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电容器用高方阻金属化薄膜电极设计、解析与性能调控
1
作者
董琦
李浩林
党智敏
《电力电容器与无功补偿》
2024年第1期128-139,共12页
金属化介质薄膜是高压电容器的关键组成部分,由于其突出的耐温耐压性能,被广泛应用于电力系统、脉冲功率和新能源汽车等领域。金属化薄膜具有优异的自愈特性,但在大电流冲击下,极薄的金属电极极易出现断裂、失效等现象,是影响电容器安...
金属化介质薄膜是高压电容器的关键组成部分,由于其突出的耐温耐压性能,被广泛应用于电力系统、脉冲功率和新能源汽车等领域。金属化薄膜具有优异的自愈特性,但在大电流冲击下,极薄的金属电极极易出现断裂、失效等现象,是影响电容器安全稳定运行的重要因素。此外,体积大、容量小等问题也严重限制了薄膜电容的应用,并由此形成了技术壁垒。而金属化介质薄膜在向小型化高容量发展的过程中,除新型介质薄膜材料的影响外,超薄高方阻金属化电极结构的设计对薄膜电容器性能的影响也逐渐开始显露。本文旨在综述近年来高方阻金属化薄膜的电极结构设计,及表/界面工程在电极结构设计中的应用与发展。总结过往从电极厚度、元素、图案化对金属化电极结构进行设计的局限性和存在的问题,分析了随着金属电极厚度从微米级向纳米级转变过程中界面在电气特性中承担的角色,偏重结合其自愈特性与电极结构相互作用的关系进行阐述。结合光电半导体领域中超薄金属化薄膜界面研究成果中介质薄膜金属化可以借鉴的界面研究方法,为应用于未来新能源领域中储能用超薄金属化膜如何利用界面开展结构设计及性能调控等方面提供参考。系统阐述了微观基础研究领域中金属化薄膜结构与界面设计对宏观电气性能调控的预测,并从根本上提出薄膜电容器领域发展的国产化关键技术。
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关键词
金属化介质薄膜
高方阻
电极结构
表界面工程
电气特性
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职称材料
HgCdTe MIS器件的制备及其界面电学特性的研究(上)
被引量：
2
2
作者
何波
史衍丽
徐静
《红外》
CAS
2006年第12期4-9,共6页
介绍了HgCdTe MIS器件的制备及由其C-V特性计算、分析界面电学特性的基本原理和步骤．利用MIS器件高频C-V曲线耗尽区的电学特性推导了衬底杂质浓度随深度分布的计算公式。
关键词
HGCDTE
MIS器件
表面钝化
界面电学特性
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职称材料
长波碲镉汞材料表面的氢化处理研究
3
作者
林占文
韩福忠
+5 位作者
耿松
李雄军
史琪
王海澎
王向前
蒋俊
《红外技术》
CSCD
北大核心
2018年第7期668-672,711,共6页
本文基于ICP方法对长波HgCdTe材料表面进行了氢化处理,首次在同一焦平面器件上实现了氢化工艺效果的对比。利用原子力显微镜(AFM)、低温探针台系统和焦平面测试系统对HgCdTe材料表面微观形貌及相关器件的电学特性进行了表征分析,结果表...
