ku波段的双向真时延芯片的设计。通过在新型长号型延时结构中增加双向选择开关,实现了低插入损耗波动的双向数控可调真时延电路。其延时单元采用四阶和二阶电感耦合全通滤波器实现,单位面积下具有较高的延时量,并通过双向有源开关选择延时路径来控制延时大小。延时芯片的工作带宽为6~18 GHz,可实现3位延时,最小延时步进为15 ps,最大延时范围为106 ps。仿真结果表明,其具有相对较低的插入损耗8.1~15 dB,且损耗随时延的波动小于±2 dB。芯片尺寸为1.91 mm^(2),群时延均方根误差小于10 ps,回波损耗大于15 dB,直流功耗为110 mW,输入1 dB压缩点大于7 dBm。
关键词
真时延
延时电路
砷化镓
全通滤波器
低插入损耗波动
Keywords
time
delay
delay
circuit
gallium
arsenide
all-pass
filters
low
loss
variation
with
delay
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种砷化镓工艺的双向真时延芯片设计
郝东宁
张为
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023
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