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功率器件粗铝丝键合脱键失效机理分析 被引量：1
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作者 路聪阁 鲍禹希 +4 位作者 李彩然 刘彤 张国良 宋云鹤 任宇欣 《广东化工》 CAS 2022年第13期87-89,83,共4页
粗铝丝键合具备过流大、键合灵活的优点,被广泛应用于VDMOS等大功率器件的封装。但功率器件工作时发热量大,粗铝丝/金层键合系统在长时间高温的环境下,容易发生引线剥离脱落,导致器件失效。本文利用SEM/EDS以及FIB等测试手段,系统研究了... 粗铝丝键合具备过流大、键合灵活的优点,被广泛应用于VDMOS等大功率器件的封装。但功率器件工作时发热量大,粗铝丝/金层键合系统在长时间高温的环境下,容易发生引线剥离脱落,导致器件失效。本文利用SEM/EDS以及FIB等测试手段,系统研究了Al/Au界面的金属间化合物(intermetallic compound,IMC)及柯肯达尔空洞(kirkendall hole)的形成对粗铝丝键合脱键失效的影响。结果表明:粗铝丝键合脱键是源于高温过程中,金铝之间形成多种金属间化合物,引起体积变化,形成了连续的柯肯达尔空洞,最终导致键合脱键失效;降低金层厚度可以有效降低粗铝丝脱键导致的失效风险。 展开更多
关键词 铝丝键合 金属间化合物(IMC) 柯肯达尔空洞 脱键 功率器件
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