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题名PECVD技术制备单层光学薄膜抗激光损伤特性研究
被引量：5
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作者
李鹏
杭凌侠
徐均琪
李林军
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机构
西安工业大学
陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室
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出处
《应用光学》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第2期206-213,共8页
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文摘
采用PECVD技术在BK7玻璃基底上沉积了不同厚度的单层SiO2(折射率为1.46)和SiNx(折射率为1.84)光学薄膜,并对这2种膜层进行抗激光损伤阈值(LIDT)测试,分析讨论了PECVD技术制备的单层光学薄膜与抗激光损伤特性之间的关系。实验结果表明:PECVD技术制备的单层SiO2薄膜有较高的LIDT,薄膜光学厚度在λo/4~λo/2之间时,在光学厚度为350nm时,LIDT有最小值21.7J/cm2,光学厚度为433nm时,LIDT有最大值27.9J/cm2。SiNx薄膜的LIDT随着光学厚度增加而减小,在光学厚度为λo/4时,LIDT有最大值29.3J/cm2,光学厚度为λo/2时,LIDT有最小值4.9J/cm2。
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关键词
PECVD
光学薄膜
激光损伤阈值
激光损伤特性测试装置
损伤形貌
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Keywords
plasma enhanced chemical vapor deposition technology
optical thin films
laser-induced damage thresholds
laser damage testing equipment
morphologies of damage
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分类号
O484.41
[理学—固体物理]
TN24
[理学—物理]
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