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题名微量硼掺杂氢化非晶硅薄膜光电导性能研究
被引量：1
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作者
王陆一
蒋向东
石兵
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机构
电子科技大学光电信息学院
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出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第1期95-97,共3页
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基金
四川省应用基础项目(07JY029-087)
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文摘
采用射频磁控溅射的方法制备了微量硼掺杂氢化非晶硅薄膜,对样品的光电导性能进行了研究。结果表明,不同的硼掺杂量下,氢化非晶硅薄膜透过率随掺杂量的增加而变大,透过率曲线截止边红移;吸收系数随着硼掺杂量的增加而增大;薄膜的折射率随着波长的增加而下降,同一波长下随着掺杂量的增加而增大,在500nm波长处折射率达到4.2以上,最大到4.6;薄膜的交流电阻率在微量硼掺杂下随着硼掺杂量的增加先减小后增大。
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关键词
硼掺杂
射频磁控溅射
氢化非晶硅
吸收系数
折射率
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Keywords
light-doped boron
RF magnetron sputtering method
a-Si ： H film
optical absorption coefficient
refractive index
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分类号
O756
[理学—晶体学]
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题名射频磁控溅射法制备硼轻掺杂氢化非晶硅薄膜的研究
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作者
王陆一
蒋向东
石兵
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机构
电子科技大学光电信息学院
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出处
《电子器件》
CAS
北大核心
2012年第6期623-626,共4页
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文摘
研究了工艺参数对硼轻掺杂氢化非晶硅薄膜形成及光电导性能的影响。采用射频磁控溅射的方法制备了硼轻掺杂的氢化非晶硅薄膜,结果表明,衬底温度和溅射功率对薄膜的沉积速率、掺杂量、光吸收系数、电导率等有着很大的影响,在温度300℃,溅射功率300 W时沉积速率达到最大。通过实验得到的规律可以通过调整工艺参数来得到性能优良的硼轻掺杂氢化非晶硅薄膜。
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关键词
氢化非晶硅
硼轻掺杂
射频磁控溅射
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Keywords
a-Si ： H film： light-doped boron
RF magnetron sputtering method
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分类号
TB742
[一般工业技术—材料科学与工程]
O756
[一般工业技术—真空技术]
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