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中成药和生物试样中痕量砷和汞的流动注射—氢化物发生—等离子体光谱(FI-HG-ICP-AES)在线测定研究 被引量:19
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作者 喻昕 江祖成 +2 位作者 廖振环 陈建国 王松青 《药物分析杂志》 CAS CSCD 北大核心 1997年第6期394-398,共5页
提出了流动注射(FI)—氢化物发生(HG)与多道等离子体光谱仪联用的新体系,并将该体系应用于同时在线检测药物和生物试样中的痕量砷和汞.对联用技术中的接口、气/液分离器及主要工作参数进行了系统的研究.实验结果表明,在进... 提出了流动注射(FI)—氢化物发生(HG)与多道等离子体光谱仪联用的新体系,并将该体系应用于同时在线检测药物和生物试样中的痕量砷和汞.对联用技术中的接口、气/液分离器及主要工作参数进行了系统的研究.实验结果表明,在进样体积为80μL的条件下,本法的检出限可达亚μg/L,RSD(对砷和汞)分别为1.4%和1.3%(C=50μg/L,n=7),采样频率为150h-1.本法具有灵敏、快速、高效和所需试样少的优点. 展开更多
关键词 流动注射 氢化物 icp 中成药 生物试样
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射频ICP离子源设计研究 被引量:11
2
作者 许沭华 任兆杏 +1 位作者 沈克明 翁坚 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第4期310-312,共3页
本文介绍了射频 (RF)感应耦合等离子体 (ICP)离子源的设计研究。对RFICP的结构、离子流的引出以及离子流的均匀性、中性化和射频匹配网络进行了研究。
关键词 射频icp 离子源 设计 射频匹配网络 感应耦合等离子体 离子流 均匀性 中性化
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图形蓝宝石衬底GaN基发光二极管的研制 被引量:12
3
作者 张俊兵 林岳明 +2 位作者 范玉佩 王书昶 曾祥华 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期359-362,共4页
采用抗刻蚀性光刻胶作为掩膜,并利用光刻技术制作周期性结构,进行ICP干法刻蚀C面(0001)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(PSS);然后,在PSS上进行MOCVD制作GaN基发光二极管(LED)外延片;最终,进行芯片制造和测试。PSS的基本结构为圆孔,直径为3μm... 采用抗刻蚀性光刻胶作为掩膜,并利用光刻技术制作周期性结构,进行ICP干法刻蚀C面(0001)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(PSS);然后,在PSS上进行MOCVD制作GaN基发光二极管(LED)外延片;最终,进行芯片制造和测试。PSS的基本结构为圆孔,直径为3μm,间隔为2μm,深度为864 nm,呈六角形分布。与同批生长的普通蓝宝石衬底(CSS)GaN基LED芯片相比,PSS芯片的光强和光通量比CSS分别提高57.32%和28.33%(20 mA),并可减小芯片的反向漏电流,且未影响芯片的波长分布和电压特性。 展开更多
关键词 GaN基发光二极管(LED) 图形蓝宝石衬底(PSS) 光提取效率 icp
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PDMS软模板制备与叶片曲表面软光刻工艺 被引量:7
4
作者 高均超 段力 +6 位作者 王英 刘民 王凤丹 丁桂甫 王强 郑芳芳 邵靖 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第5期333-339,共7页
