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4H-SiC结势垒肖特基二极管电子辐照效应测试分析 被引量：2
1
作者 刘超铭 肖一平 +8 位作者 王天琦 张庆豪 王祖军 李何依 冯绍辉 齐春华 张延清 马国亮 霍明学 《现代应用物理》 2021年第2期69-75,共7页
采用1 MeV电子辐照,开展了4H-SiC结势垒肖特基二极管(JBS)空间电子辐照效应测试分析。测试结果表明,随着辐照电子注量的增加,JBS的正向特性逐渐退化,串联电阻逐渐增加;电子注量为5×10^(14) cm^(-2)时,反向漏电流在高反向电压下有... 采用1 MeV电子辐照,开展了4H-SiC结势垒肖特基二极管(JBS)空间电子辐照效应测试分析。测试结果表明,随着辐照电子注量的增加,JBS的正向特性逐渐退化,串联电阻逐渐增加;电子注量为5×10^(14) cm^(-2)时,反向漏电流在高反向电压下有所增加;电子注量为5×10^(15) cm^(-2)时,反向漏电流明显降低;自由载流子浓度随辐照注量的增加而降低,载流子去除率约为0.37 cm^(-1)。通过对辐照前后的SiC外延片材料级辐照缺陷分析结果表明,电子辐照会在4H-SiC中引入体缺陷,如碳间隙原子、碳空位及其他复合缺陷;在较小注量下,辐照缺陷浓度随着辐照注量的增加而增加;当辐照注量超过5×10^(14) cm^(-2)时,出现了缺陷信号的淬灭现象。 展开更多
关键词 4H-SIC 结势垒肖特基二极管 光致发光 电子辐照 辐射效应
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2700V 4H-SiC结势垒肖特基二极管 被引量：1
2
作者 倪炜江 李宇柱 +5 位作者 李哲洋 李赟 王雯 贾铃铃 柏松 陈辰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期223-225,232,共4页
在76.2 mm 4H-SiC晶圆上采用厚外延技术和器件制作工艺研制的结势垒肖特基二极管(JBS)。在室温下,器件反向耐压达到2 700 V。正向开启电压为0.8 V,在V_F=2 V时正向电流密度122 A/cm^2,比导通电阻R_(on)=8.8 mΩ·cm^2。得到肖特基... 在76.2 mm 4H-SiC晶圆上采用厚外延技术和器件制作工艺研制的结势垒肖特基二极管(JBS)。在室温下,器件反向耐压达到2 700 V。正向开启电压为0.8 V,在V_F=2 V时正向电流密度122 A/cm^2,比导通电阻R_(on)=8.8 mΩ·cm^2。得到肖特基接触势垒qΦ_B=1.24 eV,理想因子n=1。 展开更多
关键词 4H—SiC 结势垒肖特基二极管 高耐压
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