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低温ITO薄膜制备及其在TOLED中的应用 被引量:8
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作者 林慧 蒋亚东 +3 位作者 于军胜 李军建 王军 邓建芳 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期1068-1070,共3页
通过在直流磁控溅射过程中加入微量水蒸气的方法,在低于60℃温度条件下制备了具有优良光电性能的透明导电ITO薄膜,并探讨了溅射功率、基板温度对ITO薄膜光电性能的影响。利用制得的ITO薄膜作电极,制作了结构为ITO/CuPc/NPB/Alq3/BCP/Mg... 通过在直流磁控溅射过程中加入微量水蒸气的方法,在低于60℃温度条件下制备了具有优良光电性能的透明导电ITO薄膜,并探讨了溅射功率、基板温度对ITO薄膜光电性能的影响。利用制得的ITO薄膜作电极,制作了结构为ITO/CuPc/NPB/Alq3/BCP/Mg∶Ag/ITO的透明有机电致发光器件(TOLEDs),结果表明,器件的平均透过率达到45%;在驱动电压15V的条件下,发光亮度达到了3000cd/m2。 展开更多
关键词 ito薄膜 直流磁控溅射 透明有机电致发光器件(TOLEDs) 光电性能
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