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PMS对PBSZT压电陶瓷结构与性能的影响
1
作者 黄小琴 刘其斌 张诚 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2014年第9期14-17,共4页
采用传统固相合成法制备了Pb(Mn1/3Sb2/3)O3掺杂的(1–x)(Pb0.92Ba0.02Sr0.06)(Zr0.52Ti0.48)O3-xPb(Mn1/3Sb2/3)O3[xPMS-(1–x)PBSZT]压电陶瓷。通过XRD、SEM和准静态d33仪等手段探讨了PMS掺杂量对xPMS-(1–x)PBSZT陶瓷样品的相结构、... 采用传统固相合成法制备了Pb(Mn1/3Sb2/3)O3掺杂的(1–x)(Pb0.92Ba0.02Sr0.06)(Zr0.52Ti0.48)O3-xPb(Mn1/3Sb2/3)O3[xPMS-(1–x)PBSZT]压电陶瓷。通过XRD、SEM和准静态d33仪等手段探讨了PMS掺杂量对xPMS-(1–x)PBSZT陶瓷样品的相结构、显微结构和电性能的影响。结果表明:适量的PMS掺杂有助于降低陶瓷样品的烧结温度,x=0.01的样品在1 230℃烧结具有最大体积密度7.83 g/cm3。当x=0.02时,其具有最佳综合电性能,主要参数为:d33=349pC/N,kp=0.592,εr=1 587,tanδ=0.46%。 展开更多
关键词 锑锰锆钛酸铅 压电陶瓷 压电性能 介电性能 掺杂 准同型相界
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SiO_2对低温烧结PMSZT压电陶瓷性能的影响 被引量：5
2
作者 何杰 孙清池 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2008年第2期224-227,共4页
探讨了低温烧结时SiOz掺杂对锑锰锆钛酸铅Pb（Mn1/3Sb2/3）0.06Zr0．47Ti0.48O3（PMSZT）压电陶瓷性能的影响，通过X-射线衍射及扫描电镜分析Pb（Mn1/3Sb2/3）0.05Zr0.47Ti0.48O3＋w（SiO2）（w=0．05％～0．30％，质量分数）陶瓷的相... 探讨了低温烧结时SiOz掺杂对锑锰锆钛酸铅Pb（Mn1/3Sb2/3）0.06Zr0．47Ti0.48O3（PMSZT）压电陶瓷性能的影响，通过X-射线衍射及扫描电镜分析Pb（Mn1/3Sb2/3）0.05Zr0.47Ti0.48O3＋w（SiO2）（w=0．05％～0．30％，质量分数）陶瓷的相组成和显微结构。结果表明，合成温度900℃时，可得到钙钛矿结构。w（SiO2）不同时PMSZT试样均为四方相和三方相共存，随着w（SiO2）的增加，三方相在准同型相界中的比例略有增加。当w（SiO2）=0．10％时，得到电性能优良的压电陶瓷，相对介电常数ε33^T／ε0=1290，介质损耗tan δ=0．4％，压电常数d33=264pC／N，机电耦合系数kp=0．59，机械品质因数Qm=3113。SiO2的加入使PMSZT陶瓷的居里温度降低，谐振频率随温度的变化几乎都是正。 展开更多
关键词 压电陶瓷 锑锰锆钛酸铅 SIO2 低温烧结
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烧结温度对PMSZT压电陶瓷性能的影响 被引量：4
3
作者 何杰 孙清池 +1 位作者 刘培祥 李红元 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第A01期195-198,共4页
探讨了烧结温度对Sio2掺杂锑锰锆钛酸铅Pb（Mn1／3Sb2／3）0.05Zr0.47Ti0.48O3（简称PMSZT）压电陶瓷性能的影响。通过X射线衍射及扫描电镜分析Pb（Mn1／3Sb2／3）0.05Zr0.47Ti0.48O3＋0．1％（SiO2）（质量分数）陶瓷的相组成和显微结... 探讨了烧结温度对Sio2掺杂锑锰锆钛酸铅Pb（Mn1／3Sb2／3）0.05Zr0.47Ti0.48O3（简称PMSZT）压电陶瓷性能的影响。通过X射线衍射及扫描电镜分析Pb（Mn1／3Sb2／3）0.05Zr0.47Ti0.48O3＋0．1％（SiO2）（质量分数）陶瓷的相组成和显微结构。结果表明：合成温度900℃时，可以得到钙钛矿结构。对于适量SiO2掺杂PMSZT压电陶瓷，可以在1100～1150℃时烧结实现致密化，并且介电压电性能较好，当烧结温度为1100℃时综合性能最佳，ε33^T／c0=1290，tanδ=0．45％，d33=264pC／N，Kp=0．59，Qm=2400。 展开更多
