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电子辐照NTD硅的少数载流子寿命
被引量：
1
1
作者
董友梅
李燕山
戴培英
《郑州大学学报（自然科学版）》
CAS
1997年第2期47-49,53,共4页
本文对电子辐照 NTD 硅中少数戴流子寿命τ的测量结果进行了分析,获得了未退火时τ与 T(77K～300K)的线性关系和寿命的相对偏差|△τ|/■(=|τ-■|)≤10%,这些结果表明样品的均匀性相当好。等时等温退火后的τ值显示样品具有较好的热稳...
本文对电子辐照 NTD 硅中少数戴流子寿命τ的测量结果进行了分析,获得了未退火时τ与 T(77K～300K)的线性关系和寿命的相对偏差|△τ|/■(=|τ-■|)≤10%,这些结果表明样品的均匀性相当好。等时等温退火后的τ值显示样品具有较好的热稳定性。
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关键词
电子辐照
NTD硅
少数载流子寿命
硅
热稳定性
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职称材料
高阻NTD-FZ-Si-P^+n结电子辐照缺陷能级N_2气氛的退火特性
2
作者
董友梅
戴培英
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第1期105-110,共6页
报导了高阻（８１～１１０Ω·ｃｍ）ＮＴＤＦＺＳｉＰ＋ｎ结中电子辐照缺陷态的退火特性。在Ｎ２气氛保护下进行等时、等温退火，测量了它们的ＤＬＴＳ谱和相应的少数载流子寿命，并对结果进行了分析讨论。
关键词
电子辐照
退火
少数载流子寿命
缺陷
P-N结
下载PDF
职称材料
题名
电子辐照NTD硅的少数载流子寿命
被引量：
1
1
作者
董友梅
李燕山
戴培英
机构
郑州大学图书馆
中州大学工程系
郑州大学物理工程学院
出处
《郑州大学学报（自然科学版）》
CAS
1997年第2期47-49,53,共4页
基金
河南省自然科学基金
文摘
本文对电子辐照 NTD 硅中少数戴流子寿命τ的测量结果进行了分析,获得了未退火时τ与 T(77K～300K)的线性关系和寿命的相对偏差|△τ|/■(=|τ-■|)≤10%,这些结果表明样品的均匀性相当好。等时等温退火后的τ值显示样品具有较好的热稳定性。
关键词
电子辐照
NTD硅
少数载流子寿命
硅
热稳定性
Keywords
electronic
radiation
NTD—si
isochronal
and
isothermal
annealing
minority
carrier
lifetime
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
O471 [理学—半导体物理]
下载PDF
职称材料
题名
高阻NTD-FZ-Si-P^+n结电子辐照缺陷能级N_2气氛的退火特性
2
作者
董友梅
戴培英
机构
郑州大学图书馆
郑州大学物理工程学院
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第1期105-110,共6页
基金
河南省科委和教委自然科学基金
文摘
报导了高阻（８１～１１０Ω·ｃｍ）ＮＴＤＦＺＳｉＰ＋ｎ结中电子辐照缺陷态的退火特性。在Ｎ２气氛保护下进行等时、等温退火，测量了它们的ＤＬＴＳ谱和相应的少数载流子寿命，并对结果进行了分析讨论。
关键词
电子辐照
退火
少数载流子寿命
缺陷
P-N结
Keywords
Electron
Irradiation
NTD
FZ
Si
P
+n
DLTS
isochron
ous
and
isothermal
annealing
Lifetime
of
Minority
Carrier
分类号
O474 [理学—半导体物理]
O475 [理学—物理]
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职称材料
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作者
出处
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1
电子辐照NTD硅的少数载流子寿命
董友梅
李燕山
戴培英
《郑州大学学报（自然科学版）》
CAS
1997
1
下载PDF
职称材料
2
高阻NTD-FZ-Si-P^+n结电子辐照缺陷能级N_2气氛的退火特性
董友梅
戴培英
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1999
0
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职称材料
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参考文献
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