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一种高电源抑制比快速启动的带隙基准的设计
1
作者
吴宏元
张章
+1 位作者
程威
马永波
《合肥工业大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2024年第6期762-766,共5页
文章采用5 V、0.35μm CMOS工艺,设计一种适用于低噪声高速系统的带隙基准电压源电路。为了保证电路具有较高的电源抑制比(power supply rejection ratio,PSRR),设计一种抑制电源电压波动的负反馈回路,并且在电路中采用具有较高增益的...
文章采用5 V、0.35μm CMOS工艺,设计一种适用于低噪声高速系统的带隙基准电压源电路。为了保证电路具有较高的电源抑制比(power supply rejection ratio,PSRR),设计一种抑制电源电压波动的负反馈回路,并且在电路中采用具有较高增益的两级放大器结构。针对某些系统快速启动的需求,设计快速启动电路,当电源上电时启动电路直接作用于基准电压,加速带隙基准电路的启动,在电路正常启动后通过开关管使启动电路停止工作。仿真结果表明,温度在-40~125℃范围内,带隙基准的温漂系数为13.05×10^(-6)℃^(-1);低频时PSRR为100.6 dB;线性调整率(line regulation,LNR)为0.024 mV/V;启动时间为4μs。
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关键词
电源抑制比(PSRR)
快速启动
带隙基准
负反馈回路
温漂系数
线性调整率(
lnr
)
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职称材料
题名
一种高电源抑制比快速启动的带隙基准的设计
1
作者
吴宏元
张章
程威
马永波
机构
合肥工业大学微电子学院
出处
《合肥工业大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2024年第6期762-766,共5页
基金
国家自然科学基金区域创新发展联合基金资助项目(U19A2053)。
文摘
文章采用5 V、0.35μm CMOS工艺,设计一种适用于低噪声高速系统的带隙基准电压源电路。为了保证电路具有较高的电源抑制比(power supply rejection ratio,PSRR),设计一种抑制电源电压波动的负反馈回路,并且在电路中采用具有较高增益的两级放大器结构。针对某些系统快速启动的需求,设计快速启动电路,当电源上电时启动电路直接作用于基准电压,加速带隙基准电路的启动,在电路正常启动后通过开关管使启动电路停止工作。仿真结果表明,温度在-40~125℃范围内,带隙基准的温漂系数为13.05×10^(-6)℃^(-1);低频时PSRR为100.6 dB;线性调整率(line regulation,LNR)为0.024 mV/V;启动时间为4μs。
关键词
电源抑制比(PSRR)
快速启动
带隙基准
负反馈回路
温漂系数
线性调整率(
lnr
)
Keywords
power
supply
rejection
ratio(PSRR)
fast
start-up
bandgap
voltage
reference
negative
feedback
loop
temperature
drift
coefficient
line
regulation
(
lnr
)
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
一种高电源抑制比快速启动的带隙基准的设计
吴宏元
张章
程威
马永波
《合肥工业大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2024
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