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题名GaN基多量子阱红外探测器研究进展(特邀)
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作者
吴峰
戴江南
陈长清
许金通
胡伟达
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机构
华中科技大学武汉光电国家研究中心
中国科学院上海技术物理研究所
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出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2021年第1期171-185,共15页
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基金
国家自然科学基金(61904184,61874043)
上海市自然科学基金项目(18ZR1445900)
中央高校基本科研业务费专项资金(5003187085)。
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文摘
多量子阱红外探测器是一种新型的利用子带跃迁机制的探测器件,具有非常高的设计自由度。GaN/Al(Ga)N量子阱由于大的导带带阶,超快的电子驰豫时间,超宽的红外透明区域以及高的声子能量,使得其成为继GaAs量子阱红外探测器之后又一潜在的探测材料结构。文中详细综述了国内外关于GaN基量子阱红外子带吸收及其探测器件的研究进展。首先介绍了量子阱红外探测器的工作原理及其选择定则,接着从极性GaN基多量子阱、非极性或半极性GaN基多量子阱以及纳米线结构GaN基多量子阱三个方面回顾当前GaN基多量子阱红外吸收的一些重要研究进展,包括了从近红外到远红外甚至太赫兹波段范围的各种突破。最后回顾了GaN基多量子阱红外探测器件的研究进展,包括其光电响应特性和高频响应特性,并对其未来的发展进行总结和展望。
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关键词
GAN
量子阱
红外探测器
子带跃迁吸收
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Keywords
GaN
quantum well
infrared photodetector
intersubband transition absorption
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分类号
O434.3
[机械工程—光学工程]
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