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面心立方金属晶界特征分布优化的研究进展 被引量：15
1
作者 马聪 刘峰 +1 位作者 连景宝 姚亮亮 《金属热处理》 CAS CSCD 北大核心 2015年第10期49-53,共5页
对近年来面心立方金属晶界特征分布优化研究进行了总结,从提高低ΣCSL晶界比例的工艺方法及影响因素、低ΣCSL晶界的形成机制和低ΣCSL晶界的比例对面心立方金属性能的影响机理3个方面介绍了国内外的研究成果,对其中的一些参数和理论进... 对近年来面心立方金属晶界特征分布优化研究进行了总结,从提高低ΣCSL晶界比例的工艺方法及影响因素、低ΣCSL晶界的形成机制和低ΣCSL晶界的比例对面心立方金属性能的影响机理3个方面介绍了国内外的研究成果,对其中的一些参数和理论进行了阐述和讨论,并提出了未来面心立方金属GBCD一些亟待解决的问题。 展开更多
关键词 面心立方金属 晶界特征分布(GBCD) 低σcsl晶界
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形变及热处理对GH3625合金晶界特征分布的影响 被引量：8
2
作者 高钰璧 丁雨田 +3 位作者 陈建军 许佳玉 马元俊 王兴茂 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第11期3585-3592,共8页
在不改变GH3625合金化学成分的前提下,通过晶界工程(GBE)优化和调控合金组织,从而改善合金的高温组织稳定性以及使用可靠性。采用电子背散射衍射(EBSD)和取向成像显微技术(OIM)研究了形变热处理对GH3625合金晶界特征分布(GBCD)的影响。... 在不改变GH3625合金化学成分的前提下,通过晶界工程(GBE)优化和调控合金组织,从而改善合金的高温组织稳定性以及使用可靠性。采用电子背散射衍射(EBSD)和取向成像显微技术(OIM)研究了形变热处理对GH3625合金晶界特征分布(GBCD)的影响。结果表明,GH3625合金晶界特征分布的优化主要是通过再结晶过程中形成的Σ3n晶界来实现的,同时主要受冷变形量和退火条件的影响;GH3625合金中低ΣCSL晶界比例随着冷变形量的增加而减小,随着退火温度的升高而增加,当合金在ε=35%,退火温度为1120℃保温15 min时,低ΣCSL晶界比例可提高到63.16%以上(Palumbo-Aust标准);此外,GH3625合金中出现了大尺寸的晶粒团簇,在晶粒团簇内的晶粒之间具有Σ3n的取向关系;晶粒团簇尺寸和内含Σ3n晶界的数量随着冷变形量的增加而减小,随着退火温度的升高而增加。 展开更多
关键词 GH3625合金 形变热处理 晶界特征分布 晶界工程 低σcsl晶界
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基于Σ3^n晶界调控GH3625合金晶界特征分布 被引量：7
3
作者 高钰璧 丁雨田 +3 位作者 陈建军 许佳玉 马元俊 王兴茂 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第7期673-679,共7页
应用电子背散射衍射(EBSD)和取向成像显微技术(OIM)研究了GH3625合金在冷变形和退火热处理过程中的晶界类型,探讨了基于Σ3^n(n=1,2,3)晶界调控合金晶界特征分布的机制。结果表明:在冷变形过程中,随着冷变形量的增加,GH3625合金中形变... 应用电子背散射衍射(EBSD)和取向成像显微技术(OIM)研究了GH3625合金在冷变形和退火热处理过程中的晶界类型,探讨了基于Σ3^n(n=1,2,3)晶界调控合金晶界特征分布的机制。结果表明:在冷变形过程中,随着冷变形量的增加,GH3625合金中形变孪晶界和低ΣCSL(重合位置点阵)晶界比例逐渐增加,但其比例占整个晶界的5%以下,不足以调控其晶界特征分布;在退火过程中,GH3625合金中低ΣCSL晶界比例随着退火前冷变形量的增加而减小,当冷变形为35%时,在1100℃退火10 min可使合金中低ΣCSL晶界的比例提高到51.27%以上(Palumbo-Aust标准),其中Σ3^n晶界占低ΣCSL晶界的90%以上,同时形成大尺寸的"互有Σ3^n取向关系晶粒的团簇"显微组织,构成Σ3-Σ3-Σ9或Σ3-Σ9-Σ27三叉晶界;此外,晶粒团簇尺寸随着再结晶退火前冷变形量的增加而减小;GH3625合金晶界特征分布的调控主要是通过再结晶退火过程中形成的Σ3^n晶界来实现的,而不是冷变形过程中形成的Σ3^n晶界。 展开更多
