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一种高压精密低输入偏置电流JFET型放大器
1
作者
张键
胡辉勇
+1 位作者
周远杰
何峥嵘
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2023年第6期527-532,共6页
基于40 V高压互补双极性结型晶体管(BJT)兼容结型场效应晶体管(JFET)工艺,设计了一种高压精密低输入偏置电流JFET型放大器,介绍了放大器总体架构以及工作原理。电路内部采用JFET输入器件降低输入偏置电流,提高带宽,用修调电阻降低输入...
基于40 V高压互补双极性结型晶体管(BJT)兼容结型场效应晶体管(JFET)工艺,设计了一种高压精密低输入偏置电流JFET型放大器,介绍了放大器总体架构以及工作原理。电路内部采用JFET输入器件降低输入偏置电流,提高带宽,用修调电阻降低输入失调电压;采用四核跨导结构优化中间级提高运放的压摆率;输出级采用互补推挽输出结构防止交越失真,同时提高功率驱动能力;偏置电路利用JFET作恒流源,保证在不同工作电压下稳定供电。芯片流片测试结果表明,该放大器在±5~±13 V工作电压条件下,输入失调电压≤80μV;输入偏置电流≤1.5 pA;开环增益≥107 dB;增益带宽积≥25 MHz;压摆率≥50 V/μs。
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关键词
低失调电压
低输入偏置电流
高精度
结型场效应管输入放大器
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职称材料
题名
一种高压精密低输入偏置电流JFET型放大器
1
作者
张键
胡辉勇
周远杰
何峥嵘
机构
西安电子科技大学
中国电子科技集团公司第二十四研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2023年第6期527-532,共6页
文摘
基于40 V高压互补双极性结型晶体管(BJT)兼容结型场效应晶体管(JFET)工艺,设计了一种高压精密低输入偏置电流JFET型放大器,介绍了放大器总体架构以及工作原理。电路内部采用JFET输入器件降低输入偏置电流,提高带宽,用修调电阻降低输入失调电压;采用四核跨导结构优化中间级提高运放的压摆率;输出级采用互补推挽输出结构防止交越失真,同时提高功率驱动能力;偏置电路利用JFET作恒流源,保证在不同工作电压下稳定供电。芯片流片测试结果表明,该放大器在±5~±13 V工作电压条件下,输入失调电压≤80μV;输入偏置电流≤1.5 pA;开环增益≥107 dB;增益带宽积≥25 MHz;压摆率≥50 V/μs。
关键词
低失调电压
低输入偏置电流
高精度
结型场效应管输入放大器
Keywords
low
offset
voltage
low
input
bias
current
high
precision
junction
field
effect
tran
⁃
sistor
(
jfet
)
input
amplifier
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
一种高压精密低输入偏置电流JFET型放大器
张键
胡辉勇
周远杰
何峥嵘
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2023
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