介绍和表征了一种制作聚二甲基硅氧烷(PDMS)软模板的工艺方法,并实现了非平面微加工工艺的图形转移。首先采用深硅电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺制备了具有图形的硅片硬母版,然后用PDMS对硅片硬母版进行倒模复制,从而得到具有图形的PDM... 介绍和表征了一种制作聚二甲基硅氧烷(PDMS)软模板的工艺方法,并实现了非平面微加工工艺的图形转移。首先采用深硅电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺制备了具有图形的硅片硬母版,然后用PDMS对硅片硬母版进行倒模复制,从而得到具有图形的PDMS软模板。对所制备的PDMS软模板和硅片硬母版结构的形貌、结构尺寸进行观测对比,结果显示PDMS软模板成功复制了硅片上的图形。将α-氰基丙烯酸乙酯旋涂到PDMS软模板上,然后将PDMS软模板上的图形转印到航空发动机叶片表面进行二次复制。在叶片表面得到的图形化结果为MEMS传感器的制作打下了坚实的基础。本实验提出的这种用PDMS转印的软光刻工艺可代替传统的光刻工艺,能够普遍适用于曲表面的三维结构集成制造。 展开更多
关键词 聚二甲基硅氧烷(PDMS) 电感耦合等离子体(icp) 软光刻 纳米压印 叶片
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石墨炉电热蒸发进样与ICP-AES联用技术研究——仪器装置及其分析性能 被引量:7
5
作者 黄敏 许廉发 +1 位作者 江祖成 曾云鹗 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1989年第7期709-712,共4页
将石墨炉作为蒸发器与ICP-AES联用,改善其检出限并赋予微量体积样品分析的能力。用自己组装的仪器,选择了等离子体和石墨炉各自最佳操作参数。结果表明,取样量为10μL时,大多数元素的检出限达μg/L级;相对标准偏差5%;线性范围达4个数... 将石墨炉作为蒸发器与ICP-AES联用,改善其检出限并赋予微量体积样品分析的能力。用自己组装的仪器,选择了等离子体和石墨炉各自最佳操作参数。结果表明,取样量为10μL时,大多数元素的检出限达μg/L级;相对标准偏差5%;线性范围达4个数量级。 展开更多
关键词 石墨炉 电热蒸发 电感耦合等离子体发生光谱法 分析性能
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铂电极的电感耦合等离子体刻蚀工艺研究
6
作者 宋琳 周燕萍 +2 位作者 左超 上村隆一郎 杨秉君 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第3期264-268,274,共6页
铂(Pt)金属因其特有的优良性能被广泛用作电极材料,干法刻蚀是获得器件图形的关键工艺技术,另外为了避免使用有毒性的Cl_(2),本文采用Ar/BCl_(3)作为刻蚀工艺气体,光刻胶作为刻蚀掩膜,对Pt电极材料做了干法刻蚀工艺的研究,系统地分析了... 铂(Pt)金属因其特有的优良性能被广泛用作电极材料,干法刻蚀是获得器件图形的关键工艺技术,另外为了避免使用有毒性的Cl_(2),本文采用Ar/BCl_(3)作为刻蚀工艺气体,光刻胶作为刻蚀掩膜,对Pt电极材料做了干法刻蚀工艺的研究,系统地分析了电感耦合等离子体源功率、射频偏压功率、气体流量比例、工艺气压以及基板温度对刻蚀速率和刻蚀形貌的影响。得到刻蚀速率为159.7 nm/min,侧壁角度为63°,片内刻蚀速率均匀性(152.4 mm、5个点、边缘去边5 mm)为±1.75%,关键尺寸损失量小于1%的刻蚀结果。 展开更多
关键词 电感耦合等离子体(icp) 铂(Pt)电极 刻蚀速率 刻蚀形貌 均匀性
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基于ICP的Ar等离子体干法刻蚀Ti/Ni/Ag薄膜
7
作者 黄梦茹 卢林红 +2 位作者 郭丰杰 马奎 杨发顺 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第10期893-898,共6页
在电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺中,选择合适的刻蚀条件对Ti/Ni/Ag薄膜的刻蚀至关重要。使用氩气(Ar)作为刻蚀气体,研究了射频偏压功率、气体体积流量、腔体压强、刻蚀时间等多个参数对功率芯片背面Ti/Ni/Ag薄膜刻蚀深度的影响,并优化... 在电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺中,选择合适的刻蚀条件对Ti/Ni/Ag薄膜的刻蚀至关重要。使用氩气(Ar)作为刻蚀气体,研究了射频偏压功率、气体体积流量、腔体压强、刻蚀时间等多个参数对功率芯片背面Ti/Ni/Ag薄膜刻蚀深度的影响,并优化刻蚀工艺参数。实验结果表明,调节射频偏压功率和Ar体积流量可以显著影响刻蚀速率,进而对薄膜的微结构进行有效调控。通过优化工艺参数,在射频偏压功率300 W、Ar体积流量40 cm^(3)/min、腔体压强1.2 Pa、刻蚀时间50 min下,芯片Ti/Ni/Ag薄膜的刻蚀深度达到283.25μm,有效提升了刻蚀效率和刻蚀精度。 展开更多