关键词 GH3625合金 晶界特征分布 形变孪晶 退火孪晶 低σcsl晶界
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U弯变形及退火处理对690合金晶界网络分布的影响 被引量：3
4
作者 刘廷光 夏爽 +2 位作者 白琴 周邦新 陆永浩 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第12期2486-2493,共8页
采用取向成像显微技术对镍基690合金U弯样品及经退火处理后样品进行分析,研究对U弯样品进行表面晶界工程处理(GBE)的方法。结果表明:U弯样品沿厚度方向上存在形变量梯度,致使退火后样品的晶界网络在厚度方向上产生规律变化,局部区域(约... 采用取向成像显微技术对镍基690合金U弯样品及经退火处理后样品进行分析,研究对U弯样品进行表面晶界工程处理(GBE)的方法。结果表明:U弯样品沿厚度方向上存在形变量梯度,致使退火后样品的晶界网络在厚度方向上产生规律变化,局部区域(约10%拉伸变形层区域)形成高比例低∑重合位置点阵(CSL,∑≤29)晶界(约80%)。弯曲形变量对再结晶形核密度及孪晶形成几率的影响决定GBE处理效果,GBE处理的合适变形量稍大于再结晶的临界变形量:形变量过小时,不利于提高孪晶形成几率,甚至不发生再结晶;形变量过大时,不利于形成大尺寸的晶粒团簇,都不利于形成高比例低∑CSL晶界。 展开更多
关键词 镍基690合金 晶界工程 U弯 低σ-csl晶界 晶界网络
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弯曲形变热处理对纯镍N6焊缝晶界特征分布及腐蚀行为的影响
5
作者 柴廷玺 徐宏彤 +2 位作者 俞友军 晏丽琴 王志全 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第10期3590-3599,共10页
对纯镍N6等离子弧焊缝进行“U”形弯曲形变及热处理加工(grain boundary engineering,GBE),借助电子背散射衍射(EBSD)对比分析non-GBE和GBE样品晶界特征分布及对腐蚀行为的影响。结果表明:焊缝经“U”形弯曲形变+900℃退火10min后,低Σ... 对纯镍N6等离子弧焊缝进行“U”形弯曲形变及热处理加工(grain boundary engineering,GBE),借助电子背散射衍射(EBSD)对比分析non-GBE和GBE样品晶界特征分布及对腐蚀行为的影响。结果表明:焊缝经“U”形弯曲形变+900℃退火10min后,低ΣCSL晶界比例提高到54.1%,并形成具有Σ3^(n)取向关系的大尺寸晶粒团簇;退火过程中再结晶形核点增加,晶粒尺寸由468μm减小到146μm。GBE样品耐蚀性高于non-GBE样品,GBE样品自腐蚀电流密度(0.2113 A·m^(-2))小于non-GBE样品(0.8138 A·m^(-2)),且GBE样品的容抗弧半径、阻抗模值|Z|、相位角θ均大于对应non-GBE样品。2种样品表面均发生了点蚀,腐蚀行为可概括为:腐蚀初期,Cl^(-)破坏样品表面局部区域钝化膜形成点蚀坑。随浸泡时间延长,阳极金属附近Ni2+浓度达到饱和或过饱和状态,Ni^(2+)与膜层中结合水反应生成Ni(OH)_(2),部分Ni(OH)_(2)脱水分解为NiO,组成的腐蚀产物膜沉积在样品表面,阻止Cl^(-)穿过腐蚀产物渗透到样品表面,点蚀受到控制。 展开更多
关键词 纯镍N6焊缝 形变热处理 晶界特征分布 低σcsl晶界 腐蚀行为
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