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水工混凝土渗透溶蚀试验研究 被引量:24
1
作者 孔祥芝 纪国晋 +1 位作者 刘艳霞 刘晨霞 《中国水利水电科学研究院学报》 2012年第1期63-68,共6页
对水工混凝土的压力渗水规律,渗透水样钙离子浓度、pH值变化以及渗透溶蚀作用下混凝土性能衰减规律进行了试验研究。结果表明:振捣密实、养护充分的水工混凝土具有很高的抗渗透溶蚀能力,有自愈特性;溶蚀早期,钙溶出量与渗水量呈线性关系... 对水工混凝土的压力渗水规律,渗透水样钙离子浓度、pH值变化以及渗透溶蚀作用下混凝土性能衰减规律进行了试验研究。结果表明:振捣密实、养护充分的水工混凝土具有很高的抗渗透溶蚀能力,有自愈特性;溶蚀早期,钙溶出量与渗水量呈线性关系,渗透水钙离子浓度、pH值和电导率稳定于某一范围;混凝土性能衰减与氢氧化钙溶出率可进行线性拟合,氢氧化钙溶出5.13%,抗压强度、劈拉强度和弹性模量分别下降2.24%、7.95%和4.10%,其中,劈拉强度下降最明显。 展开更多
关键词 水工混凝土 渗透溶蚀 性能衰减 渗水规律 自愈
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浅析核电厂反应堆压力容器完整性问题 被引量:13
2
作者 张加军 陈晶晶 +1 位作者 车树伟 吴彦农 《压力容器》 2014年第1期48-55,共8页
反应堆压力容器(RPV)作为核电厂重要主设备之一,其完整性直接影响到核电厂的安全运行,为了确保反应堆压力容器的完整性,需要在设计、制造、安装和运行过程中重点关注相关问题。介绍了反应堆压力容器的材质发展过程、反应堆压力容器的典... 反应堆压力容器(RPV)作为核电厂重要主设备之一,其完整性直接影响到核电厂的安全运行,为了确保反应堆压力容器的完整性,需要在设计、制造、安装和运行过程中重点关注相关问题。介绍了反应堆压力容器的材质发展过程、反应堆压力容器的典型降级模式,并对产生降级的原因进行了分析,提出了下一步预防降级可采取的措施,以确保反应堆压力容器的完整性,进而为核电厂的反应堆压力容器的设计、制造、安装和运行维护阶段提供参考。 展开更多
关键词 核电厂 反应堆压力容器 泄漏 完整性 降级模式
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新型水溶性修井暂堵材料的研制和应用 被引量:7
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作者 葛红江 刘希君 +1 位作者 雷齐玲 吴长胤 《断块油气田》 CAS 2007年第1期74-76,共3页
我国东部注水开发后期油田的高含水油井普遍存在修井作业中修井液漏失问题。分析了解决这一问题的现有技术方法,研制生产了新型水溶性修井暂堵材料GLB,讨论了合成条件和应用条件对新型水溶性修井暂堵材料GLB性能的影响。新型水溶性修井... 我国东部注水开发后期油田的高含水油井普遍存在修井作业中修井液漏失问题。分析了解决这一问题的现有技术方法,研制生产了新型水溶性修井暂堵材料GLB,讨论了合成条件和应用条件对新型水溶性修井暂堵材料GLB性能的影响。新型水溶性修井暂堵材料GLB为高弹性不规则颗粒,可以迅速暂堵漏失地层,具有在水中能够迅速降解并溶解、降解溶解后残渣少的特点,体系黏度低,修井作业后产量恢复快。在大港油田进行了44口井现场试验,试验效果良好。 展开更多
关键词 修井液 漏失 暂堵 水溶性 降解
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热电装置锅炉屏式过热器泄漏原因分析
4
作者 王建 《大氮肥》 CAS 2024年第3期173-178,共6页
对某热电装置锅炉屏式过热器爆管试样进行宏观检查、化学成分分析、金相组织分析、硬度试验、断口形貌分析、垢物成分分析及力学性能测定等试验。结果表明:屏式过热器管段在长期高温的作用下管壁发生氧化、表面出现氧化裂纹、管材组织... 对某热电装置锅炉屏式过热器爆管试样进行宏观检查、化学成分分析、金相组织分析、硬度试验、断口形貌分析、垢物成分分析及力学性能测定等试验。结果表明:屏式过热器管段在长期高温的作用下管壁发生氧化、表面出现氧化裂纹、管材组织劣化、强度下降,从而导致管段因长时间高温而发生爆裂。 展开更多
关键词 屏式过热器 泄漏 超温 材质劣化 氧化
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大坝混凝土渗透溶蚀试验研究 被引量:6
