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JLNT-FET和IMNT-FET中传导机制对电热特性影响研究
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作者 刘先婷 刘伟景 李清华 《微电子学》 CAS 北大核心 2023年第5期910-916,共7页
无结纳米管场效应晶体管(JLNT-FET)和反转模式纳米管场效应晶体管(IMNT-FET)因具有较好的驱动能力和对短沟道效应(SCE)卓越的抑制能力而被关注,自热效应(SHE)作为影响其电热性能的关键问题而被广泛研究。文章基于TCAD数值仿真,通过对环... 无结纳米管场效应晶体管(JLNT-FET)和反转模式纳米管场效应晶体管(IMNT-FET)因具有较好的驱动能力和对短沟道效应(SCE)卓越的抑制能力而被关注,自热效应(SHE)作为影响其电热性能的关键问题而被广泛研究。文章基于TCAD数值仿真,通过对环境温度(T_(A))、接触热阻(R_(tc))以及侧墙长度(L_(S))对体传导的JLNT-FET和表面传导的IMNT-FET的最大晶格温度(T_(Lmax))、最大载流子温度(T_(Cmax))、漏极电流(I_(DS))和栅极泄漏电流(I_(G))等器件参数影响的分析,对比研究了JLNT-FET和IMNT-FET中传导机制对电热特性的影响。结果表明,较高的T_(A)、较大的R_(tc)及较小的L_(S),都会加剧器件的声子散射,导致严重的SHE。同时,由于传导机制的差异,体传导受界面散射和声子散射影响较小,JLNT-FET具有更好的电热特性。 展开更多
关键词 无结纳米管场效应晶体管 反转模式纳米管场效应晶体管 电热特性 自热效应 热载流子注入
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