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LED芯片漏电原因分析 被引量：1
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作者 杨冲 王忆 林海恋 《中国照明电器》 2014年第6期8-10,共3页
LED芯片漏电参数(IR)是判断芯片良率及性能检测的重要参数,但芯片漏电现象一直存在并困扰着业内的工程师。从芯片制造工艺技术出发,详细分析了制造过程中引起LED芯片漏电的潜在原因,包括:电子束蒸镀ITO层时,薄膜缺陷可能带来的芯片潜在... LED芯片漏电参数(IR)是判断芯片良率及性能检测的重要参数,但芯片漏电现象一直存在并困扰着业内的工程师。从芯片制造工艺技术出发,详细分析了制造过程中引起LED芯片漏电的潜在原因,包括:电子束蒸镀ITO层时,薄膜缺陷可能带来的芯片潜在漏电原因;钝化层沉积时,薄膜缺陷可能带来的芯片潜在漏电原因;芯片切割裂片时,切割裂片工艺以及芯片成品包装时可能带来的芯片潜在漏电原因。 展开更多
关键词 芯片制造工艺 漏电参数(ir) 漏电原因
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