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2.6～2.8GHz 100W硅微波脉冲功率晶体管
被引量：
3
1
作者
黄雒光
赵丽华
+2 位作者
刘英坤
张鸿亮
潘茹
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第12期45-47,51,共4页
研究并制造了2.6～2.8GHz输出功率100W、脉宽1μs、占空比25%、增益7dB、效率35%的硅微波脉冲功率晶体管。本文介绍了该器件的设计考虑和采用的工艺技术,给出了研制结果。
关键词
硅
微波
脉冲
功率晶体管
内匹配
下载PDF
职称材料
题名
2.6～2.8GHz 100W硅微波脉冲功率晶体管
被引量：
3
1
作者
黄雒光
赵丽华
刘英坤
张鸿亮
潘茹
机构
中国电子科技集团公司第
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第12期45-47,51,共4页
文摘
研究并制造了2.6～2.8GHz输出功率100W、脉宽1μs、占空比25%、增益7dB、效率35%的硅微波脉冲功率晶体管。本文介绍了该器件的设计考虑和采用的工艺技术,给出了研制结果。
关键词
硅
微波
脉冲
功率晶体管
内匹配
Keywords
silicon
microwave
pulse
power
transistor
internal
impedance
matching
分类号
TN323.4 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
2.6～2.8GHz 100W硅微波脉冲功率晶体管
黄雒光
赵丽华
刘英坤
张鸿亮
潘茹
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004
3
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