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微波化学气相沉积制备AlO_x薄膜及钝化晶硅性能的研究
1
作者 张健 巴德纯 张振厚 《真空与低温》 2015年第6期315-319,共5页
通过线性微波化学气相沉积（LMW-PECVD）技术在P型单晶样品上高生长速度下制备了高质量的AlOx薄膜,采用场发射电子扫描显微镜、光学椭圆偏振仪器、有效少子寿命测量仪对实验样品进行了表征和分析.结果表明,AlOx薄膜的厚度和折射率都对... 通过线性微波化学气相沉积（LMW-PECVD）技术在P型单晶样品上高生长速度下制备了高质量的AlOx薄膜,采用场发射电子扫描显微镜、光学椭圆偏振仪器、有效少子寿命测量仪对实验样品进行了表征和分析.结果表明,AlOx薄膜的厚度和折射率都对晶硅的钝化效果有影响,薄膜厚度在20～30 nm之间、折射率在1.6～1.65 之间出现了理想的钝化效果;热处理对AlOx薄膜钝化效果的影响较为复杂,理想的热处理温度在350～400 ℃之间. 展开更多
关键词 线性微波源 氧化铝薄膜 少子寿命
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线性微波化学气相沉积制备AlO_x/SiN_x双层薄膜及钝化性能的研究
2
作者 张健 巴德纯 +1 位作者 张振厚 赵崇凌 《真空》 CAS 2016年第3期7-11,共5页
通过线性微波化学气相沉积技术在P型单晶样品上制备了AlO_x/SiN_x双层薄膜,采用场发射电子扫描显微镜、光学椭圆偏振仪器、有效少子寿命测量仪对实验样品进行了表征和分析。结果表明,线性微波化学气相沉积技术可以制备出高生长速度、高... 通过线性微波化学气相沉积技术在P型单晶样品上制备了AlO_x/SiN_x双层薄膜,采用场发射电子扫描显微镜、光学椭圆偏振仪器、有效少子寿命测量仪对实验样品进行了表征和分析。结果表明,线性微波化学气相沉积技术可以制备出高生长速度、高质量的AlO_x薄膜和SiN_x薄膜,AlO_x薄膜生长速度达到了180nm/min,SiN_x薄膜生长速度达到了135nm/min;经过AlO_x/SiN_x双层薄膜钝化的P型单晶硅有效少子寿命达到了2300μs,且经过800℃产线烧结工序,少子寿命下降幅度很低,热稳定性优异。 展开更多
关键词 线性微波化学气相沉积 氧化铝薄膜 氮化硅薄膜 有效少子寿命
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