关键词 压电陶瓷 锑锰锆钛酸铅 SIO2 低温烧结
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Pr_6O_(11)掺杂锑锰锆钛酸铅压电陶瓷的温度稳定性 被引量：1
4
作者 岳华瑾 孙清池 陆翠敏 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期1050-1054,共5页
探讨了Pr6O11掺杂对锑锰锆钛酸铅Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3(leadantimony-manganesezirconatetitanate,PMSZT)压电陶瓷温度稳定性的影响。测定和分析了样品的谐振频率fr,弹性柔顺系数S11E,相对介电常数εr,横向机电耦合系数K31... 探讨了Pr6O11掺杂对锑锰锆钛酸铅Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3(leadantimony-manganesezirconatetitanate,PMSZT)压电陶瓷温度稳定性的影响。测定和分析了样品的谐振频率fr,弹性柔顺系数S11E,相对介电常数εr,横向机电耦合系数K31,压电系数d31在-20～80℃之间随温度的变化。结果表明:与未掺杂的样品相比,掺杂适量Pr6O11的PMSZT陶瓷具有较低的Curie温度,而且体系的压电系数d31的温度稳定性较好,同时机电耦合系数K31的温度稳定性也得到了改善。当掺杂Pr6O11的质量分数为0.05%时,能得到机电性能优良的压电陶瓷,εr=1650,tanδ=0.006,d33=350pC/N,平面机电耦合系数Kp=0.67,机械品质因数Qm=2000。 展开更多
关键词 锑锰锆钛酸铅 氧化镨掺杂 温度稳定性 电性能 显微结构
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不同铅气氛对PMSZT压电陶瓷机电性能的影响 被引量：1
5
作者 祝兰 陈亚君 常鹏 《陕西科技大学学报（自然科学版）》 2009年第4期38-42,共5页
采用固相烧结法制备了三元系压电陶瓷Pb0.98Sr0.02（Mn1/3Sb2/3）x（Zr0.5Ti0.5）1-xO3（0%〈x〈0.1）（PMSZT），研究了铅气氛和非铅气氛保护条件烧结对其相结构、微观结构、介电性能以及压电性能的影响．实验结果表明：在烧结温度1100... 采用固相烧结法制备了三元系压电陶瓷Pb0.98Sr0.02（Mn1/3Sb2/3）x（Zr0.5Ti0.5）1-xO3（0%〈x〈0.1）（PMSZT），研究了铅气氛和非铅气氛保护条件烧结对其相结构、微观结构、介电性能以及压电性能的影响．实验结果表明：在烧结温度1100-1300℃范围内，铅气氛保护烧结的试样其综合性能优于非铅气氛保护烧结的试样．铅气氛保护条件下于1200℃得到最佳性能：εr=1717、d33=301、Kp=0．55、tanδ=0．42％、Qm=1453． 展开更多
关键词 压电陶瓷 锑锰锆钛酸铅 压电性能
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烧结温度对PMSZT压电陶瓷相结构和机电性能的影响
6
作者 祝兰 刘彭义 +1 位作者 陈亚君 常鹏 《暨南大学学报（自然科学与医学版）》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期518-522,共5页
采用固相合成法制备了三元系压电陶瓷Pb0.98Sr0.02(Mn1/3Sb2/3)x(Zr0.5Ti0.5)1-xO3(0<x<0.1)(PM-SZT),研究了不同烧结温度对其相结构、微观结构、介电性能及压电性能的影响.实验结果表明:在烧结温度范围内,均可以得到纯的钙钛矿... 采用固相合成法制备了三元系压电陶瓷Pb0.98Sr0.02(Mn1/3Sb2/3)x(Zr0.5Ti0.5)1-xO3(0<x<0.1)(PM-SZT),研究了不同烧结温度对其相结构、微观结构、介电性能及压电性能的影响.实验结果表明:在烧结温度范围内,均可以得到纯的钙钛矿结构的PMSZT陶瓷.随着烧结温度的升高,物相组成由四方相向三方相转变,机械品质因数Qm持续减小,相对介电常数εr、机电耦合系数Kp、压电常数d33先增加后减小,介电损耗tanδ先减小后增加.烧结温度为1200℃时得到最佳的综合性能:Qm=1500、εr=1866、Kp=0.56、d33=326、tanδ=0.4%. 展开更多
关键词 压电陶瓷 锑锰锆钛酸铅 压电性能
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