期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
3
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
结温对高显指低色温白光LED光谱特性的影响
被引量：
5
1
作者
梁田静
张方辉
+1 位作者
邱西振
李燕菲
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第24期3389-3392,共4页
将MEH-PPV混合入YAG荧光粉中,并利用实验室自主研发的一种集成封装LED散热支架替代传统支架,该支架可利用热电偶直接测量出结温。研究了结温对混合MEH-PPV的白光LED光谱特性的影响。实验表明,随着结温的不断升高,蓝光光谱峰值随着结温...
将MEH-PPV混合入YAG荧光粉中,并利用实验室自主研发的一种集成封装LED散热支架替代传统支架,该支架可利用热电偶直接测量出结温。研究了结温对混合MEH-PPV的白光LED光谱特性的影响。实验表明,随着结温的不断升高,蓝光光谱峰值随着结温的升高而不断下降,发生红移;荧光粉的吸收增强,黄光波段和红光波段的光谱峰值先增后减,并且红光波段的光谱发生蓝移;器件的显色指数从90.3下降至78.6,色温从3265K先快速升高至3672K,随后又缓慢下降至3612K,而光通量和发光效率则表现为先上升后下降,且它们的下降趋势基本吻合。
展开更多
关键词
结温
有机荧光材料
MEH-PPV
光谱变化
下载PDF
职称材料
基于逆阻IGCT的可控关断电流源型高压直流换流器电气应力和损耗特性分析
被引量：
4
2
作者
陈龙龙
魏晓光
+4 位作者
张闻闻
崔翔
高冲
贺之渊
汤广福
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2023年第4期1537-1546,共10页
逆阻型集成门极换流晶闸管(reverse blocking integrated gate-commutated thyristor,RB-IGCT)的出现,为可控关断的电流源型换流器(current source converter,CSC)的研究奠定了基础。为了推动器件在高压直流输电领域的应用,文中首先介...
逆阻型集成门极换流晶闸管(reverse blocking integrated gate-commutated thyristor,RB-IGCT)的出现,为可控关断的电流源型换流器(current source converter,CSC)的研究奠定了基础。为了推动器件在高压直流输电领域的应用,文中首先介绍最新研制的4500V/3000A逆阻IGCT的技术参数;其次,介绍CSC拓扑方案,提出子模块缓冲电路,能够实现器件的动态均压和IGCT取能的要求;接着,以换流阀电压和电阻损耗最低为约束条件,给出子模块串联数、缓冲电路参数设计和损耗分析等综合优化方法;然后,搭建250kV/750MW的LCC-CSC混合输电系统模型,给出缓冲电路和主要杂散参数的范围;最后,基于研制的4500V/3000A的逆阻IGCT子模块,验证所提缓冲电路的有效性,并对比分析在该参数下CSC、传统直流和柔性直流的损耗情况。结果表明,由逆阻IGCT串联构成的CSC,相对于传统直流换流阀具有可控关断的技术优势,相对于柔直换流阀,具有器件少、损耗低等优势。
展开更多
关键词
逆阻型集成门极换流晶闸管
电流源换流器
缓冲电路
测试模块
结温计算
下载PDF
职称材料
多芯片LED器件热学特性分析
被引量：
5
3
作者
陈焕庭
陈福昌
+4 位作者
何洋
林硕
熊传兵
周锦荣
陈赐海
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第5期751-756,共6页
由于芯片之间存在的热耦合效应,多芯片LED器件内部存在复杂热学规律。本文通过多芯片LED热学模型描述多芯片LED器件系统内部热阻支路路径,进而通过有限体积数值计算多芯片LED器件结温。通过本文试验验证,单颗芯片、2颗芯片、3颗芯片以及...