5
作者 孔祥芝 陈改新 纪国晋 《混凝土》 CAS CSCD 北大核心 2013年第10期53-56,75,共5页
为了研究大坝混凝土抗渗透溶蚀能力,及溶蚀作用下混凝土强度和弹性模量的衰减规律,进行了不同掺合料混凝土大尺寸试件的渗透溶蚀试验。结果表明:振捣密实,养护充分的大坝混凝土具有很高的抗渗透溶蚀能力和较强的自愈特性,在水压力... 为了研究大坝混凝土抗渗透溶蚀能力,及溶蚀作用下混凝土强度和弹性模量的衰减规律,进行了不同掺合料混凝土大尺寸试件的渗透溶蚀试验。结果表明:振捣密实,养护充分的大坝混凝土具有很高的抗渗透溶蚀能力和较强的自愈特性,在水压力为1.0-3.8MPa的软水持续作用下,试件溶出Ca(OH)2 5.16%~7.28%,混凝土各性能之间的关系发生变化,刚度降低,趋于变脆,强度和弹性模量的衰减与Ca(OH)2溶出率具有一定的线性关系。另外,掺合料种类对混凝土抗渗透溶蚀能力和性能衰减速率具有重要影响。 展开更多
关键词 大坝混凝土 渗透溶蚀 性能衰减 弹性模量
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麻雀搜索算法优化的外啮合齿轮泵泄漏量预测
6
作者 张立强 张建强 +2 位作者 丁杰 李全军 李琛玺 《液压与气动》 北大核心 2024年第7期93-100,共8页
预测齿轮泵泄漏量的变化趋势有助于定量分析其性能退化过程。变分模态分解(Variational Modal Decomposition, VMD)方法对齿轮泵原始泄漏量数据进行变分模态分解,得到本征模态函数IMF,提出一种结合麻雀优化算法(Sparrow Search Algorith... 预测齿轮泵泄漏量的变化趋势有助于定量分析其性能退化过程。变分模态分解(Variational Modal Decomposition, VMD)方法对齿轮泵原始泄漏量数据进行变分模态分解,得到本征模态函数IMF,提出一种结合麻雀优化算法(Sparrow Search Algorithm, SSA)和长短期记忆神经网络(Long-Short Term Memory, LSTM)的模型,建立VMD-SSA-LSTM模型预测齿轮泵泄漏量的变化情况,并对每一个分量进行单独预测,最后将预测结果进行叠加,获得完整的预测结果。通过对比不同时间段预测结果可知,VMD-SSA-LSTM模型较单一的LSTM模型预测结果的平均相对误差最高可减小25.2%,能够完成对泄漏量的有效预测。研究结论可为齿轮泵性能衰退的定量预测提供理论支持。 展开更多
关键词 外啮合齿轮泵 泄漏量预测 变分模态分解 麻雀搜索算法 长短期记忆网络 性能退化
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SiC MOSFET单粒子漏电退化的影响因素 被引量:1
7
作者 秦林生 汪波 +1 位作者 马林东 万俊珺 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第11期972-976,984,共6页
高压功率器件是未来航天器进一步发展的关键,对SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)等高压大功率器件的抗辐射研究亟待突破。在不同偏置条件下对器件的单粒子效应(SEE)进行实验,结果表明,SiC MOSFET单粒子漏电退化效应与漏源电... 高压功率器件是未来航天器进一步发展的关键,对SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)等高压大功率器件的抗辐射研究亟待突破。在不同偏置条件下对器件的单粒子效应(SEE)进行实验,结果表明,SiC MOSFET单粒子漏电退化效应与漏源电压、离子注量以及反向栅源电压呈正相关。为进一步研究SiC MOSFET单粒子效应机理,结合实验数据进行TCAD仿真,发现器件发生单粒子效应时存在两种失效模式,第一种失效模式与Si基MOSFET类似,而第二种失效模式与SiC器件的特有结构密切相关,容易形成更高的分布电压,导致栅氧化层烧毁失效。该结果为抗辐照加固器件的研究提供了理论支撑。 展开更多
关键词 SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET) 单粒子效应(SEE) 漏电退化 漏源电压 离子注量
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基于HP滤波与ARIMA-GARCH模型的柱塞泵泄漏量预测 被引量:4
