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低压下碱性铜抛光液对300mm多层铜布线平坦化的研究 被引量：7
1
作者 郑伟艳 刘玉岭 +4 位作者 王辰伟 串利伟 魏文浩 岳红维 曹冠龙 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第24期3472-3474,共3页
随着微电子技术进一步发展,低k介质的引入使得铜的化学机械平坦化(CMP)须在低压下进行。提出了一种新型碱性铜抛光液,其不含常用的腐蚀抑制剂,并研究了其在低压下抛光及平坦化性能。静态条件下,铜的腐蚀速率较低仅为2nm/min。在低压10.3... 随着微电子技术进一步发展,低k介质的引入使得铜的化学机械平坦化(CMP)须在低压下进行。提出了一种新型碱性铜抛光液,其不含常用的腐蚀抑制剂,并研究了其在低压下抛光及平坦化性能。静态条件下,铜的腐蚀速率较低仅为2nm/min。在低压10.34kPa时,铜的平均去除速率可达633.3nm/min,片内非均匀性(WIWNU)为2.44%。平坦化效率较高,8层铜布线平坦化结果表明,60s即可消去约794.6nm的高低差,且抛光后表面粗糙度低(0.178nm),表面状态好,结果表明此抛光液可用于多层铜布线的平坦化。 展开更多
关键词 低压 碱性 铜布线化学机械平坦化 高低差 速率
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铜互连线低压无磨料化学机械平坦化技术 被引量：6
2
作者 刘效岩 刘玉岭 +3 位作者 梁艳 胡轶 刘海晓 李晖 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期717-721,共5页
在低压无磨料条件下,利用碱性FA/O型螯合剂具有极强螯合能力的特性,对铜互连线进行化学机械平坦化,获得了高抛光速率和表面一致性。提出了铜表面低压无磨料抛光技术的平坦化原理,在分析了抛光液化学组分与铜化学反应机理的基础上,对抛... 在低压无磨料条件下,利用碱性FA/O型螯合剂具有极强螯合能力的特性,对铜互连线进行化学机械平坦化,获得了高抛光速率和表面一致性。提出了铜表面低压无磨料抛光技术的平坦化原理,在分析了抛光液化学组分与铜化学反应机理的基础上,对抛光液中的主要成分FA/O型螯合剂、氧化剂的配比和抛光工艺参数压力、抛光机转速进行了研究。结果表明:在压力为6.34kPa和抛光机转速为60r/min时,抛光液中添加5%螯合剂与1%氧化剂(体积分数,下同),抛光速率为1825nm/min,表面非均匀性为0.15。 展开更多
关键词 铜互连线 无磨料 低压 FA/O型螯合剂 化学机械平坦化
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低压下极大规模集成电路碱性铜化学机械抛光液的研究 被引量：2
3
作者 何彦刚 王家喜 +1 位作者 甘小伟 刘玉岭 《河北工业大学学报》 CAS 北大核心 2011年第3期10-14,共5页
对低压下铜化学机械抛光(CMP)碱性抛光液的性能进行了研究.在分析碱性抛光液作用机理的基础上,对铜移除速率、表面粗糙度等性能进行了考察.结果表明:加入络合剂R NH2 OH实现铜在碱性抛光液中的溶解,同时提高了的铜移除速率(41.34kPa:105... 对低压下铜化学机械抛光(CMP)碱性抛光液的性能进行了研究.在分析碱性抛光液作用机理的基础上,对铜移除速率、表面粗糙度等性能进行了考察.结果表明:加入络合剂R NH2 OH实现铜在碱性抛光液中的溶解,同时提高了的铜移除速率(41.34kPa:1050nm/min;6.89 kPa:440nm/min)并降低了表面粗糙度:在较高压力(41.34 kPa)下,铜晶圆表面粗糙度虽然从18.2 nm降至2.19 nm,但仍有明显的划伤存在,并且最大划伤达到了18.2 nm;在低压下(6.89 kPa),铜晶圆表面粗糙度从13.5 nm降至0.42 nm,最大划伤只有1.8nm,可满足45 nm极大规模集成电路的光刻焦深要求. 展开更多
关键词 低压 碱性抛光液 化学机械抛光 铜 极大规模集成电路
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