关键词 Ti/Ni/Ag薄膜 电感耦合等离子体(icp) 刻蚀深度 AR 射频偏压功率
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气体流量与射频功率对电感耦合等离子体温度分布的影响 被引量:6
8
作者 金星 段发鑫 +2 位作者 张晶晶 张哲 廖杨凡 《质谱学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期192-200,共9页
针对以电感耦合等离子体(ICP)为激发光源的分析仪器,研究ICP的温度空间分布对样品电离和激发具有重要意义。本研究建立了ICP的二维轴对称模型,利用有限元方法解算磁流体力学方程组,得到ICP的最高温度和温度空间分布,并研究了气体(辅助... 针对以电感耦合等离子体(ICP)为激发光源的分析仪器,研究ICP的温度空间分布对样品电离和激发具有重要意义。本研究建立了ICP的二维轴对称模型,利用有限元方法解算磁流体力学方程组,得到ICP的最高温度和温度空间分布,并研究了气体(辅助气、冷却气)流量和射频功率对ICP的最高温度和温度空间分布的影响。结果表明,辅助气、冷却气的流量及射频功率几乎不会改变ICP的最高温度(约10 000K),但会改变ICP的温度空间分布;辅助气流量的增大有助于ICP中心通道的形成,样品通过中心通道,有利于样品的原子化和电离;对于矩管直径为20mm的ICP,未通入样品时,运行时的射频功率在理论上不能超过1 600 W,而实际上空载功率可能更低。 展开更多
关键词 电感耦合等离子体(icp) 温度 有限元 磁流体力学 激发光源
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饲料产品中添加矿物质定性和定量方法研究
9
作者 周龙龙 牛增元 +5 位作者 陈春光 刘泉 张莉 王妍婷 王卫锋 孙鑫 《中国口岸科学技术》 2024年第2期91-96,共6页
本研究建立了饲料产品中添加矿物质的定性和定量检测方法。该方法基于X射线衍射法(X-ray diffraction,XRD)鉴定饲料产品中添加矿物质种类,电感耦合等离子体发射光谱法(Inductively coupled plasma emission spectrometry,ICP)定量。样... 本研究建立了饲料产品中添加矿物质的定性和定量检测方法。该方法基于X射线衍射法(X-ray diffraction,XRD)鉴定饲料产品中添加矿物质种类,电感耦合等离子体发射光谱法(Inductively coupled plasma emission spectrometry,ICP)定量。样品置于马弗炉中灰化,用XRD分析灰分中矿物质成分;另取样品置于离心管中,加入(1+5,v/v)甲酸震荡提取。提取液通过离心净化后,取上层清液过0.22μm滤膜,用水定容后用ICP检测,外标法定量。最后,根据XRD结果推算矿物质的含量。本研究以添加碳酸钙、碳酸钙镁为例进行鉴别,结果表明,XRD检测低限可以鉴别0.1%的添加矿物质,ICP定量方法中Ca和Mg在0.1~10.0 mg/L浓度范围内呈良好线性,线性回归系数r2>0.9997,空白样品加标回收率为86.7%~102%,相对标准偏差(RSD,n=6)为0.6%~1.8%。该方法准确、高效,前处理操作简单,可准确测定饲料产品中添加矿物质含量,并成功用于实际的样品测定和关税归类化验工作。 展开更多
关键词 饲料 添加矿物质 X射线衍射法(XRD) 电感耦合等离子体发射光谱(icp) 归类化验
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InSb阵列探测芯片的感应耦合等离子反应刻蚀研究 被引量:6
10
作者 张国栋 徐淑丽 +2 位作者 赵鸿燕 朱炳金 李小宏 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2009年第9期948-951,共4页