8
作者 陈乐 高文科 +1 位作者 冀宏 张磊 《农业工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第10期61-67,共7页
柱塞泵关键摩擦副磨损造成的泄漏增大是其性能退化的主要原因,预测泄漏量的变化趋势有助于定量分析柱塞泵性能退化过程。该研究使用HP(Hodrick-Proscott)滤波对柱塞泵泄漏量进行分解,结合滤波后得到的趋势数据具有非线性及方差异性的特... 柱塞泵关键摩擦副磨损造成的泄漏增大是其性能退化的主要原因,预测泄漏量的变化趋势有助于定量分析柱塞泵性能退化过程。该研究使用HP(Hodrick-Proscott)滤波对柱塞泵泄漏量进行分解,结合滤波后得到的趋势数据具有非线性及方差异性的特征,基于时间序列方法建立HP-ARIMA-GARCH(HP-Auto Regressive Integrated Moving Average-Generalized Autoregressive Conditionally Heteroscedastic)模型预测柱塞泵泄漏量变化。通过不同时段泄漏量预测结果比较可知,根据HP滤波分解后得到的趋势数据序列建立的HP-ARIMA-GARCH模型较传统时间序列模型预测结果的平均相对误差最高可减小5.42个百分点,能够实现对泄漏量的有效预测。研究结论可为柱塞泵性能退化的定量预测提供理论参考。 展开更多
关键词 柱塞泵 模型 泄漏量预测 HP滤波 ARIMA-GARCH 性能退化
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Wellbore leakage risk management in CO_(2) geological utilization and storage: A review 被引量:1
9
作者 Xuebin Su Sinan Liu +4 位作者 Liwei Zhang Guizhen Liu Yan Wang Manguang Gan Xiaochun Li 《Energy Reviews》 2023年第4期35-48,共14页
CO_(2) geological utilization and storage(CGUS)is an important technology to achieve a deep cut of global CO_(2) emissions.CO_(2) leakage from the subsurface may impair the performance of CGUS projects,and the CO_(2) ... CO_(2) geological utilization and storage(CGUS)is an important technology to achieve a deep cut of global CO_(2) emissions.CO_(2) leakage from the subsurface may impair the performance of CGUS projects,and the CO_(2) leakage through wellbores is the most common leakage pathway.This paper proposes a workflow for wellbore CO_(2) leakage risk management,and the workflow consists of the following steps:i)leakage risk identification;ii)leakage risk evaluation;iii)leakage risk monitoring;iv)leakage handling.Representative approaches in each step of the workflow are systematically reviewed.Key challenges of wellbore CO_(2) leakage risk management include:lack of effective detection and evaluation approaches to tackle the CO_(2) leakage risk induced by cement failure;lack of low-cost acid resistance alloys and CO_(2)-resistant cement;lack of automated monitoring systems that could enable automated shutdowns of the wellbore whenever certain warning criteria are met. 展开更多
