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激光等离子体13.5 nm极紫外光刻光源进展
被引量：
21
1
作者
宗楠
胡蔚敏
+5 位作者
王志敏
王小军
张申金
薄勇
彭钦军
许祖彦
《中国光学》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第1期28-42,共15页
半导体产业是高科技、信息化时代的支柱。光刻技术,作为半导体产业的核心技术之一,已成为世界各国科研人员的重点研究对象。本文综述了激光等离子体13.5 nm极紫外光刻的原理和国内外研究发展概况,重点介绍了其激光源、辐射靶材和多层膜...
半导体产业是高科技、信息化时代的支柱。光刻技术,作为半导体产业的核心技术之一,已成为世界各国科研人员的重点研究对象。本文综述了激光等离子体13.5 nm极紫外光刻的原理和国内外研究发展概况,重点介绍了其激光源、辐射靶材和多层膜反射镜等关键系统组成部分。同时,指出了在提高激光等离子体13.5 nm极紫外光源输出功率的研究进程中所存在的主要问题,包括提高转换效率和减少光源碎屑。特别分析了目前已实现百瓦级输出的日本Gigaphoton公司和荷兰的ASML公司的极紫外光源装置。最后对该项技术的发展前景进行了总结与展望。
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关键词
13.5
nm极紫外光刻技术
激光等离子体
极紫外光源
转换效率
光源碎屑
预脉冲激光
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职称材料
极紫外光刻光源的研究进展及发展趋势
被引量：
17
2
作者
林楠
杨文河
+5 位作者
陈韫懿
魏鑫
王成
赵娇玲
彭宇杰
冷雨欣
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2022年第9期15-34,共20页
随着芯片特征尺寸的不断减小,借助193 nm准分子光源的浸没式深紫外光刻技术已进入瓶颈,使用多次曝光技术的工艺路线也已到达目前的商用极限。极紫外光刻(EUVL)采用13.5 nm的极紫外光源,被认为是下一代光刻商用化路线必需的技术。综述了...
随着芯片特征尺寸的不断减小,借助193 nm准分子光源的浸没式深紫外光刻技术已进入瓶颈,使用多次曝光技术的工艺路线也已到达目前的商用极限。极紫外光刻(EUVL)采用13.5 nm的极紫外光源,被认为是下一代光刻商用化路线必需的技术。综述了激光等离子体13.5 nm EUVL光源的原理和最新进展,分别从驱动光源、靶材、收集镜等关键子系统展开介绍。讨论了激光等离子体光源进一步发展过程中需要解决的问题,如提升激发光功率、提高转换效率及延长光源寿命,特别分析了日本Gigaphoton公司和荷兰ASML公司的EUVL光源装置。
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关键词
光学设计
极紫外光源
激光等离子体
液滴锡靶
转换效率
光源碎屑
原文传递
题名
激光等离子体13.5 nm极紫外光刻光源进展
被引量：
21
1
作者
宗楠
胡蔚敏
王志敏
王小军
张申金
薄勇
彭钦军
许祖彦
机构
中国科学院固体激光重点实验室
中国科学院功能晶体与激光技术重点实验室
中国科学院大学
出处
《中国光学》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第1期28-42,共15页
基金
国家重点研发项目(No.2016YFB0402103)
中科院关键技术团队项目(No.GJJSTD20180004)
+3 种基金
中科院理化所所长基金(No.Y8A9021H11)
国家重大科研装备研制项目(No.ZDYZ2012-2)
国家重大科学仪器设备开发专项(No.2012YQ120048)
国家自然科学重点基金项目(No.61535013)~~
文摘
半导体产业是高科技、信息化时代的支柱。光刻技术,作为半导体产业的核心技术之一,已成为世界各国科研人员的重点研究对象。本文综述了激光等离子体13.5 nm极紫外光刻的原理和国内外研究发展概况,重点介绍了其激光源、辐射靶材和多层膜反射镜等关键系统组成部分。同时,指出了在提高激光等离子体13.5 nm极紫外光源输出功率的研究进程中所存在的主要问题,包括提高转换效率和减少光源碎屑。特别分析了目前已实现百瓦级输出的日本Gigaphoton公司和荷兰的ASML公司的极紫外光源装置。最后对该项技术的发展前景进行了总结与展望。
关键词
13.5
nm极紫外光刻技术
激光等离子体
极紫外光源
转换效率
光源碎屑
预脉冲激光
Keywords
13.5
nm
Extreme
Ultraviolet
Lithography(13.5
nm-EUVL)
Laser-Produced
Plasma(LPP)
extreme
ultraviolet
source
Conversion
Efficiency(CE)
light
debris
pre-pulse
laser
分类号
O432.1 [机械工程—光学工程]
下载PDF
职称材料
题名
极紫外光刻光源的研究进展及发展趋势
被引量：
17
2
作者
林楠
杨文河
陈韫懿
魏鑫
王成
赵娇玲
彭宇杰
冷雨欣
机构
上海大学微电子学院
中国科学院上海光学精密机械研究所精密光学工程部(筹)
出处
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2022年第9期15-34,共20页
基金
国家自然科学基金(61925507)。
文摘
随着芯片特征尺寸的不断减小,借助193 nm准分子光源的浸没式深紫外光刻技术已进入瓶颈,使用多次曝光技术的工艺路线也已到达目前的商用极限。极紫外光刻(EUVL)采用13.5 nm的极紫外光源,被认为是下一代光刻商用化路线必需的技术。综述了激光等离子体13.5 nm EUVL光源的原理和最新进展,分别从驱动光源、靶材、收集镜等关键子系统展开介绍。讨论了激光等离子体光源进一步发展过程中需要解决的问题,如提升激发光功率、提高转换效率及延长光源寿命,特别分析了日本Gigaphoton公司和荷兰ASML公司的EUVL光源装置。
关键词
光学设计
极紫外光源
激光等离子体
液滴锡靶
转换效率
光源碎屑
Keywords
optical
design
extreme
ultraviolet
light
source
laser-produced
plasma
tin
droplet
conversion
efficiency
light
source
debris
分类号
TN249 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
激光等离子体13.5 nm极紫外光刻光源进展
宗楠
胡蔚敏
王志敏
王小军
张申金
薄勇
彭钦军
许祖彦
《中国光学》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
21
下载PDF
职称材料
2
极紫外光刻光源的研究进展及发展趋势
林楠
杨文河
陈韫懿
魏鑫
王成
赵娇玲
彭宇杰
冷雨欣
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2022
17
原文传递
已选择
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参考文献
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