利用感应耦合等离子(ICP)反应刻蚀(RIE)进行了InSb阵列芯片台面刻蚀,并利用轮廓仪、SEM及XRD对台面形貌以及刻蚀损伤进行分析。采用优化的ICP刻蚀参数,实现的刻蚀速率为70-90 nm/min,刻蚀台阶垂直度-80°,刻蚀表面平整光滑、损... 利用感应耦合等离子(ICP)反应刻蚀(RIE)进行了InSb阵列芯片台面刻蚀,并利用轮廓仪、SEM及XRD对台面形貌以及刻蚀损伤进行分析。采用优化的ICP刻蚀参数,实现的刻蚀速率为70-90 nm/min,刻蚀台阶垂直度-80°,刻蚀表面平整光滑、损伤低。与常规的湿法腐蚀相比,明显降低了侧向钻蚀。台面采用此反应刻蚀工艺,制备了具有理想I-V特性的320×256 InSb探测阵列芯片,在-500 mV到零偏压范围内,光敏元(面积23μm×23μm)的动态阻抗(Rd)大于100 MΩ。 展开更多
关键词 INSB 感应耦合等离子 反应刻蚀 台面形貌 I-V曲线
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水环境中锑分析检测方法的研究进展
11
作者 王冬芳 李姜珊 +4 位作者 汪林颖 程若瑶 崔梦佳 卢洪秀 蔡冬清 《东华大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2024年第3期107-115,共9页
锑(Sb)是广泛存在于水环境中的一种重金属,不断被证实对人和动植物等有慢性毒性和致癌风险。在监测和治理水环境中的Sb污染方面,建立快速、高灵敏度的Sb检测分析方法至关重要。重点阐述了分光光度法、原子荧光光谱法(AFS)、电感耦合等... 锑(Sb)是广泛存在于水环境中的一种重金属,不断被证实对人和动植物等有慢性毒性和致癌风险。在监测和治理水环境中的Sb污染方面,建立快速、高灵敏度的Sb检测分析方法至关重要。重点阐述了分光光度法、原子荧光光谱法(AFS)、电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)、电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-OES)、原子吸收光谱法(AAS)和电化学分析法在Sb分析检测中的相关研究及应用进展,探讨了水环境中Sb检测存在的问题和面临的挑战,如检测方法灵敏度低、间接测定Sb耗时且不准确、还原剂昂贵且有毒等。此外,对Sb检测未来的发展方向进行展望。未来Sb检测趋势是发展电化学分析方法。通过电极修饰和纳米材料设计提高传感器性能,如碳基材料、金属纳米颗粒和硅基材料。有机配体、纳米复合材料和裸电极的功能化可增强灵敏度和选择性,促进传感器小型化。未来Sb检测将迈向小型化、芯片化和快速化。 展开更多
关键词 水环境 原子荧光光谱法 电感耦合等离子体法 研究进展
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Microstructure, Hardness and Corrosion Resistance of ZrN Films Prepared by Inductively Coupled Plasma Enhanced RF Magnetron Sputtering 被引量:4
12
作者 文峰 孟月东 +1 位作者 任兆杏 舒兴胜 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2008年第2期170-175,共6页
ZrN fihns were deposited on Si(111) and M2 steel by inductively coupled plasma (ICP)-enhanced RF magnetron sputtering. The effect of ICP power on the microstructure, mechanical properties and corrosion resistance ... ZrN fihns were deposited on Si(111) and M2 steel by inductively coupled plasma (ICP)-enhanced RF magnetron sputtering. The effect of ICP power on the microstructure, mechanical properties and corrosion resistance of ZrN films was