关键词 CO_(2)storage CGUS Wellbore leakage Risk evaluation Monitoring Cement degradation
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JFET区宽度对SiC MOSFET单粒子效应的影响
10
作者 许明康 贾云鹏 +6 位作者 周新田 胡冬青 吴郁 唐蕴 黎荣佳 赵元富 王亮 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第12期2295-2303,共9页
SiC MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)关键参数——结型场效应晶体管(JFET)区宽度一直被认为是SiC MOSFET单粒子效应的主要影响因素。针对这一影响因素,以同一结构不同JFET区宽度的1.2 kV SiC MOSFET器件为对象进行单粒子效应实验... SiC MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)关键参数——结型场效应晶体管(JFET)区宽度一直被认为是SiC MOSFET单粒子效应的主要影响因素。针对这一影响因素,以同一结构不同JFET区宽度的1.2 kV SiC MOSFET器件为对象进行单粒子效应实验,探究JFET区宽度对器件单粒子烧毁阈值电压、漏电退化阈值电压以及负栅压条件下器件性能的影响。结果表明:随着JFET区宽度的减小,漏电退化阈值电压增大;减小器件JFET区宽度可有效改善器件的抗单粒子效应能力;在负栅压条件下对器件单粒子效应也会有此效果。采用Sentaurus TCAD进行模拟仿真,模拟结果证实,JFET区宽度以及负栅压的变化会影响氧化层下JFET区内空穴的积累,随之影响氧化层电场强度,从而影响器件单粒子漏电退化,与实验结果相符。以上结果为SiC MOSFET抗单粒子效应加固提供了理论基础。 展开更多
关键词 碳化硅 漏电退化 单粒子效应 抗辐照
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压敏电阻冲击老化过程中温度对静态参数影响分析 被引量:4
11
作者 曹洪亮 谭涌波 +2 位作者 陈则煌 邢扬 李鹏飞 《电瓷避雷器》 CAS 北大核心 2015年第6期159-162,共4页
研究了冲击老化过程中温度对压敏电压和泄漏电流的影响。研究表明,压敏电压呈现弱的负温度特性。随着冲击次数增加,压敏电压与温度的相关性有增强趋势,而且压敏电压随温度变化的波动变得明显。泄漏电流受温度影响较大。随着温度上升,泄... 研究了冲击老化过程中温度对压敏电压和泄漏电流的影响。研究表明,压敏电压呈现弱的负温度特性。随着冲击次数增加,压敏电压与温度的相关性有增强趋势,而且压敏电压随温度变化的波动变得明显。泄漏电流受温度影响较大。随着温度上升,泄漏电流呈指数函数上升,具有较强的正温度特性,且随着冲击次数增加,正温度特性越强。 展开更多
关键词 温度 氧化锌压敏电压 泄漏电流 冲击老化 势垒
原文传递
基于漏电流频域特性的变频电机对地绝缘在线监测方法 被引量:2
12
作者 王云龙 牛峰 +3 位作者 张健 黄晓艳 吴立建 方攸同 《电机与控制学报》 EI CSCD 北大核心 2022年第11期114-121,共8页
随着变频电机系统广泛应用于工业领域,在电机控制性能显著提高的同时,电机系统的可靠性问题愈发突出。为了保证变频电机系统的可靠运行,需要实时在线监测变频电机对地绝缘状态。通过分析变频电机漏电流的产生机理和流通路径,提出了漏电... 随着变频电机系统广泛应用于工业领域,在电机控制性能显著提高的同时,电机系统的可靠性问题愈发突出。为了保证变频电机系统的可靠运行,需要实时在线监测变频电机对地绝缘状态。通过分析变频电机漏电流的产生机理和流通路径,提出了漏电流的频域数学模型,分析了漏电流频域特性及其演变规律,漏电流谐波分量随绝缘电阻减小和绝缘电容增大而增大。进而提出一种基于漏电流频域特性的变频电机对地绝缘状态在线监测方法,实现绝缘电阻和绝缘电容的解耦评估,并且提出的监测方法不受绝缘退化位置影响。实验测试结果与理论分析结果一致,验证了所提出方法的有效性。 展开更多
