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线性分布的In组分对紫色InGaN/GaN单量子阱发光特性的影响
1
作者
张杰
刘炜
张淑媛
《半导体光电》
北大核心
2021年第3期380-384,共5页
采用数值模拟的方法研究了具有相同的平均In组分,但In组分的分布不同的3个紫色InGaN/GaN单量子阱样品的光谱特性。通过分析样品的电致发光谱、能带结构、波函数交叠以及载流子浓度分布等,发现沿生长方向阱内In组分线性增加的单量子阱样...
采用数值模拟的方法研究了具有相同的平均In组分,但In组分的分布不同的3个紫色InGaN/GaN单量子阱样品的光谱特性。通过分析样品的电致发光谱、能带结构、波函数交叠以及载流子浓度分布等,发现沿生长方向阱内In组分线性增加的单量子阱样品的发光效率最高,而In组分线性减小的样品发光效率最低。这是因为In组分的线性增加能够减弱极化场对价带的影响,使阱内价带变得更加平缓。这不仅降低了空穴的注入势垒高度、增大了阱中的空穴浓度,还增强了阱内电子-空穴波函数的交叠积分,提高了辐射复合几率,从而使In组分线性增加的量子阱的发光效率显著提高。
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关键词
InGaN/GaN量子阱
In组分的线性分布
极化效应
辐射复合
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职称材料
题名
线性分布的In组分对紫色InGaN/GaN单量子阱发光特性的影响
1
作者
张杰
刘炜
张淑媛
机构
西北工业大学微电子学院
出处
《半导体光电》
北大核心
2021年第3期380-384,共5页
基金
国家自然科学基金项目(62074129)。
文摘
采用数值模拟的方法研究了具有相同的平均In组分,但In组分的分布不同的3个紫色InGaN/GaN单量子阱样品的光谱特性。通过分析样品的电致发光谱、能带结构、波函数交叠以及载流子浓度分布等,发现沿生长方向阱内In组分线性增加的单量子阱样品的发光效率最高,而In组分线性减小的样品发光效率最低。这是因为In组分的线性增加能够减弱极化场对价带的影响,使阱内价带变得更加平缓。这不仅降低了空穴的注入势垒高度、增大了阱中的空穴浓度,还增强了阱内电子-空穴波函数的交叠积分,提高了辐射复合几率,从而使In组分线性增加的量子阱的发光效率显著提高。
关键词
InGaN/GaN量子阱
In组分的线性分布
极化效应
辐射复合
Keywords
InGaN/GaN
quantum
well
linear
distribution
of
In
composition
polarization
effect
radiative
recombination
分类号
O482.31 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
线性分布的In组分对紫色InGaN/GaN单量子阱发光特性的影响
张杰
刘炜
张淑媛
《半导体光电》
北大核心
2021
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