investigated. When the ICP power is below 300 W, the ZrN films show a columnar structure. With the increase of ICP power, the texture coefficient (To) of the (111) plane, the nanohardness and elastic modulus of the films increase and reach the maximum at a power of 300 W. As the ICP Power exceeds 300 W, the films exhibit a ZrN and ZrNx mixed crystal structure without columnar grain while the nanohardness and elastic modulus of the films decrease. All the ZrN coated samples show a higher corrosion resistance than that of the bare M2 steel substrate in 3.5% NaCl electrolyte. The nanohardness and elastic modulus mostly depend on the crystalline structure and Tc of ZrN(111). 展开更多
关键词 inductively coupled plasma icp magnetron sputtering zirconium nitride nficrostructure nano-hardness corrosion resistance
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SiC基芯片背面通孔刻蚀工艺研究 被引量:5
13
作者 商庆杰 王敬松 +2 位作者 高渊 么锦强 张力江 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第7期527-531,共5页
通过对感应耦合等离子体(ICP)设备装片夹具进行改进,提高了背氦的导热效率,减小了下电极基底与晶圆表面之间的温度差,提高了冷却效果。对装片夹具改进前后进行了对比实验,并分析了射频功率、ICP功率、下电极基底温度、腔室压力等参数对... 通过对感应耦合等离子体(ICP)设备装片夹具进行改进,提高了背氦的导热效率,减小了下电极基底与晶圆表面之间的温度差,提高了冷却效果。对装片夹具改进前后进行了对比实验,并分析了射频功率、ICP功率、下电极基底温度、腔室压力等参数对SiC背面通孔的刻蚀速率、选择比、倾斜角及侧壁光滑度的影响。通过装片夹具改进及工艺条件优化,开发出刻蚀速率为1μm/min、SiC与Ni的选择比大于60∶1、倾斜角小于85°、侧壁光滑的SiC通孔工艺条件,可用于SiC基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)、SiC金属半导体场效应管(MESFET)等大功率微波器件及其微波单片集成电路(MMIC)研制与生产的背面通孔刻蚀,并可缩短工艺时间降低生产成本。 展开更多
关键词 碳化硅 背面通孔刻蚀 感应耦合等离子体(icp) 刻蚀速率 选择比
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砷的微波等离子体炬质谱行为探究
14
作者 唐子阳 李国霖 +6 位作者 李典 董露露 王丽 宋丽丽 吴德波 李伯平 郭冬发 《质谱学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第4期519-529,I0003,共12页