关键词 变频电机 漏电流 频域特性 对地绝缘 绝缘退化 在线监测
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水溶性农药稻田流失特性研究 被引量:1
13
作者 沈根祥 黄沈发 +2 位作者 陆贻通 张大弟 唐浩 《农村生态环境》 CSSCI CSCD 北大核心 2005年第3期43-46,共4页
通过大田试验和测坑试验,研究了水溶性农药的稻田流失特性及其影响因素,在此基础上得到了杀虫单和乐果的稻田流失量。结果表明:杀虫单的稻田排水流失量为208.0g·hm-2,渗漏流失量为222.0g·hm-2,总流失量为其稻季用量的14.3%;... 通过大田试验和测坑试验,研究了水溶性农药的稻田流失特性及其影响因素,在此基础上得到了杀虫单和乐果的稻田流失量。结果表明:杀虫单的稻田排水流失量为208.0g·hm-2,渗漏流失量为222.0g·hm-2,总流失量为其稻季用量的14.3%;乐果的稻田排水流失量为238.5g·hm-2,渗漏流失量为160.8g·hm-2,总流失量为其稻季用量的13.4%。 展开更多
关键词 水溶性农药 杀虫单 乐果 稻田 排水 渗漏 流失 降解
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AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管漏电流退化机理研究 被引量:2
14
作者 任舰 闫大为 顾晓峰 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第15期383-388,共6页
本文首先制备了与AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构与特性等效的AlGaN/GaN异质结肖特基二极管,采用步进应力测试比较了不同栅压下器件漏电流的变化情况,然后基于电流-电压和电容-电压测试验证了退化前后漏电流的传输机理,并使用... 本文首先制备了与AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构与特性等效的AlGaN/GaN异质结肖特基二极管,采用步进应力测试比较了不同栅压下器件漏电流的变化情况,然后基于电流-电压和电容-电压测试验证了退化前后漏电流的传输机理,并使用失效分析技术光发射显微镜(EMMI)观测器件表面的光发射,研究了漏电流的时间依赖退化机理.实验结果表明:在栅压高于某临界值后,器件漏电流随时间开始增加,同时伴有较大的噪声.将极化电场引入电流与电场的依赖关系后,器件退化前后的log(IFP/E)与√E都遵循良好的线性关系,表明漏电流均由电子Frenkel-Poole(FP)发射主导.退化后log(IFP/E)与√E曲线斜率的减小,以及利用EMMI在栅边缘直接观察到了与缺陷存在对应关系的"热点",证明了漏电流退化的机理是:高电场在AlGaN层中诱发了新的缺陷,而缺陷密度的增加导致了FP发射电流IFP的增加. 展开更多
关键词 ALGAN GAN 高电子迁移率晶体管 漏电流 退化机理
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桥塞漏失原因分析及对策 被引量:1
15
作者 蔡守林 张传清 +3 位作者 张志成 宋金涛 赵文凯 王海兵 《石化技术》 CAS 2015年第1期58 21-,21,共2页
本文主要从桥塞的结构\工作原理、施工过程、技术要求方面进行了分析,并针对造成桥塞漏失的主要原因制定了防范措施,保证了桥塞的成功封堵。
关键词 桥塞封堵 漏失 胶筒老化
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深亚微米MOS晶体管总剂量效应模型研究
16
作者 李斌 许跃彬 潘元真 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期735-738,774,共5页
