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FDTD法分析高速集成电路芯片内互连线
被引量:
4
1
作者
袁正宇
李征帆
邹瑉珋
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第2期14-16,共3页
本文首次利用时域有限差分 (FDTD)法分析了高速集成电路芯片内半导体基片上的有耗互连传输线的电特性 .文中提出了有耗吸收边界条件 ,推导了不同媒质交界面上的边界条件通用格式 .在FDTD分析的基础上 ,得到传输线各种参数的频变特性 ,...
本文首次利用时域有限差分 (FDTD)法分析了高速集成电路芯片内半导体基片上的有耗互连传输线的电特性 .文中提出了有耗吸收边界条件 ,推导了不同媒质交界面上的边界条件通用格式 .在FDTD分析的基础上 ,得到传输线各种参数的频变特性 ,为芯片内电路模拟提供了可靠的参数 .
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关键词
高速集成电路
时域有限差分
互连线
下载PDF
职称材料
题名
FDTD法分析高速集成电路芯片内互连线
被引量:
4
1
作者
袁正宇
李征帆
邹瑉珋
机构
上海交通大学电子工程系
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第2期14-16,共3页
基金
国家自然科学基金
博士点基金
文摘
本文首次利用时域有限差分 (FDTD)法分析了高速集成电路芯片内半导体基片上的有耗互连传输线的电特性 .文中提出了有耗吸收边界条件 ,推导了不同媒质交界面上的边界条件通用格式 .在FDTD分析的基础上 ,得到传输线各种参数的频变特性 ,为芯片内电路模拟提供了可靠的参数 .
关键词
高速集成电路
时域有限差分
互连线
Keywords
hgih
speed
integrated
circuits
finite
difference
time
domain
(FDTD)
method
lossy
absorbing
boundary condition
分类号
TN405.97 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
FDTD法分析高速集成电路芯片内互连线
袁正宇
李征帆
邹瑉珋
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
4
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职称材料
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