本研究将氢化物发生(HG)技术与微波等离子体炬(MPT)相结合,开发了一种针对砷元素的快速、灵敏的常压直接质谱分析方法,即氢化物发生-微波等离子体炬质谱(HG-MPT-MS)法,并在此基础上系统探究了不同电离条件下砷的质谱行为。在正、负离子... 本研究将氢化物发生(HG)技术与微波等离子体炬(MPT)相结合,开发了一种针对砷元素的快速、灵敏的常压直接质谱分析方法,即氢化物发生-微波等离子体炬质谱(HG-MPT-MS)法,并在此基础上系统探究了不同电离条件下砷的质谱行为。在正、负离子模式下,砷具有显著区别于电喷雾电离(ESI)、电感耦合等离子体(ICP)等电离技术的特征质谱峰(如可实现分子电离,易与硝酸根等离子结合,甚至形成砷酸根离子的二聚体等),且背景干净、信号响应强,适用于对复杂样品中的微量砷进行直接质谱分析。此外,还研究了盐酸浓度对氢化砷信号强度和电离行为的影响,以及微波功率对砷电离行为的调控。与ICP相比,MPT在分析砷元素时具有极低的功耗和氩气消耗、软电离以及能量连续可调控等优势。结果表明,在1~500μg/L浓度范围内,砷浓度与其信号强度具有良好的线性关系,线性相关系数(R2)大于0.998,检测限为0.02μg/L,且各待测离子的信号稳定性和峰形均较好。 展开更多
关键词 氢化物 微波等离子体炬(MPT) 直接质谱分析 电感耦合等离子体(icp) 电喷雾电离(ESI)
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感应耦合等离子体的1维流体力学模拟 被引量:4
15
作者 王帅 毛明 王友年 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期155-159,共5页
采用双极扩散近似的流体力学模型,通过数值模拟方法研究了射频感应耦合等离子体(ICP)中等离子体密度和电子温度等物理量的空间分布,其中射频源的功率沉积由动力学理论给出。分析了不同的射频线圈的驱动电流和放电气压对等离子体密度和... 采用双极扩散近似的流体力学模型,通过数值模拟方法研究了射频感应耦合等离子体(ICP)中等离子体密度和电子温度等物理量的空间分布,其中射频源的功率沉积由动力学理论给出。分析了不同的射频线圈的驱动电流和放电气压对等离子体密度和电子温度空间分布的影响。在低气压下,等离子体密度基本上保持空间均匀分布。随着放电压强的增加,等离子体密度的分布呈现出明显的空间不均匀性。当线圈电流增大时,等离子体密度和电子温度都随着增大。 展开更多
关键词 感应耦合等离子体 流体力学 等离子体密度 电子温度
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ICP刻蚀中等离子体分布的模拟 被引量:3
16
作者 冯明 张鉴 黄庆安 《电子器件》 EI CAS 2005年第3期529-531,共3页
采用直接蒙特卡罗方法对反应器中的气体分布进行粒子模拟,从而得到在不同条件下的一组结果,给出了粒子浓度和温度与腔体尺寸的关系图。并对结果作出分析比较,得出不同的条件对粒子浓度以及温度等产生影响,结果对ICP刻蚀的工艺控制有参... 采用直接蒙特卡罗方法对反应器中的气体分布进行粒子模拟,从而得到在不同条件下的一组结果,给出了粒子浓度和温度与腔体尺寸的关系图。并对结果作出分析比较,得出不同的条件对粒子浓度以及温度等产生影响,结果对ICP刻蚀的工艺控制有参考价值。 展开更多
关键词 等离子体分布 粒子模拟 直接模拟蒙特卡罗法 电感耦合等离子体
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感应耦合等离子体增强射频磁控溅射沉积ZrN薄膜及其性能研究 被引量:4
17
作者 刘峰 孟月东 +1 位作者 任兆杏 舒兴胜 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期1796-1801,共6页
利用感应耦合等离子体(ICP)增强射频磁控溅射技术在Si(111)片和M2钢表面制备了ZrN薄膜,研究了基片的温度和ICP功率对ZrN薄膜的结构以及性能影响.研究发现:在基片温度≤300℃沉积的ZrN薄膜择优取向为(111);基片温度达到450℃时薄膜出现Zr... 利用感应耦合等离子体(ICP)增强射频磁控溅射技术在Si(111)片和M2钢表面制备了ZrN薄膜,研究了基片的温度和ICP功率对ZrN薄膜的结构以及性能影响.研究发现:在基片温度≤300℃沉积的ZrN薄膜择优取向为(111);基片温度达到450℃时薄膜出现ZrN(200)衍射峰,ZrN(111)晶面的织构系数明显降低.传统磁控溅射沉积薄膜为柱状结构,当ICP为200W,基片温度为300℃时沉积薄膜中柱状晶体消失;随着基片温度的升高,N/Zr元素比例降低,并且薄膜的电阻率下降;相对于传统溅射,ICP增强射频磁控溅射沉积薄膜的结构更加致密,硬度提高,应力降低. 展开更多
关键词 感应耦合等离子体 磁控溅射 ZrN薄膜 微结构 性能