总剂量辐照效应会在器件氧化层中引入固定电荷和界面态。对于深亚微米CMOS器件而言,栅氧化层非常薄,固定电荷和界面态的变化不明显,而STI(Shallow Trench Isolation)场氧隔离区中电荷变化却相对明显,构成了器件静态泄漏电流产生的主要... 总剂量辐照效应会在器件氧化层中引入固定电荷和界面态。对于深亚微米CMOS器件而言,栅氧化层非常薄,固定电荷和界面态的变化不明显,而STI(Shallow Trench Isolation)场氧隔离区中电荷变化却相对明显,构成了器件静态泄漏电流产生的主要原因。针对此现象,通过引入表面势分量φrad,描述了总剂量辐照效应下STI场氧隔离区固定电荷和界面态变化特性,对STI场氧隔离区引入的寄生晶体管进行建模,修正了漏电流方程,新的模型可以较准确地描述深亚微米CMOS器件在总剂量辐照应力下的退化特性。 展开更多
关键词 总剂量效应 浅沟道隔离 泄漏电流 退化
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一种软硬件协同控制的片上缓存功耗优化方法
17
作者 李嵩 褚廷斌 袁正希 《电子技术应用》 北大核心 2016年第2期6-8,13,共4页
片上多处理器系统的发展导致片上高速缓存的所占面积急剧增加,其对应的泄露功耗也相应增加。将高速缓存行划分成3部分进行控制,其中数据部分的访问分为协议访问和数据访问两部分,每部分支持多种工作模式来进行管控。通过工作模式的切换... 片上多处理器系统的发展导致片上高速缓存的所占面积急剧增加,其对应的泄露功耗也相应增加。将高速缓存行划分成3部分进行控制,其中数据部分的访问分为协议访问和数据访问两部分,每部分支持多种工作模式来进行管控。通过工作模式的切换对高速缓存的三部分进行管控可以使漏过功耗平均减少76.78%,但相应的性能损失最高会达到7.74%。由于性能损失较大,提出了一种改进的高速缓存衰退的方法来优化管控策略。这种策略不仅能够把性能损失控制在3%以下,而且能够保证平均能耗优化达到近75%。 展开更多
关键词 片上多处理器 高速缓存 漏过功耗 性能损失
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GaN基肖特基势垒二极管的漏电流传输与退化机制
18
作者 任舰 苏丽娜 +2 位作者 李文佳 闫大为 顾晓峰 《半导体光电》 CAS 北大核心 2019年第6期802-805,共4页
通过比较反向偏压下AlGaN/GaN异质结肖特基势垒二极管(SBD)和GaN SBD的电流特性、电场分布和光发射位置,研究了GaN基SBD的漏电流传输与退化机制。结果表明,AlGaN/GaN SBD退化前后漏电流均由Frenkel-Poole(FP)发射机制主导,而GaN SBD低... 通过比较反向偏压下AlGaN/GaN异质结肖特基势垒二极管(SBD)和GaN SBD的电流特性、电场分布和光发射位置,研究了GaN基SBD的漏电流传输与退化机制。结果表明,AlGaN/GaN SBD退化前后漏电流均由Frenkel-Poole(FP)发射机制主导,而GaN SBD低场下为FP发射电流,高场下则为Fowler-Nordheim(FN)隧穿电流。电场模拟和光发射测试结果表明,引起退化的主要原因是高电场,由于结构不同,两种SBD的退化机制和退化位置并不相同。根据实验结果,提出了一种高场FN隧穿退化模型,该模型强调应力后三角势垒变薄导致FN隧穿增强是GaN SBD退化的内在机制。 展开更多
关键词 GAN ALGAN/GAN 漏电流 肖特基势垒二极管 退化
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国产小型氯气透平压缩机运行
19
作者 袁相春 《氯碱工业》 CAS 2020年第5期22-24,共3页
介绍国产小型氯气透平压缩机的内部流程。针对小型氯气透平压缩机运行中出现的各种问题(轴振动波动大、漏氯气、压缩机性能下降、油压低等),给出相应的解决措施。提出生产中的注意事项和控制措施,以确保压缩机长期、安全、稳定、高效运行。
关键词 氯气透平压缩机 工艺流程 轴振动 氯气泄漏 性能下降 机油压力 机油温度 解决措施
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智能防雷监测系统案例分析
20
作者 丰玲玉 尹群 《建筑电气》 2019年第6期22-25,共4页
以某行政办公区项目应用案例作为典型分析,讨论智能防雷监测系统架构、实际应用、系统功能,总结智能防雷监测系统的价值及未来发展前景。
关键词 智能防雷监测系统 SPD 漏电流 劣化趋势 雷击峰值 云平台管理 实时监测 故障告警
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