本文基于ICP方法对长波HgCdTe材料表面进行了氢化处理,首次在同一焦平面器件上实现了氢化工艺效果的对比。利用原子力显微镜(AFM)、低温探针台系统和焦平面测试系统对HgCdTe材料表面微观形貌及相关器件的电学特性进行了表征分析,结果表明:对长波HgCdTe材料表面进行氢化处理能有效降低MIS器件的界面态、改善二极管器件性能,同时能够增大焦平面器件的信号响应度、减小盲元率。该研究对改善长波HgCdTe/钝化层的界面态以及提高长波HgCdTe器件性能提供了依据。
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关键词
长波碲镉汞
氢化处理
AFM
界面电学特性
I-V
焦平面器件测试
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职称材料
题名
电容器用高方阻金属化薄膜电极设计、解析与性能调控
1
作者
董琦
李浩林
党智敏
机构
浙江工业大学教科学院
清华大学电机系新型电力系统运行与控制全国重点实验室
浙江理工大学材料学院
出处
《电力电容器与无功补偿》
2024年第1期128-139,共12页
基金
国家重点研发计划(2021YFB2401504)。
文摘
金属化介质薄膜是高压电容器的关键组成部分,由于其突出的耐温耐压性能,被广泛应用于电力系统、脉冲功率和新能源汽车等领域。金属化薄膜具有优异的自愈特性,但在大电流冲击下,极薄的金属电极极易出现断裂、失效等现象,是影响电容器安全稳定运行的重要因素。此外,体积大、容量小等问题也严重限制了薄膜电容的应用,并由此形成了技术壁垒。而金属化介质薄膜在向小型化高容量发展的过程中,除新型介质薄膜材料的影响外,超薄高方阻金属化电极结构的设计对薄膜电容器性能的影响也逐渐开始显露。本文旨在综述近年来高方阻金属化薄膜的电极结构设计,及表/界面工程在电极结构设计中的应用与发展。总结过往从电极厚度、元素、图案化对金属化电极结构进行设计的局限性和存在的问题,分析了随着金属电极厚度从微米级向纳米级转变过程中界面在电气特性中承担的角色,偏重结合其自愈特性与电极结构相互作用的关系进行阐述。结合光电半导体领域中超薄金属化薄膜界面研究成果中介质薄膜金属化可以借鉴的界面研究方法,为应用于未来新能源领域中储能用超薄金属化膜如何利用界面开展结构设计及性能调控等方面提供参考。系统阐述了微观基础研究领域中金属化薄膜结构与界面设计对宏观电气性能调控的预测,并从根本上提出薄膜电容器领域发展的国产化关键技术。
关键词
金属化介质薄膜
高方阻
电极结构
表界面工程
电气特性
Keywords
metallized
dielectric
film
high
square
resistance
electrode
structure
surface
and
interface
engineering
electrical
characteristic
分类号
TM5 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
HgCdTe MIS器件的制备及其界面电学特性的研究(上)
被引量：
2
2
作者
何波
史衍丽
徐静
机构
昆明理工大学光电子新材料研究所
昆明物理研究所
济南大学材料学院
出处
《红外》
CAS
2006年第12期4-9,共6页
文摘
介绍了HgCdTe MIS器件的制备及由其C-V特性计算、分析界面电学特性的基本原理和步骤．利用MIS器件高频C-V曲线耗尽区的电学特性推导了衬底杂质浓度随深度分布的计算公式。
关键词
HGCDTE
MIS器件
表面钝化
界面电学特性
Keywords
HgCdTe
MIS
device
surface
passivation
interface
electrical
characteristic
分类号
O472 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
长波碲镉汞材料表面的氢化处理研究
3
作者
林占文
韩福忠
耿松
李雄军
史琪
王海澎
王向前
蒋俊
机构
昆明物理研究所
出处
《红外技术》
CSCD
北大核心
2018年第7期668-672,711,共6页
文摘
本文基于ICP方法对长波HgCdTe材料表面进行了氢化处理,首次在同一焦平面器件上实现了氢化工艺效果的对比。利用原子力显微镜(AFM)、低温探针台系统和焦平面测试系统对HgCdTe材料表面微观形貌及相关器件的电学特性进行了表征分析,结果表明:对长波HgCdTe材料表面进行氢化处理能有效降低MIS器件的界面态、改善二极管器件性能,同时能够增大焦平面器件的信号响应度、减小盲元率。该研究对改善长波HgCdTe/钝化层的界面态以及提高长波HgCdTe器件性能提供了依据。
关键词
长波碲镉汞
氢化处理
AFM
界面电学特性
I-V
焦平面器件测试
Keywords
long
wavelength
HgCdTe
hydrogenation
AFM
interface
electrical
characteristic
I-V
focal
plane
device
test
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电容器用高方阻金属化薄膜电极设计、解析与性能调控
董琦
李浩林
党智敏
《电力电容器与无功补偿》
2024
0
下载PDF
职称材料
2
HgCdTe MIS器件的制备及其界面电学特性的研究(上)
何波
史衍丽
徐静
《红外》
CAS
2006
2
下载PDF
职称材料
3
长波碲镉汞材料表面的氢化处理研究
林占文
韩福忠
耿松
李雄军
史琪
王海澎
王向前
蒋俊
《红外技术》
CSCD
北大核心
2018
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
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