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利用CH_4/H_2/Ar及Cl_2高密度等离子体对InSb的高速率刻蚀研究(英文) 被引量:3
18
作者 张国栋 司俊杰 王理文 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2012年第4期843-846,共4页
利用感应耦合等离子体(ICP)进行了InSb刻蚀研究。为了实现高的刻蚀速率同时保证光滑的刻蚀表面,研究中在CH4/H2/Ar气氛中引入了Cl2。研究发现,对InSb的刻蚀速率随Cl2含量及ICP功率的升高而线性增加。当Cl2含量增加到超过12%或ICP功率大... 利用感应耦合等离子体(ICP)进行了InSb刻蚀研究。为了实现高的刻蚀速率同时保证光滑的刻蚀表面,研究中在CH4/H2/Ar气氛中引入了Cl2。研究发现,对InSb的刻蚀速率随Cl2含量及ICP功率的升高而线性增加。当Cl2含量增加到超过12%或ICP功率大于900 W时,刻蚀表面变得粗糙,而易引起刻蚀损伤的直流偏压随ICP功率的升高而降低。此现象归因于刻蚀副产物InCl3在样品表面的聚集进而妨碍均匀刻蚀反应所致。当样品温度从20℃提高到120℃,刻蚀速率及表面粗糙度无明显变化。通过试验研究,实现了对InSb的高速率、高垂直度刻蚀,刻蚀速率大于500 nm/min,对SiO2掩模刻蚀选择比大于6,刻蚀表面光洁,刻蚀垂直度可达80°。 展开更多
关键词 感应耦合等离子体(icp) INSB 刻蚀速率 粗糙度 侧壁倾角
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SiC ICP背面通孔刻蚀研究 被引量:3
19
作者 周瑞 张雄文 +4 位作者 闫锐 李亚丽 于峰涛 张志国 冯志红 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第4期249-252,共4页
介绍了利用ICP设备,使用SF6基气体对4H-SiC衬底进行背面通孔刻蚀的技术。研究了金属刻蚀掩模、刻蚀气体中O2含量的变化、反应室压力、RF功率和ICP功率等各种条件对刻蚀结果产生的影响,重点对刻蚀气体中O2含量和反应室压力两个条件进行... 介绍了利用ICP设备,使用SF6基气体对4H-SiC衬底进行背面通孔刻蚀的技术。研究了金属刻蚀掩模、刻蚀气体中O2含量的变化、反应室压力、RF功率和ICP功率等各种条件对刻蚀结果产生的影响,重点对刻蚀气体中O2含量和反应室压力两个条件进行了优化。通过对刻蚀结果的分析,得出了适合当前实际工艺的优化条件,实现了厚度为100μm、直径为70μm的SiC衬底GaN HEMT和单片电路的背面通孔刻蚀,刻蚀速率达700nm/min,SiC和金属刻蚀选择比达到60∶1。通过对工艺条件的优化,刻蚀出倾角为75°~90°的通孔。 展开更多
关键词 感应耦合等离子体 通孔刻蚀 碳化硅 六氟化硫 倾角
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基于电感耦合氧等离子体金刚石膜表面修饰的功率优化 被引量:2
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作者 张楷亮 王莎莎 +2 位作者 王芳 吴小国 孙大智 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第7期1034-1037,共4页
采用电感耦合等离子体(ICP)氧等离子体刻蚀金刚石膜,探寻金刚石膜表面处理的方法。通过分析不同ICP射频源功率和不同偏压源功率下的刻蚀速率,研究了金刚石膜刻蚀的机理作用;通过拉曼光谱进行表征,分析刻蚀前后sp2与sp3的含量。结果表明,... 采用电感耦合等离子体(ICP)氧等离子体刻蚀金刚石膜,探寻金刚石膜表面处理的方法。通过分析不同ICP射频源功率和不同偏压源功率下的刻蚀速率,研究了金刚石膜刻蚀的机理作用;通过拉曼光谱进行表征,分析刻蚀前后sp2与sp3的含量。结果表明,在ICP氧等离子体刻蚀的过程中,sp3键部分转化为sp2键;刻蚀后表面粗糙度降低;当刻蚀功率较高时,可同时刻蚀sp2和sp3键,而且刻蚀sp2的速率强于sp3。在刻蚀实验及机理探索基础上优化了刻蚀功率。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 等离子体 电感耦合等离子体(icp) 刻蚀
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