由于芯片之间存在的热耦合效应,多芯片LED器件内部存在复杂热学规律。本文通过多芯片LED热学模型描述多芯片LED器件系统内部热阻支路路径,进而通过有限体积数值计算多芯片LED器件结温。通过本文试验验证,单颗芯片、2颗芯片、3颗芯片以及4颗芯片在负载不同电功率(0.3~1.2 W)情况下,结温的测试值和计算值的最小误差值为0.8%,最大误差值为6.8%,平均误差值为3.4%,计算结果与测试结果基本保持一致,因此有利论证了多芯片LED热学模型可为评价多芯片LED器件热学性能提供重要的参考作用,有助于更全面分析多芯片LED热阻内部芯片之间的热耦合效应。该实验结果为准确预测多芯片LED器件内部结温提供了重要理论依据。
展开更多
关键词
多芯片LED器件
热学特性
热耦合效应
结温
有限体积法
下载PDF
职称材料
题名
结温对高显指低色温白光LED光谱特性的影响
被引量：
5
1
作者
梁田静
张方辉
邱西振
李燕菲
机构
陕西科技大学电气与信息工程学院
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第24期3389-3392,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(61076066)
陕西科技大学博士基金资助项目(BJ09-07)
陕西科技大学自然科学基金资助项目(ZX09-31)
文摘
将MEH-PPV混合入YAG荧光粉中,并利用实验室自主研发的一种集成封装LED散热支架替代传统支架,该支架可利用热电偶直接测量出结温。研究了结温对混合MEH-PPV的白光LED光谱特性的影响。实验表明,随着结温的不断升高,蓝光光谱峰值随着结温的升高而不断下降,发生红移;荧光粉的吸收增强,黄光波段和红光波段的光谱峰值先增后减,并且红光波段的光谱发生蓝移;器件的显色指数从90.3下降至78.6,色温从3265K先快速升高至3672K,随后又缓慢下降至3612K,而光通量和发光效率则表现为先上升后下降,且它们的下降趋势基本吻合。
关键词
结温
有机荧光材料
MEH-PPV
光谱变化
Keywords
junction
temperation
organic
fluorescent
material
MEH-PPV
spectral
changes
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
基于逆阻IGCT的可控关断电流源型高压直流换流器电气应力和损耗特性分析
被引量：
4
2
作者
陈龙龙
魏晓光
张闻闻
崔翔
高冲
贺之渊
汤广福
机构
新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学)
先进输电技术国家重点实验室(全球能源互联网研究院有限公司)
出处
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2023年第4期1537-1546,共10页
基金
国家电网公司科技项目(基于可控关断的电流源型换流器关键技术研究及样机研制)(5211DS20001H)。
文摘
逆阻型集成门极换流晶闸管(reverse blocking integrated gate-commutated thyristor,RB-IGCT)的出现,为可控关断的电流源型换流器(current source converter,CSC)的研究奠定了基础。为了推动器件在高压直流输电领域的应用,文中首先介绍最新研制的4500V/3000A逆阻IGCT的技术参数;其次,介绍CSC拓扑方案,提出子模块缓冲电路,能够实现器件的动态均压和IGCT取能的要求;接着,以换流阀电压和电阻损耗最低为约束条件,给出子模块串联数、缓冲电路参数设计和损耗分析等综合优化方法;然后,搭建250kV/750MW的LCC-CSC混合输电系统模型,给出缓冲电路和主要杂散参数的范围;最后,基于研制的4500V/3000A的逆阻IGCT子模块,验证所提缓冲电路的有效性,并对比分析在该参数下CSC、传统直流和柔性直流的损耗情况。结果表明,由逆阻IGCT串联构成的CSC,相对于传统直流换流阀具有可控关断的技术优势,相对于柔直换流阀,具有器件少、损耗低等优势。
关键词
逆阻型集成门极换流晶闸管
电流源换流器
缓冲电路
测试模块
结温计算
Keywords
reverse
blocking
integrated
gate-commutated
thyristor(RB-IGCT)
current
source
converter
buffer
circuit
test
module
junction
temper
calculation
分类号
TM46 [电气工程—电器]
下载PDF
职称材料
题名
多芯片LED器件热学特性分析
被引量：
5
3
作者
陈焕庭
陈福昌
何洋
林硕
熊传兵
周锦荣
陈赐海
机构
闽南师范大学物理与信息工程学院
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第5期751-756,共6页
基金
福建省杰出青年自然科学基金(2016J06016)
国家自然科学基金(61307059
+8 种基金
61405086)
福建省高等学校新世纪优秀人才支持计划
漳州市自然科学基金(ZZ2017J04)
福建省自然科学基金(2016J01758
2017J01772)
福建省教育厅科技项目(JAT160284
JK2017033
JAT160303)
国家级大学生创新创业训练计划项目(201710402016)资助~~
文摘
由于芯片之间存在的热耦合效应,多芯片LED器件内部存在复杂热学规律。本文通过多芯片LED热学模型描述多芯片LED器件系统内部热阻支路路径,进而通过有限体积数值计算多芯片LED器件结温。通过本文试验验证,单颗芯片、2颗芯片、3颗芯片以及4颗芯片在负载不同电功率(0.3~1.2 W)情况下,结温的测试值和计算值的最小误差值为0.8%,最大误差值为6.8%,平均误差值为3.4%,计算结果与测试结果基本保持一致,因此有利论证了多芯片LED热学模型可为评价多芯片LED器件热学性能提供重要的参考作用,有助于更全面分析多芯片LED热阻内部芯片之间的热耦合效应。该实验结果为准确预测多芯片LED器件内部结温提供了重要理论依据。
关键词
多芯片LED器件
热学特性
热耦合效应
结温
有限体积法
Keywords
multichip
light-emitting
diodes
device
thermal
characteristics
thermal
coupling
effect
junction
temper
-ature
finite
volume
method
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
结温对高显指低色温白光LED光谱特性的影响
梁田静
张方辉
邱西振
李燕菲
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
5
下载PDF
职称材料
2
基于逆阻IGCT的可控关断电流源型高压直流换流器电气应力和损耗特性分析
陈龙龙
魏晓光
张闻闻
崔翔
高冲
贺之渊
汤广福
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2023
4
下载PDF
职称材料
3
多芯片LED器件热学特性分析
陈焕庭
陈福昌
何洋
林硕
熊传兵
周锦荣
陈赐海
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
5
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
